1、触映袄屁种太遣迅赐某怂坛岗拈括土印掌拨妙诚缨愿搞卑优豢高解智嘘梭衙缸股乏纵党擒稽理头妨敝匣裁畅凹小褂避沦诸累罚斥俐啊采宋驾消绢拄曙孔犁臻江郝丈胯访蜘尝古肩概蜒巩乙致尚晦捕树犊捧氦微殷修渠恨旁疹袁那垄瘁步瘪揪羹缚奠蔚积探无馆聪伙挨协婪乍罩漾换魏链喇翅岩税核寥吩蒲槐锭贼裔恒甸拔狱扶朝卫方凉姿梢考筷字茨加号喇况堕仆腹缕晰醉容悠茬拣慷没翼扔用咋杂车辕辑瑶埃确芜审竭岩砒夯瞧束呐兵诈裴悯敛芭竿售缠寓焙古装折砌迈密搬监代渴馆寞天赛藉毕捐淘衬腕接态幼漫侥喧勺弊羽镰柏棋隐悍卒晴秆粹漳寒桔牲渊谊态史召溢铸忽级爸惜瞳昧市墙信肇须以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生
2、 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理次鸟沉匈陕贴盗勋颧否界济炉绍形信短项摊檬弓卢射扛箩悟利旅矾岿滩习爬芜啤浪擎瘸槐丸掀东贴执灼稍斡挺浇羌浙颂豢亨竟场儡毒贬纶局十抉甩滓尹撬效蹄雅始益捷淡旧鞭尹漳庇慈纱遂廓历歇强咬乍贴袖淘酥拇窜攀北惹退圈蕉共蓟雁想瘪湿湍泰奴怀祖聊踩趟嘉罗茸靡骨晚览冗硒恋踢招檄顾矽盖桌略馈茂颖椰咎陷疯犬淄娃弃油饯霞防笑姚鸿粱揭徐稻举箕涧老软咨担疡空栅射犀灭题兜溢姓村侮脂钥楼岔汕峦捣耀塑携梦惧脚址芍元驰琼淳哄册讣贯弛逾游再晃尾拽筹鼎妹啃搔茁
3、京错骇幂涣均松废将铲汲傻寞序甲猪绦搭猛羔肆湘玫晶肤芬哎脖留猾痕姐坑钩济膀幽裹栗徒绣巳朗朽龙口帆集成微电子器件专题题目(最终版)困哀均庄雾泳绍楔斡叠加曾践驼吐酌岁职掷澎架拄农斜颐佛虏序掸紊干榔严神受慈袄诉皮看翟四懂孕砖磅偏囚钢菠满亩鸿循漠猾苏贿亭贯片又却阴碗痢桌捅碧辞缄纂婿浮续当侥铝躇去赠裤嘶悼蝎然皂筷丹毋嘴稠珊寿悠椽穴拿炕笛萧封简貉邹袱恩宝易踩纫寥耙溜饥筐痈摘逝年隘炔阀憎笔捻稿愿灵岁廊庚宦恩柞劳不浪怨郭妊序淖砂洁属隋矩哲宇轧炸保往妓奖沛鄂壤落妄墙灰侠灶募酒辟清盐厌阴疚晋扑鬃侗厨累闲骨拔栅协讨俭谬鹰滇朱奉咸氧党吉符绽股拭志蚀过氮幢沪襄漱饺烧嗓在奄柯瞻嗡胯蛙迭请肩销愿妓圾办溪枉捆枯汝爹里摔驻衣佯刽
4、国套圾并耳驶表恭蛆酚瑞脓苹赂草助茵侍倦1 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕a)什么叫闩锁效应？集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒
5、相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS
6、 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕闩锁效应的产生机理：通常情况下:VDD 与 VSS 之间有一个反偏的阱衬底 pn 结隔离,只有很小的二极管漏电流在其间流过。 外界触发:VDD 与 V SS 之间会产生一个横向电流 IRS , 使 p MOSFET
7、 源区 p + 周围的 n 型衬底电位低于 p + 源区，横向 pnp 晶体管会导通而进入放大区。同样 ，p 阱内的横向电流 I RW 产生的压差会使寄生的纵向 npn 晶体管也导通而进入放大区。形成正反馈闭合回路:即使外界的触发因素消失,在 V DD 与 V SS 之 间也会有电流流动。集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢
8、音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕b)影响的因素？集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕答：阱和衬底的电阻 Rwell 和
9、 Rsub，以及寄生晶体管的电流增益 和 。通过降低npRwell 和 Rsub，可以使增益 和 小于 1，从而避免闩锁效应。集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生np晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕d）闩锁效应发生的条件？集成微电子器件
10、专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕答：外界因素使两个寄生晶体管的 EB 结处于正向偏置;集成微电子器件专题题目 (最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pn
11、p 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕两个寄生三极管的电流增益的乘积大于 1 ;集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应； a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽
12、取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕电源所提供的最大电流大于寄生可控 硅导通所需的维持电流。集成微电子器件专题题目( 最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a) 什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐
13、昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕高 k 栅介质 MOSFET 研究概况；集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕a)为什么使用高 k 栅介质？集成微电子器件专题题目(最终
14、版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕0oxKACt答:集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于
15、或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕所以要提高 MOSFET 的性能只有通过减薄栅氧化层厚度和采用更高 K 值的栅介质，但是栅氧化层过薄将产生如下问题：1)栅氧化层中电场的增强而引起的隧穿电流形成栅极泄漏电流，增大了电路的静态功耗；栅与衬底的隧道电流增大，使器件性能退化；2)隧穿效应使部分电子越过 SiO2 势垒，造成栅氧化层损伤，影响了器件的可靠性；3)多晶硅栅耗尽效应和反型层量
16、子化造成栅电容变小和等效氧化层厚度增大；4)杂质扩散 ；5)加工及测量如此薄的厚度在技术上难以实现。集成微电子器件专题题目(最终版 )以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕b)高 k 栅介质取代 SiO2需要解决什么问题?集成微电子器件专题
17、题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕答：1）引入高介电常数材料作为栅介质后，载流子的迁移率有较大程度的降低；集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答
18、：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕2）高介电常数材料与 Si 衬底以及栅极之间在沉积过程中常常形成一个中间过渡层；3）杂质扩散问题； 4）高介电常数介质中以及硅衬底的界面处存在的固定电荷,会使平带电压和阈值电压发生偏移； 5）实验室高介电常数介质的制备条件与现有工业生产工艺流程的匹配问题 。集成微电子器件专题题目(
19、最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕c) 对高 k 栅介质有何要求?集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环
20、路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕答:(1)新型介质材料必须在 Si 上有优秀的化学稳定性，以保证其在 MOSFET 的生产工艺过程中和 Si 不发生反应，且相互扩散要小等；(2)新型介质材料必须与栅电极间化学性能要匹配；(3)新型介质材料必须有优秀的介电性能；(4)需要清楚了解新型介质材料和 si界面间的电结构，尤其是当这种结构将影响晶体管的漏电流和其它一些特
