1、11. X 射线学有几个分支？每个分支的研究对象是什么？答：X 射线学分为三大分支：X 射线透射学、X 射线衍射学、X 射线光谱学。X 射线透射学的研究对象有人体，工件等，用它的强透射性为人体诊断伤病、用于探测工件内部的缺陷等。X 射线衍射学是根据衍射花样，在波长已知的情况下测定晶体结构，研究与结构和结构变化的相关的各种问题。X 射线光谱学是根据衍射花样，在分光晶体结构已知的情况下，测定各种物质发出的 X 射线的波长和强度，从而研究物质的原子结构和成分。2. 分析下列荧光辐射产生的可能性，为什么？（1）用 CuK X 射线激发 CuK 荧光辐射；（2）用 CuK X 射线激发 CuK 荧光辐射
2、；（3）用 CuK X 射线激发 CuL 荧光辐射。答：根据经典原子模型，原子内的电子分布在一系列量子化的壳层上，在稳定状态下，每个壳层有一定数量的电子，他们有一定的能量。最内层能量最低，向外能量依次增加。根据能量关系，M、K 层之间的能量差大于 L、K 成之间的能量差，K、L 层之间的能量差大于 M、L 层能量差。由于释放的特征谱线的能量等于壳层间的能量差，所以 K 的能量大于 Ka 的能量，Ka 能量大于 La 的能量。因此在不考虑能量损失的情况下：（1） CuKa 能激发 CuKa 荧光辐射；（能量相同）（2） CuK 能激发 CuKa 荧光辐射；（KKa）（3） CuKa 能激发 Cu
3、La 荧光辐射；（Kala）3. 什么叫“相干散射” 、 “非相干散射” 、 “荧光辐射” 、 “吸收限” 、 “俄歇效应”？答： 当 射线通过物质时，物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动，受迫振动产生交变电磁场，其频率与入射线的频率相同，这种由于散射线与入射线的波长和频率一致，位相固定，在相同方向上各散射波符合相干条件，故称为相干散射。 当 射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后，可以得到波长比入射 射线长的 射线，且波长随散射方向不同而改变，这种散射现象称为非相干散射。 一个具有足够能量的 射线光子从原子内部打出一个 K 电子，当外层电子来填充 K空位时，将向外辐射 K 系 射线，
4、这种由 射线光子激发原子所发生的辐射过程，称荧光辐射。或二次荧光。 指 射线通过物质时光子的能量大于或等于使物质原子激发的能量，如入射光子的能量必须等于或大于将 K 电子从无穷远移至 K 层时所作的功 W，称此时的光子波长 称为 K 系的吸收限。 当原子中 K 层的一个电子被打出后，它就处于 K 激发状态，其能量为 Ek。如果一个L 层电子来填充这个空位，K 电离就变成了 L 电离，其能由 Ek 变成 El，此时将释 Ek-El的能量，可能产生荧光 射线，也可能给予 L 层的电子，使其脱离原子产生二次电离。2即 K 层的一个空位被 L 层的两个空位所替代，这种现象称俄歇效应。4. 产生 X 射
5、线需具备什么条件？答：实验证实:在高真空中，凡高速运动的电子碰到任何障碍物时，均能产生 X 射线，对于其他带电的基本粒子也有类似现象发生。电子式 X 射线管中产生 X 射线的条件可归纳为：1，以某种方式得到一定量的自由电子；2，在高真空中，在高压电场的作用下迫使这些电子作定向高速运动；3，在电子运动路径上设障碍物以急剧改变电子的运动速度。5. 特征 X 射线与荧光 X 射线的产生机理有何异同？某物质的 K 系荧光 X 射线波长是否等于它的 K 系特征 X 射线波长？答：特征 X 射线与荧光 X 射线都是由激发态原子中的高能级电子向低能级跃迁时，多余能量以 X 射线的形式放出而形成的。不同的是：
6、高能电子轰击使原子处于激发态，高能级电子回迁释放的是特征 X 射线；以 X 射线轰击，使原子处于激发态，高能级电子回迁释放的是荧光 X 射线。某物质的 K 系特征 X 射线与其 K 系荧光 X 射线具有相同波长。14.试简要总结由分析简单点阵到复杂点阵衍射强度的整个思路和要点。答:在进行晶体结构分析时,重要的是把握两类信息,第一类是衍射方向,即 角,它在 一定的情况下取决于晶面间距 d。衍射方向反映了晶胞的大小和形状因素 ,可以利用布拉格方程来描述。第二类为衍射强度,它反映的是原子种类及其在晶胞中的位置。简单点阵只由一种原子组成，每个晶胞只有一个原子，它分布在晶胞的顶角上，单位晶胞的散射强度相
