1、单晶硅棒加工成单晶硅抛光片工艺流程单晶硅棒加工成单晶硅抛光片工艺流程简介:加工流程：单晶生长切断外径滚磨平边或 V 型槽处理切片倒角研磨腐蚀-抛光清洗包装切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测 “ T; O8 |( H, G; 加工流程： - J6 T3 倒角研磨 腐蚀-抛光清洗包装 2 M# U t2 P$ r6 W i! Z2 $ DH* x7 l; s6 0 G外径滚磨的设备：磨床 1 P; V; q% A: ( V2 n k$ Z/ 7 D( i* W( y$ n3 ?8 e倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，
2、防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。 - s, ? X$ o, b _研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。 7 ?/ L5 K6 s% c( o( Y5 i研磨的设备：研磨机（双面研磨） , i# w: r9 K+ m1 k# U$ q: s+ S7 f h$ V主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。 + X2 s i8 ?/ D6 m- ) j1 B, C% s“ B3 C# ?/ f腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采
3、用化学腐蚀去除。 P4 W; ?/ * Q/ i, / q0 p% X! Z抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。 , F) v e“ g5 w“ d) k: p# T c1 + C( s# X单晶整形过程中（外径磨削工序）由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约 10-13。 p h; F6 V9 o) b6 ) h h6 R0 r% i7 L硅片厚度 650 750& L- l3 & N% R+ : & 6 B) Q8 y损耗率 34% 35%其他工序的净损耗从切片到最终抛光，此间损耗约 16.67%-19.23%。 例： - O0 , # E8 e) d u1 F4 p4 英寸 5 英寸切片厚度 650 750抛光厚度 525 625损耗率 19.23% 16.67%, & B9 B1 X2 从单晶硅棒到抛光片的损耗还包括切片过程中的崩边、裂缝，磨片过程中的碎片和缺口，碱腐蚀过程中的沾污、花斑，抛光等过程中的碎片划伤造成的损耗，具体如下：切片5、倒角 1、磨片 5、腐蚀 2、退火 2、抛光 5、清洗 2，此间损耗率约20 + o( b& T, F/ K从单晶硅棒-单晶硅抛光片总损耗率：4 英寸约 574 ，5 英寸约 56.7。
