1、1第 1-4 章复习题一、填空题：1. 半导体是一种导电能力介于_与_之间的物质。常用的半导体材料是_和_。2 利用半导体材料的某种敏感特性，如_和_特性，可制成热敏电阻和光敏元件。3 在本征半导体中，自由电子浓度_ 空穴浓度；在 P 型半导体中，自由电子浓度_空穴浓度；在 N 型半导体中，自由电子浓度 _空穴浓度。4半导体中的电流是_与_的代数和。杂质半导体中的多数载流于是由_产生的：少数裁流于是由_产生的。5 使 PN 结正偏的方法是：将 P 区接_电位，N 区接_ 电位。正偏时 P 结处于_状态，反偏时 PN 结处于_状态。6 空间电荷区中不存在_，只有不能移动的离子，其中靠近 P 区的
2、是_离子，靠近N 区的是_离子。所建电场有利于 _运动，阻碍_运动。7反向电压引起反向电流剧增时的 PN 结处于_状态，该状态是_二极管的工作状态，是_二极管的故障状态。8二极管的反向击穿分为_击穿和_击穿。击穿后如果反向电流不超过允许值，则二极管只是_击穿，不致损坏。否则因功耗太大使管子过热损坏时称为_击穿。 9 整流二极管的员主要特性是_，它的两个主要参数是：_和_。10在常温下，硅二极管的开启电压(死区电压) 约为_ ，导通后在较大电流下的正向压降约为_V；锗二极管的开启电压 (死区电压)约为_，导通后在较大电流下的正向压降约为_V； 11理想二极管正向导通时，其压降为_v，反向截止时，
3、其中电流为_A。这两种状态相当于一个_。12 稳压二极管工作时，其反向电流必须在_范围内，才能起稳压作用，并且不会因热击穿而损坏。 13 发光二极管内部仍是一个_，当外加适当的正向电压时N 区的自由电子和 P 区的空穴在扩散过程中_，释放的能量以_的形式表现出来。14 用万用表 R100 或 R1k 档测试一个正常二极管时指针偏转角很大时可判定黑表笔接的是二极管_极；红表笔接的是二极管_极。15 三极管具有电流放大作用的工艺措施是：_区掺杂浓度很高，_结的面积大，_区很薄。16 三极管具有电流放大作用的外部条件是_和_。17 三极管的电流放大作用是用较小的_电流控制较大的_电流，所以三极管是一
4、种_控制元件。18双极型晶体管从结构上看可以分成_和_。它们工作时有_和_两种载流子参与导电。19温度升高时，三极管的电流放大系数 _；反向饱和电流 ICBO_；射结电压VBE_ 。20某三极管的管的权限参数 PCM150mw，I CM100mA，V (BR)CEO30V。若它工作时电压VCE10V，则工作电流 Ic 不得超过_15mA_A ；若工作电压 VCElV，则工作电流不得超过_100_mA；若工作电流 IC1mA，则工作电压不得超过 _30_V。21 三报管穿透电流 ICEO 是集一基反向饱和电流 ICBO 的_倍。在选用管子时，一般希望 ICEO 尽量_。222 场效应管从结构上看
5、可以分成_和_两大类型，它们的导电过程仅仅取决于_载流子的流动。从这一点看它又称为_晶体管。23 场效应管的输出特性曲线又称漏极特性曲线。它是指_定时，_与_之间的关系曲线，它可划分为_、_和_三个区域。24场效应管用于放大时，一般都工作在_区，场效应管的放大能力比三极管_，直流输入电阻比三极管_，极间电容比三极管_。25 场效应管的输入电阻比双极型三极管的输入电阻_，所以输入电流近似为_ 。26 结型场效应管当 VGS0 时，沟道电阻_，加入 VDS 后， ID 为_电流。当VGD=VP 时，这种情况称为_，此时的 ID 为_。27 MOS 管是用_、_和_材料制成的。按沟道类型分有_和_两
6、类，其每一类又可分为_和_两种。28使用场效应管时应特别注意对_极的保护，尤其是绝缘栅场效应管在不用时应将三个电极_。29已知某晶体管的 fT150MHz， 0=50，则当其工作频率为 50MHz 时，|_。二、选择题：1对 PN 结施加反向电压时，参与导电的是 ( )a多数载流子； b。少数载流子； C. 既有多数裁流子又有少数载流子。2当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 ( )a增加； b减少 2 c不变。3用万用表的 R100 档和 R1k 档分别测量一个正常二极管的正向电电阻，两次测试结果 ( )a.相同； b第一次测试值比第二次大； c. 第一次测试值比第二次小5 当温
7、度为 20时测得某二极管的在路电压为 vD07V。若其它参数不变，当温度上升到 40时，则 vD 的大小将( )a 等于 07V； b大于 07V ； c. 小于 07V。6 两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 ( )a两种， b三种； c四种。7用万用表判别处于放大状态的某个晶体三极管的类型(指 NPN 管或 PNP 管) 与三个电极时，最方便的方法是测出 ( )a 各级间电阻； b各级对地电位； c各级的电流。8 某只处于放大状态的三极管，各极电位分别是 VE6V、V B53V，V C=1V，则该管是a. PNP 锗管； bPNP 硅管 c. NPN 硅管。9