7、当于一个原子的散射强度。复杂点阵晶胞中含有 n 个相同或不同种类的原子，它们除占据单胞的顶角外，还可能出现在体心、面心或其他位置。复杂点阵的衍射波振幅应为单胞中各原子的散射振幅的合成。由于衍射线的相互干涉，某些方向的强度将会加强，而某些方向的强度将会减弱甚至消失。这样就推导出复杂点阵的衍射规律称为系统消光（或结构消光） 。15.试述原子散射因数 f 和结构因数 的物理意义。结构因数与哪些因素有关系?2HKLF答：原子散射因数:f=A a/Ae=一个原子所有电子相干散射波的合成振幅/一个电子相干散射波的振幅，它反映的是一个原子中所有电子散射波的合成振幅。结构因数：式中结构振幅 FHKL=Ab/A
8、e=一个晶胞的相干散射振幅/一个电子的相干散射振幅结构因数表征了单胞的衍射强度，反映了单胞中原子种类，原子数目，位置对（HKL）21 212 )(2sin )(co jjnj jj jjNj jjHKLHKL LzKyHxffFF 3晶面方向上衍射强度的影响。结构因数只与原子的种类以及在单胞中的位置有关，而不受单胞的形状和大小的影响。16.测角仪在采集衍射图时，如果试样表面转到与入射线成 30角，则计数管与人射线所成角度为多少？能产生衍射的晶面，与试样的自由表面呈何种几何关系？答：60 度。因为计数管的转速是试样的 2 倍。辐射探测器接收的衍射是那些与试样表面平行的晶面产生的衍射。晶面若不平行
9、于试样表面，尽管也产生衍射，但衍射线进不了探测器，不能被接收。17.物相定性分析的原理是什么？对食盐进行化学分析与物相定性分析，所得信息有何不同？答： 物相定性分析的原理：X 射线在某种晶体上的衍射必然反映出带有晶体特征的特定的衍射花样（衍射位置 、衍射强度 I） ，而没有两种结晶物质会给出完全相同的衍射花样，所以我们才能根据衍射花样与晶体结构一一对应的关系，来确定某一物相。 对食盐进行化学分析，只可得出组成物质的元素种类（Na,Cl 等）及其含量，却不能说明其存在状态，亦即不能说明其是何种晶体结构，同种元素虽然成分不发生变化，但可以不同晶体状态存在，对化合物更是如此。定性分析的任务就是鉴别待
10、测样由哪些物相所组成。18.物相定量分析的原理是什么？试述用 K 值法进行物相定量分析的过程。答：根据 X 射线衍射强度公式，某一物相的相对含量的增加，其衍射线的强度亦随之增加，所以通过衍射线强度的数值可以确定对应物相的相对含量。由于各个物相对 X 射线的吸收影响不同，X 射线衍射强度与该物相的相对含量之间不成线性比例关系，必须加以修正。这是内标法的一种，是事先在待测样品中加入纯元素，然后测出定标曲线的斜率即K 值。当要进行这类待测材料衍射分析时，已知 K 值和标准物相质量分数 s，只要测出 a 相强度 Ia 与标准物相的强度 Is 的比值 Ia/Is 就可以求出 a 相的质量分数 a。19.
11、在一块冷轧钢板中可能存在哪几种内应力？它的衍射谱有什么特点？按本章介绍的方法可测出哪一类应力？ 答：钢板在冷轧过程中，常常产生残余应力。残余应力是材料及其制品内部存在的一种内应力，是指产生应力的各种因素不存在时，由于不均匀的塑性变形和不均匀的相变的影响，在物体内部依然存在并自身保持平衡的应力。通常残余应力可分为宏观应力、微观应力和点阵畸变应力三种，分别称为第一类应力、第二类应力和第三类应力。其衍射谱的特点：X射线法测第一类应力，角发生变化，从而使衍射线位移。测定衍射线位移，可求出宏观残余应力。X射线法测第二类应力，衍射谱线变宽，根据衍射线形的变化，就能测定微观应力。X射线法测第三类应力，这导致
12、衍射线强度降低，根据衍射线的强度下降，可以测定第三类应力。本章详细介绍了 X 射线法测残余应力，X 射线照射的面积可以小到 1-2mm 的直径，因此，它可以测定小区域的局部应力，由于 X 射线穿透能力的限制，它所能记录的是表面 1030um 深度的信息，此时垂直于表面的应力分量近似为 0，所以它所能处理的是近似的二维应力；另外，对复相合金可以分别测定各相中的应力状态。不过 X 射线法的测4量精度受组织因素影响较大，如晶粒粗大、织构等因素等能使测量误差增大几倍。按本章介绍的方法可测出第一类应力宏观应力。20.什么是分辨率，影响透射电子显微镜分辨率的因素是哪些？答：分辨率：两个物点通过透镜成像，在
