1、第三章31 （a）画出 晶体管在平衡时以及在正向有源工作模式下的能带图。PN（b）画出晶体管的示意图并表示出所有的电流成分，写出各级电流表达式。（c）画出发射区、基区、集电区少子分布示意图。32考虑一个 硅晶体管，具有这样一些参数： ，在均匀掺杂基区mxB2。若集电结被反向偏置， ，计231601.,05cAscmna AInE1算在发射结基区一边的过量电子密度、发射结电压以及基区输运因子。33 在 32 的晶体管中，假设发射极的掺杂浓度为 ，3180cm， ，发射结空间电荷区中， 。计算在 时xE2nspE10 s1.0InE的发射效率和 。Fh34 一 NPN 晶体管具有以下规格：发射区面
2、积=1 平方密耳，基区面积=10 平方密耳，发射区宽度= ，基区宽度= ，发射区薄层电阻为 ，基区薄层电阻m21/2为 ，集电极电阻率= ，发射区空穴寿命= ，基区电子寿命=100/00.3cns1，假设发射极的复合电流为常数并等于 。还假设为突变结和均匀掺杂。计算ns A、 以及 时的 。用半对数坐标画出曲线。AIE1m1、 FEh中间电流范围的控制因素是什么？3-5 （a ）根据式（3-19）或式（ 3-20） ，证明对于任意的 值公式（3-41）和nBLx（3-43）变成 EdPnBnai NDLxNqA)(coth21nBnaiLDas221)(coth22 PCdnBnai LNxN
3、qA（b）证明，若 I 且 ，证明上式化为B0E)1(0RFRBFI, 其中1/lnRCBFERCETIhV .1,RFEFEhh3-8一个用离子注入制造的 晶体管，其中性区内浅杂质浓度为 ，NP0xLaNe中 。183020.Ncml，（a）求宽度为 的中性区内单位面积的杂质总量；.（b）求出中性区内的平均杂质浓度；（c）若 ，基区内少子平均寿命为 ，1932101/pEdEpELccms， ， D610s基区的平均扩散系数和（b）中的 杂质浓度相应，求共发射极电流增益。解：（a） xeNGLxmB/0= )(0/xB0N= 。 （ ）313184623. cmc2(b) = =BmxG/
4、84375/6.(c) 用TEVinBanEdpaFE eDWxNLNh2021 2nBdEpBaLxDN， = 给出（查 图） 则BamxNG318075.cmaNSVcmn./502代入数据即可。qKTDLnnnpELx39若在式 中假设 ，则可在集电极电流 I 曲线计算出根TEBVxainnedNAI02nCIcEV梅尔数。求出 34 中晶体管中的根梅尔数。采用 、 以及smDn/35221.0A。165.cmni310 （a）证明对于均匀掺杂的基区，式式 简化为BxxanTdNL02)1(21nBTLx（b）若基区杂质为指数分布，即 ，推导出基区输运因子的表示式。若BxaeN0基区杂质
5、分布为 ，推导出基区输运因子的表达式。0xLaNe3-11 基区直流扩展电阻对集电极电流的影响可表示为，用公式以及示于图 312 的数据估算出0exp/cEBbTIVIr br3-12 （a）推导出均匀掺杂基区晶体管的基区渡越时间表达式。假设 1。BnxL（b）若基区杂质分布为 ，重复（a）0BxaNe3-13考虑晶体管具有示于图 316 的杂质分布，令发射极和基极面积相等（10 平方密尔）且 ，发射极电流 ，集电结的反偏电压为 ，计算在 300K 时截止频率0scr2mA10V。3-14若实际晶体管的基极电流增益为 e /(1+j / )，证明0/jm，0/Tm（ 1+）式中 是共发射极电流
6、增益模量为 1 时的频率。3-15 （a）求出图 323 中输出短路时 的表达式。0iI（b）求出 ，它相应于 的数值下降到 3 的情况。0iIdB（c）推导式（385）3-16.若图 316 中 平方密耳突变结，估算晶体21501ccFEImAVhA， ， ，管的复合 模型参数。注：双扩散晶体管用 nBDx4/23-17证明平面型双扩散晶体管的穿透电压可用下式表示：式中 为根梅尔数。02BxdCqGVkNG3-18用两个晶体管模拟 的方法导出阳极电流做栅电流的表示式。SR3-19负的栅电流可以关断小面积的 ，关断增益定义为 ，其中 I 为阳极导通AGIA电流，I 为关断器件所需的最小栅电流。G