8、实践中，判断三极管是否饱和，最简单可靠的方法是测量aI B bI C cV BE dV CE。10检修设备时，测得三极管的 VCE03V ，则可能是；a开路； b上偏置电阻 RB 太小； cR B 太小。11共射基本放大电路中，工作点 Q 偏高，易产生 ( ) ，调整的方法是 ( ) 。a截止失真 b饱和失真 c增大上偏电阻 RB d减小上偏电阻 RB 12场效应管是用 ( ) 控制漏极电流的。a 栅源电流 b栅源电压 c漏源电压三、判断题1 漂移电流是少数载流子形成的。 ( )2 当晶体二极管加反向电压时，将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由 P型和 N 型半导体中少数载流子的漂移运动产
9、生的。 ( )33 普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿都是不可逆的。 ( )4 正偏时二极管的动态内阻随着流过二极管的正向电流的增加而减小。 ( )5 发光二极管内部仍是一个 PN 结，因而它同普通二极管一样导通后的正向压降为 03V 或 07V。 ( )6 发光二极管的发光颜色是由采用的半导体材料决定的。 ( )7 稳压二极管只要加上反向电压就能起到稳压作用。 ( )8 晶体二极管存在一个结电容，这仅是由引脚和壳体形成的。 ( )9 只有当三极管截止时才有反向饱和电流。 ( )10三极管饱和时，其 IC 必定很大。 ( )11 三极管发射区的作用是向基区发射自由电子，集电结的作用则是收集
10、这些自由电子 ( )12 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。 ( )13 三极管用于放大时要求 VBEo，场效应管用于放大时要求 VGSo。 ( )14 结型场效管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出的，所以这两个电极可以互换使用。( )15P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。( )16在 N 型半导体中，揍人高浓度的三价杂质可以改型为 P 型半导体。( )17P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。( )18PN 结内的扩散电流是载流于在电场作用下形成的。( )19漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。( )20由于 PN
11、 结交界而两边存在电位差，所以，当把 PN 结两端短路时就有电流流过。( )21PN 结方程可以描述 PN 结的正向特性和反向特性，也可以描述 PN 结的反向击穿特性( )22增强型绝缘栅场效应管也可以采用与结型管同样的自给偏置方式( )23耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。( )四、计算题 ：写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 UD0.7V。一、 选择正确的答案填空。1 一个放大电路的对数幅频特性如图所示。由此可知中频放大倍数A Vm为_， 上限频率为_，下限频率为 _， 当信号频率恰好为上限频率或下限额率时，实际的电压增益为 _。42幅度失真和相位失真统称为_，失真(交
12、越，频率) ，它属于_，失真(线性，非线性)，在出现这类失真时若 vi为正弦波，则 v。为_， (正弦，非正弦).， 饱和失真、截止失真、交越失真都属于_失真(线性，非线性) ，在出现这类失真时，可通过调节电路的_来改善。3 已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为(式中单位：Hz)表明其下限额率为_，上限额率为_中频电压增益为_dB，输出电压与输入电压在中频段的相位差为_。 二、选 择 合 适 的 答 案 ， 填 入 空 内 。 只 需 填 入 A、 B 或 C。（ 1） 功 率 放 大 电 路 的 最 大 输 出 功 率 是 在 输 入 电 压 为 正 弦 波 时 ， 输 出 基 本 不 失
13、 真 情 况下 ， 负 载 上 可 能 获 得 的 最 大 。A 交 流 功 率 B 直 流 功 率 C 平 均 功 率（ 2） 功 率 放 大 电 路 的 转 换 效 率 是 指 。A 输 出 功 率 与 晶 体 管 所 消 耗 的 功 率 之 比B 最 大 输 出 功 率 与 电 源 提 供 的 平 均 功 率 之 比C 晶 体 管 所 消 耗 的 功 率 与 电 源 提 供 的 平 均 功 率 之 比（ 3） 在 OCL 乙 类 功 放 电 路 中 ， 若 最 大 输 出 功 率 为 1W， 则 电 路 中 功 放 管 的 集 电极 最 大 功 耗 约 为 。A 1W B 0.5W C 0.2W（ 4） 在 选 择 功 放 电 路 中 的 晶 体 管 时 ， 应 当 特 别 注 意 的 参 数 有 。A B ICM C ICBOD BUCEO E PCM F fT