13、像平面上形成两个爱里斑，如果两个物点相距较远时，两个 Airy 斑也各自分开，当两物点逐渐靠近时，两个 Airy 斑也相互靠近，直至发生部分重叠。根据 Load Reyleigh 建议分辨两个 Airy 斑的判据：当两个 Airy 斑的中心间距等于 Airy 斑半径时，此时两个 Airy 斑叠加，在强度曲线上，两个最强峰之间的峰谷强度差为 19%，人的肉眼仍能分辨出是两物点的像。两个 Airy 斑再相互靠近，人的肉眼就不能分辨出是两物点的像。通常两 Airy 斑中心间距等于 Airy 斑半径时，物平面相应的两物点间距成凸镜能分辨的最小间距即分辨率。影响透射电镜分辨率的因素主要有：衍射效应和电镜
14、的像差（球差、像散、色差）等。21.有效放大倍数和放大倍数在意义上有何区别？答：有效放大倍数是把显微镜最大分辨率放大到人眼的分辨本领（0.2mm） ，让人眼能分辨的放大倍数。放大倍数是指显微镜本身具有的放大功能，与其具体结构有关。放大倍数超出有效放大倍数的部分对提高分辨率没有贡献，仅仅是让人观察得更舒服而已，所以放大倍数意义不大。显微镜的有效放大倍数、分辨率才是判断显微镜性能的主要参数。22.球差、像散和色差是怎样造成的？如何减小这些像差？哪些是可消除的像差？答：1，球差是由于电磁透镜磁场的近轴区与远轴区对电子束的会聚能力的不同而造成的。一个物点散射的电子束经过具有球差的电磁透镜后并不聚在一点
15、，所以像平面上得到一个弥散圆斑，在某一位置可获得最小的弥散圆斑，成为弥散圆。还原到物平面上，则半径为rs=1/4 Cs 3rs 为半径，Cs 为透镜的球差系数， 为透镜的孔径半角。所以见效透镜的孔径半角可 减少球差。2，色差是由于成像电子的波长（能量）不同而引起的。一个物点散射的具有不同波长的电子，进入透镜磁场后将沿各自的轨道运动，结果不能聚焦在一个像点上，而分别交在一定的轴向范围内，形成最小色差弥散圆斑，半径为 r c=Cc |E/E|Cc为透镜色差系数， 为透镜孔径半角，E/E 为成像电子束能量变化率。所以减小E/E、 可减小色差。3，像散是由于透镜磁场不是理想的旋对称磁场而引起的。可减小
16、孔径半角来减少像散。23.聚光镜、物镜、中间镜和投影镜各自具有什么功能和特点？答：聚光镜： 聚光镜用来会聚电子抢射出的电子束，以最小的损失照明样品，调节照明强度、孔径角和束斑大小。一般都采用双聚光系统，第一聚光系统是强励磁透镜，束斑缩小率为 10-15 倍左右，将电子枪第一交叉口束斑缩小为 1-5m；而第二聚光镜5是弱励磁透镜，适焦时放大倍数为倍左右。结果在样品平面上可获得 m的照明电子束斑。物镜：物镜是用来形成第一幅高分辨率电子显微图象或电子衍射花样的透镜。投射电子显微镜分辨率的高低主要取决于物镜。因为物镜的任何缺陷都将被成相系统中的其他透镜进一步放大。物镜是一个强励磁短焦距的透镜（f=1-
17、3mm） ，它的放大倍数高，一般为 100-300 倍。目前，高质量的物镜其分辨率可达 0.1 mm 左右。中间镜： 中间镜是一个弱励磁的长焦距变倍率透镜，可在 0-20 倍范围调节。当放大倍数大于 1 时，用来进一步放大物镜像；当放大倍数小于 1 时，用来缩小物镜像。在电镜操作过程中，主要利用中间镜的可变倍率来控制电镜的总放大倍数。如果把中间镜的物平面和物镜的像平面重合，则在荧光屏上得到一幅放大像，这就是电子显微镜中的成像操作；如果把中间镜的物平面和物镜的背焦面重合，在在荧光屏上得到一幅电子衍射花样，这就是电子显微镜中的电子衍射操作。投影镜：投影镜的作用是把中间镜放大（或缩小）的像（或电子衍
18、射花样）进一步放大，并投影到荧光屏上，它和物镜一样，是一个短聚焦的强磁透镜。投影的励磁电流是固定的，因为成像的电子束进入透镜时孔径角很小，因此它的景深和焦长都非常大。即使改变中间竟的放大倍数，是显微镜的总放大倍数有很大的变化，也不会影响图象的清晰度。24.影响电磁透镜景深和焦长的主要因素是什么？景深和焦长对透射电子显微镜的成像和设计有何影响？答：（1）把透镜物平面允许的轴向偏差定义为透镜的景深，影响它的因素有电磁透镜分辨率、孔径半角，电磁透镜孔径半角越小，景深越大，如果允许较差的像分辨率（取决于样品） ，那么透镜的景深就更大了；把透镜像平面允许的轴向偏差定义为透镜的焦长，影响它的因素有分辨率、
19、像点所张的孔径半角、透镜放大倍数，当电磁透镜放大倍数和分辨率一定时，透镜焦长随孔径半角的减小而增大。（2）透射电子显微镜的成像系统由物镜、中间镜和投影镜组成。物镜的作用是形成样品的第一次放大镜，电子显微镜的分辨率是由一次像来决定的，物镜是一个强励磁短焦距的透镜，它的放大倍数较高。中间镜是一个弱透镜，其焦距很长，放大倍数可通过调节励磁电流来改变，在电镜操作过程中，主要是利用中间镜的可变倍率来控制电镜的放大倍数。投影镜的作用是把中间镜放大（或缩小）的像进一步放大，并投影到荧光屏上，它和物镜一样，是一个短焦距的强磁电镜。而磁透镜的焦距可以通过线圈中所通过的电流大小来改变，因此它的焦距可任意调节。用磁
20、透镜成像时，可以在保持物距不变的情况下，改变焦距和像距来满足成像条件，也可以保持像距不变，改变焦距和物距来满足成像条件。在用电子显微镜进行图象分析时，物镜和样品之间的距离总是固定不变的，因此改变物镜放大倍数进行成像时，主要是改变物镜的焦距和像距来满足条件；中间镜像平面和投影镜物平面之间距离可近似地认为固定不变，因此若要荧光屏上得到一张清晰的放大像必须使中间镜的物平面正好和物镜的像平面重合，即通过改变中间镜的励磁电流，使其焦距变化，与此同时，中间镜的物距也随之变化。大的景深和焦长不仅使透射电镜成像方便，而且电镜设计荧光屏和相机位置非常方便。25.消像散器的作用和原理是什么？答：消像散器的作用就是
21、用来消除像散的。其原理就利用外加的磁场把固有的椭圆6形磁场校正成接近旋转对称的磁场。机械式的消像散器式在电磁透镜的磁场周围放置几块位置可以调节的导磁体来吸引一部分磁场从而校正固有的椭圆形磁场。而电磁式的是通过电磁板间的吸引和排斥来校正椭圆形磁场的。26.何为可动光阑？第二聚光镜光阑、物镜光阑和选区光阑在电镜的什么位置？它们各具有什么功能？答:可动光阑即为可以调节的非固定光阑。第二聚光镜光阑在双聚光镜系统中,光阑常安装在第二聚光镜的下方。其作用是限制照明孔径角。物镜光阑:又称衬度光阑,通常它被放在物镜的后焦面上。物镜光阑不仅具有减小球差,像散和色差的作用,而且可以提高图像的衬度。加入物镜光阑使物
22、镜孔径角减小,能减小相差,得到质量较高的显微图像。物镜光阑的另一个主要作用是在后焦面上套取衍射束的斑点(副焦点)成像,这就是所谓的暗场像。利用明暗场显微照片的对照分析,可以方便地进行物相鉴定和缺陷分析。选区光阑又称场限光阑或场光阑。一般都放在物镜的像平面位置。其作用是便于分析样品上的一个微小区域。27.比较光学显微镜和电子显微镜成像的异同点。电子束的折射和光的折射有何异同点？（1）光 学 显 微 镜 电 子 显 微 镜照明光源 可见光 电子波照明光源的性质波动性 粒子性和波动性成像原理光波通过玻璃透镜而发生折射，从而会聚成像。电子束在轴对称的非均匀电场或磁场的作用下，而发生折射，从而产生电子束
23、的会聚与发散，以达到成像的目的！透镜的放大倍数一般最高在 10001500 之间远远高于光学显微镜的放大倍数，其分辨本领高至纳米量级。分辨率的影响因素分辨本领主要取决于照明源的波长。衍射效应和像差对分辨率都有影响。透镜的像差 球面像差、色像差、像域弯曲球差、像散、色差透镜焦距 固定不变 可变透镜的功能 仅局限于形貌观察 集形貌观察、晶体结构、成分分析与一体。透镜的主要组成部分焦距很短的物镜、焦距很长的目镜。照明系统、成像系统、观察与记录系统、7（2） 光波可通过玻璃透镜而发生折射，从而会聚成像；而电子波不同，它只能在外在条件才能发生折射，即轴对称的非均匀电场和磁场可以让电子束折射，从而产生电子
24、束的会聚与发散，以达到成像的目的。电子折射与广折射不同，因为电子走的轨迹是空间曲线，而光折射是直线传播。28.分别说明成像操作与衍射操作时各级透镜（像平面与物平面）之间的相对位置关系，并画出光路图。答：如果把中间镜的物平面和物镜的像平面重合，则在荧光屏上得到一幅放大像，这就是电子显微镜中的成像操作，如图（a）所示。如果把中间镜的物平面和物镜的后焦面重合，则在荧光屏上得到一幅电子衍射花样，这就是电子显微镜中的电子衍射操作，如图（b）所示。29.用爱瓦尔德图解法证明布拉格定律。答：作一个长度等于 1/ 的矢量 K0，使它平行于入射光束，并取该矢量的端点 O 作为倒点阵的原点。然后用与矢量 K0相同
25、的比例尺作倒点阵。以矢量 K0的起始点 C 为圆心，以 1/ 为半径作一球，则从（HKL）面上产生衍射的条件是对应的倒结点 HKL（图中的P 点）必须处于此球面上，而衍射线束的方向即是 C 至 P 点的联接线方向，即图中的矢量 K 的方向。当上述条件满足时，矢量（K- K 0）就是倒点阵原点 O 至倒结点 P（HKL）的联结矢量 OP，即倒格失R* HKL.于是衍射方程 K- K0=R* HKL得到了满足。即倒易点阵空间的衍射条件方程成立。 又由 g*=R* HK2sin1/=g *2sin1/=1/d2dsin=证毕。（类似解释：首先作晶体的倒易点阵，O 为倒易原点。入射线沿 OO 方向入射
26、，且令OO =S0/ 。 以 0为球心，以 1/ 为半径画一球，称反射球。若球面与倒易点 B8相交，连 OB 则有 OB- S0/ =OB，这里 OB 为一倒易矢量。因 OO =OB=1/，故OOB 为与等腰三角形等效，OB 是一衍射线方向。由此可见，当 x 射线沿 OO 方向入射的情况下，所有能发生反射的晶面，其倒易点都应落在以 O为球心。以 1/ 为半径的球面上，从球心 O指向倒易点的方向是相应晶面反射线的方向。)30.简述单晶子电子衍射花样的标定方法。答：通常电子衍射图的标定过程可分为下列三种情况：1）已知晶体（晶系、点阵类型）可以尝试标定。2）晶体虽未知，但根据研究对象可能确定一个范围
27、。就在这些晶体中进行尝试标定。3）晶体点阵完全未知，是新晶体。此时要通过标定衍射图，来确定该晶体的结构及其参数。所用方法较复杂，可参阅电子衍射方面的专著。 具体过程如下：一.已知样品晶体结构和相机常数：1.由近及远测定各个斑点的 R 值。2.根据衍射基本公式 R=L/d 求出相应晶面间距3.因为晶体结构已知，所以可由 d 值定它们的晶面族指数hkl 4.测定各衍射斑之间的 角5.决定透射斑最近的两个斑点的指数（ hkl ）6.根据夹角公式，验算夹角是否与实测的吻合，若不，则更换（ hkl ）7.两个斑点决定之后，第三个斑点为 R3=R1+R2。8.由 g1g2 求得晶带轴指数。二、未知晶体结构
28、的标定 1（尝试是否为立方）1.由近及远测定各个斑点的 R 值。2.计算 R12值，根据 R12 ， R22 ， R32=N1 ， N2 ， N3关系，确定是否是某个立方晶体。3.有 N 求对应的hkl。4.测定各衍射斑之间的 角5.决定透射斑最近的两个斑点的指数（ hkl ）6.根据夹角公式，验算夹角是否与实测的吻合，若不，则更换（ hkl ）7.两个斑点决定之后，第三个斑点为 R3=R1+R2。8.由 g1g2求得晶带轴指数。9三、未知晶体结构的标定 21.由近及远测定各个斑点的 R 值。2.根据衍射基本公式 R=L/d 求出相应晶面间距3.查 ASTM 卡片，找出对应的物相和hkl指数4
29、.确定(hkl)，求晶带轴指数。而这三个过程的方法又可总结为下面两个方法：一、查表标定法1）在底片上测量约化四边形的边长 R1、R 2、R 3及夹角，计算 R2/R1及 R3/R1。2）用 R2/R1、R 3/R1及 去查倒易点阵平面基本数据表。若与表中相应数据吻合，则可查到倒易面面指数（或晶带轴指数）uvw，A 点指数 h1k1l1及 B 点指数 h2k2l2。3）由式 R=L/d=K/d 计算 dEi，并与 d 值表或 X 射线粉末衍射卡片 PDF（或 ASTM）上查得的 dTi对比，以核对物相。此时要求相对误差为 3%5%。 二、d 值比较法 1、按约化四边形要求，在透射斑点附近选三个衍
30、射斑点 A、B、D。测量它们的长度 Ri及夹角，并根据式 R=L/d=K/d 计算 dEi2、将 dEi与卡片上或 d 值表中查得的 dTi比较，如吻合记下相应的hkli3、从hkl1 中，任选 h1k1l1作 A 点指数，从hkl2 中，通过试探，选择一个 h2k2l2，核对夹角后，确定 B 点指数。由hkl3 按自洽要求，确定 C 点指数。4、确定晶带轴uvw。31.说明多晶、单晶及厚单晶衍射花样的特征及形成原理。答：多晶衍射花样是晶体倒易球与反射球的交线，是一个个以透射斑为中心的同心圆环；单晶衍射花样是晶体倒易点阵去掉结构消光的倒易杆与反射球的交点，这些点构成平行四边形衍射花样；当单晶体
31、较厚时，由于散射因素的影响会出现除衍射花样外的一明一暗线对的菊池衍射花样。32.下图为 18Cr2N4WA 经 900油淬 400回火后在透射电镜下摄得的渗碳体选区电子衍射花样示意图，请对其指数斑点进行标定。EiTd10R1=9.8mm, R2=10.0mm,=95, L=2.05mmnm解：由 得 得 d1=0.209nm，d 2=0.205nm,1RLdlR查表得：(h 1k1l1)为（-1-2 1）（h 2k2l2）为（2 -1 0）又 R1R 2，可确定最近的衍射斑点指数为(h 1k1l1)即（-1 -2 1）由 ，且 =95，得第二个斑点指数为（2 -1 1212 2cos()(ll
32、h0） ，或（-2 1 0） ，又由 R1+R2=R3 得h3=h1+h2 , k3=k1+k2 , L3=L1+L2得 第三个斑点指数为， （1 -3 1）或（-1 3 1）当第一个衍射斑点指数为（1 2 1）时同理可求得相应的斑点指数为（ 3 1 1）或（-1 3 1） ，标定如下图 。33.为什么说从衍射观点看有些倒易点阵也是衍射点阵，其倒易点不是几何点？其形状和所具有的强度取决于哪些因素，在实际上有和重要意义？答：倒易点阵中的一个点代表的是正点阵中的一组晶面。衍射点阵是那些能产生衍射（去掉结构消光）的倒易点阵。衍射点阵中倒易点不是几何点，其形状和强度取决于晶体形状和倒易体与厄瓦尔德球相
33、交的位置。根据衍射花样可以推测晶体形态或缺陷类型以及衍射偏离布拉格角的程度。34.为什么 TEM 既能选区成像又能选区衍射？怎样才能做到两者所选区域的一致性。在实际应用方面有和重要意义？11答 TEM 成像系统主要是由物镜，中间镜和投影镜组成。如果把中间镜的物平面和物镜的像平面重合，则在荧光屏上得到一幅放大像，这就是 TEM 的成像操作。如果把中间镜的物平面和物镜的背焦面重合，则在荧光屏上得到一幅电子衍射花样，这就是 TEM 的电子衍射操作。降低成像的像差，精确聚焦才能做到两者所选区域一致。实际应用中是通过选区衍射确定微小物相的晶体结构。35.何谓衬度？TEM 能产生哪几种衬度象，是怎样产生的
34、，都有何用途答：衬度是指图象上不同区域间明暗程度的差别。TEM 能产生质厚衬度象、衍射衬度象及相位衬度象。质厚衬度是由于样品不同微区间存在的原子序数或厚度的差异而形成的，适用于对复型膜试样电子图象作出解释。晶体试样在进行电镜观察时，由于各处晶体取向不同和(或)晶体结构不同，满足布拉格条件的程度不同，使得对应试样下表面处有不同的衍射效果，从而在下表面形成一个随位置而异的衍射振幅分布，这样形成的衬度，称为衍射衬度。衍衬技术被广泛应用于研究晶体缺陷。如果透射束与衍射束可以重新组合，从而保持它们的振幅和位相，则可直接得到产生衍射的那些晶面的晶格象，或者一个个原子的晶体结构象。这就是相位衬度象，仅适于很
35、薄的晶体试样(100)。36.画图说明衍衬成象原理，并说明什么是明场象，暗场象和中心暗场象。答：在透射电子显微镜下观察晶体薄膜样品所获得的图像，其衬度特征与该晶体材料同入射电子束交互作用产生的电子衍射现象直接有关，此种衬度被称为衍射衬度，简称“衍衬”利用单一光束的成像方式可以简单地通过在物镜背焦平面上插入一个孔径足够小的光阑（光阑孔半径小于 r）来实现。 明场:光栏孔只让透射束通过,荧光屏上亮的区域是透射区暗场:光栏孔只让衍射束通过,荧光屏上亮的区域是产生衍射的晶体区1. 电子束和固体样品作用时会产生哪些信号？它们各具有什么特点？答：具有高能量的入射电子束与固体样品表面的原子核以及核外电子发生
36、作用，产生下图所示的物理信号：121：背散射电子背散射电子是指被固体样品中的原子核反弹回来的一部分入射电子，其中包括弹性背散射电子和非弹性背散射电子。弹性背散射电子是指被样品中原子核反弹回来的散射角大于 90的那些入射电子，其能量基本上没有变化。非弹性背散射电子是入射电子和核外电子撞击后产生非弹性散射而造成的，不仅能量变化，方向也发生变化。背散射电子的产生范围在 1000 到 1 mm 深，由于背散射电子的产额随原子序数的增加而增加，所以，利用背散射电子作为成像信号不仅能分析形貌特征，也可用来显示原子序数衬度，定性地进行成分分析。2：二次电子二次电子是指被入射电子轰击出来的核外电子。二次电子来
37、自表面 50-500 的区域，能量为 0-50 eV。它对试样表面状态非常敏感，能有效地显示试样表面的微观形貌。由于它发自试样表面层，入射电子还没有较多次散射，因此产生二次电子的面积与入射电子的照射面积没多大区别。所以二次电子的分辨率较高，一般可达到 50-100 。扫描电子显微镜的分辨率通常就是二次电子分辨率。二次电子产额随原子序数的变化不明显，它主要决定于表面形貌。3吸收电子入射电子进入样品后，经多次非弹性散射，能量损失殆尽（假定样品有足够厚度，没有透射电子产生） ，最后被样品吸收，此即为吸收电子。入射电子束射入一含有多元素的样品时，由于二次电子产额不受原子序数影响，则产生背散射电子较多的
38、部位其吸收电子的数量就较少。因此，吸收电流像可以反映原子序数衬度，同样也可以用来进行定性的微区成分分析。4透射电子如果样品厚度小于入射电子的有效穿透深度，那么就会有相当数量的入射电子能够穿过薄样品而成为透射电子。样品下方检测到的透射电子信号中，除了有能量与入射电子相当的弹性散射电子外，还有各种不同能量损失的非弹性散射电子。其中有些待征能量损失 DE 的非弹性散射电子和分析区域的成分有关，因此，可以用特征能量损失电子配合电子能量分析器来进行微区成分分析。5特性 X 射线特征 X 射线是原子的内层电子受到激发以后，在能级跃迁过程中直接释放的具有特征能量和波长的一种电磁波辐射。发射的 X 射线波长具
39、有特征值，波长和原子序数之间服从莫塞莱定律。因此，原子序数和特征能量之间是有对应关系的，利用这一对应关系可以进行成分分析。如果用 X 射线探测器测到了样品微区中存在某一特征波长，就可以判定该微区中存在的相应元素。6俄歇电子如果原子内层电子能级跃迁过程中释放出来的能量 DE 不以 X 射线的形式释放，而是用该能量将核外另一电子打出，脱离原子变为二次电子，这种二次电子叫做俄歇电子。因为每一种原子都有自己特定的壳层能量，所以它们的俄歇电子能量也各有特征值，一般在 50-1500 eV 范围之内。俄歇电子是由试样表面极有限的几个原于层中发出的，这说明俄歇电子信号适用于表层化学成分分析。1337.扫描电
40、子显微镜的分辨率和信号种类有关？试将各种信号的分辨率高低作一比较。答:扫描电子显微镜的分辨率和信号种类是有关的.具体比较如下表:信号 二次电子 背散射电子 吸收电子 特征 x 射线 俄歇电子分辨率 5-10 50-200 100-1000 100-1000 5-10二次电子和俄歇电子的分辨率最高,而特征 x 射线调制成显微图象的分辨率最低.电子束进入轻元素样品表面后会造成一个滴状作用体积.入射电子束在被样品吸收或散射出样品表面之前将在这个体积内活动.如图:38.表面形貌衬度和原子序数衬度各有什么特点？答： 表面形貌衬度是由于试样表面形貌差别而形成的衬度。利用对试样表面形貌变化敏感的物理信号调制
41、成像，可以得到形貌衬度图像。形貌衬度的形成是由于某些信号，如二次电子、背散射电子等，其强度是试样表面倾角的函数，而试样表面微区形貌差别实际上就是各微区表面相对于入射电子束的倾角不同，因此电子束在试样上扫描时任何两点的形貌差别，表现为信号强度的差别，从而在图像中形成显示形貌的衬度。二次电子像的衬度是最典型的形貌衬度。由于二次电子信号主要来自样品表层 5-10nm 深度范围，它的强度与原子序数没有明确的关系，而仅对微区刻面相对于入射电子束的位向十分敏感，且二次电子像分辨率比较高，所以特别适用于显示形貌衬度。原子序数衬度是由于试样表面物质原子序数（或化学成分）差别而形成的衬度。利用对试样表面原子序数
42、（或化学成分）变化敏感的物理信号作为显像管的调制信号，可以得到原子序数衬度图像。背散射电子像、吸收电子像的衬度都含有原子序数衬度，而特征 X 射线像的衬度就是原子序数衬度。粗糙表面的原子序数衬度往往被形貌衬度所掩盖，为此，对于显示原子序数衬度的样品，应进行磨平和抛光，但不能浸蚀。39.举例介绍 STM 和 AFM 在材料分析工作中的应用。答. 与 SEM，TEM，FIM 相比，STM 具有结构简单.分辨本领高等特点，可在真空.大14气或液体环境下，在实空间内进行原位动态观察样品表面的原子组态，并可直接用于观察样品表面发生的物理或化学的动态过程及反应中原子的迁移过程等。STM 除具有一定的横向分
43、辨本领外，还具有极优异的纵向分辨本领，STM 的横向分辨率达 0.1nm，在与样品垂直的 z 方向，其分辨率高达 0.01nm。由此可见，STM 具有极优异的分辨本领，可有效的填补 SEM，TEM，FIM 的不足，而且，从仪器工作原理上看，STM 对样品的尺寸形状没有任何限制，不破坏样品的表面结构。目前，STM 已成功地用于单质金属.半导体等材料表面原子结构的直接观察。补充习题16.衍射谱标定方法与注意事项有那些？答：一，X 射线衍射：A.采用照相法常用四方晶系的指数标定。 （1）立方晶系指数标定，由 算得个 m 的比值然后查表对照可确定干涉2213123sin:i:sin:.:.m指数。（2
44、）正方晶系与六方晶系衍射花样指数标定，常用赫尔戴维图进行指数标定。注意事项：照相法往往存在较大误差！B.衍射仪法，由于直接给出角度和所对应峰的强度，常常采用 3 强线来标定，通过 PDF卡来确定物相。注意事项：实验条件影响衍射花样，对照检索 PDF 卡时要综合考虑，另外 PDF 卡有时不能给出唯一答案，需要进一步验证。二，电子衍射花样的标定：A.单晶电子衍射花样的标定主要采用尝试核算法与标准花样对照法。注意事项：（1）尝试核算法由于已知条件的不同，衍射花样的标定也是不相同的（2）标准花样对照法简单但不易行，需要很好的经验和判断能力，另外标准花样往往不能满足标定工作的需要（3）对两种方法我们都应
45、当注意耦合不唯一性（ 不唯一性） ，应注意消除。180（4）复杂单晶衍射花样的标定主要是高阶劳厄斑点和菊池花样可类比零阶劳厄区斑点区别对待。B.多晶电子衍射花样的标定，即确定花样中各衍射圆环对应的干涉指数与多晶 XRD 相似。测量出 R 值比较查表确定各圆环。注意事项：测量 R 值的准确性可通过测 D2R,相对减小误差7.电子衍射与X射线衍射有那些区别？可否认为有了电子衍射分析手段，X射线衍射方法就可有可无了？答：电子衍射与 X 射线衍射一样，遵从衍射产生的必要条件和系统消光规律，但电子是物质波，因而电子衍射与 X 射线衍射相比，又有自身的特点：(1)电子波波长很短，一般只有千分之几 nm，而
46、衍射用 X 射线波长约在十分之几到百分之几 nm，按布拉格方程 2dsin = 可知，电子衍射的 2 角很小，即入射电子和衍射电子束都近乎平行于衍射晶面；(2)由于物质对电子的散射作用很强，因而电子束穿透物质的能力大大减弱，故电子只15适于材料表层或薄膜样品的结构分析；(3)透射电子显微镜上配置选区电子衍射装置，使得薄膜样品的结构分析与形貌有机结合起来，这是 X 射线衍射无法比拟的特点。但是，X 射线衍射方法并非可有可无，这是因为：X 射线的透射能力比较强，辐射厚度也比较深，约为几 um 到几十 um，并且它的衍射角比较大，这些特点都使 X 射线衍射适宜于固态晶体的深层度分析。9.如何进行一未
47、知晶体结构的电子衍射花样标定？如何增加标定的正确性？答: 晶体未知分两种情况:1)晶体虽未知,但根据研究对象可能确定一个范围，可在这些晶体中进行尝试标定。2）晶体点阵完全未知，是全新结构。此时要通过标定衍射图，来确定该晶体的结构及其参数。所用方法较复杂，一般很少涉及到。因此主要讨论情况 1）为了标定的准确,应该注意以下事项:1）认真制备样品，薄区要多，表面没有氧化。2）正确操作电镜，如合轴、选区衍射操作等。3）校正仪器常数。4）要在底片上测量距离和角度。长度测量误差小于0.2mm，（或相对误差小于35%），角度测量误差0.2，尚需注意底片药面是朝上放置的。方法一:未知晶体结构的标定 1（尝试是
48、否为立方）1.由近及远测定各个斑点的 R 值。2.计算 Ri2值，根据 R12：R 22：R 32：R n2n = N1：N 2：N 3：N n关系，确定是否为立方晶体。3.由 N 求对应的hkl。4.测定各衍射斑之间的 角5.决定透射斑最近的两个斑点的指数（ hkl ）6.根据夹角公式，验算夹角是否与实测的吻合，若不，则更换（ hkl ）7.两个斑点决定之后，第三个斑点为 R3=R1+R2。8.由 g1g2 求得晶带轴指数。方法二:晶体结构的标定 21.由近及远测定各个斑点的 R 值。2.根据衍射基本公式 R=L/d 求出相应晶面间距3.查 ASTM 卡片，找出对应的物相和hkl指数4.确定(hkl)，求晶带轴指数。11.标定下图电子衍射花样，叙述衍射花样的标定程序（步骤） 。图中 OA=10.2mm， OB=10.2mm，OC=14.4mm；已知 L=2.05mm.nm。