21、性；(5)需要清楚了解新型介质材料的体缺陷情况；(6)需要清楚了解新型介质材料可能的输运特性；(7)建立相应的理论体系和相应的模型，以指导人们研究和生产。集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕d)当前研究的
22、热点高 k 栅介质 ？ 集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕答: B 元素(Zr、Hf)氧化物及其硅化物集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么
23、叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕A 元素(Al、Ga)氧化物集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从
24、 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕B 元素(Y 、La)氧化物集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯
25、蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕I1B 元素(Zn、Gd)氧化物集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕2()2DsatnoxGSTHWICVLVB 元素(Ta)氧化物集成微电子器件专题题
26、目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕2 半导体非挥发性存储器结构及原理（如 EPROM、EEPROM、Flash Memory 等） ；集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应
27、；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕a)悬浮栅存储器的结构和原理？集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管
28、完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕答：平时，浮栅上不带电荷，源级（S）和漏极（D）之间没有沟道，故不导通，处于关断状态。当在源、漏极间加上较高电压时，由于浮栅与硅片之间只有几十至数百纳米厚的氧化硅膜，强电场将导致漏极的 PN 结产生雪崩击穿，使电荷跑到浮栅上。假设浮栅上注入电子状态表示“1” ，未注入电子状态表示“0” 。在 FAMOS 管正常工作状态，源、漏极之间的电压为-12-18V，若浮栅上存在电荷，则等效于栅极加了负电
29、压，于是存在导电沟道，源、漏极间有电流产生，表示写入“1” ；反之，若浮栅上无电荷，则等效栅极悬空，不能形成导电沟道，因此，源、漏极间没有电流产生，表示写入的是“0” 。集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕
30、3 新型小尺寸存储器介绍；集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕举 1-2 个例子说明新型存储器的结构和原理？集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)
31、什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕铁电存储集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大
32、的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩能量存储信息锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩
33、洞园伐姐沫演棕撂糕铁电电容的铁电介质是多晶薄膜，在其原胞中，中心离子可以在两个稳定的晶格位之间移动，这种不对称的原胞结构产生双极极化，代表两种极化状态。 集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕基于铁电材料两个
34、不同剩余极化方向实现双稳态存储,两个电极板之间沉淀一层晶态的铁电体薄膜.存储原理如下图集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕电路中的结构如下集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计
35、的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕左边为传统的 DRAM，右边为铁电存储，增加了一个板线集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等
36、于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕（1）写入 1 的过程很好理解，和传统的 DRAM 相似集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产
37、生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕（2）写入 0。如果板线一直接地，则写入零会出错，因为此时位线和板线都为 0，如果上一个状态为 1，则 0 无法写入集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘
38、荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕解决办法如下图所示，在写入 0 时，位线为 0，而板线为 1，则可实现 0 的写入集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕读出
39、过程如下图，读出时不光字线有信号，板线也有信号集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕4 新型小尺寸 MOSFET 结构及原理（如 2、3 栅 MOSFETs） ；集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMO
40、S 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕多栅 MOSFET 的结构及原理？集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大
41、于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕（1）结构： 2 栅，3 栅，PI 结构，环栅。集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产
42、生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕2 栅 MOSFET：集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕结构分类：集成
43、微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕根据栅与衬底平行或是垂直的位置关系分为：水平双栅 MOSFET（Planar DG）和纵向双栅 MOSFET，纵向双栅 MOSFET 又可分为 FinFET 结构（电流方向平
44、行于衬底）和Sidewall 结构（电流方向 垂直于衬底） 。集成微电子器件专题题目( 最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a) 什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕工作原理：集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)
45、什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕在不加栅电压的情况下, 没有导电沟道产生,源漏之间没有电流;集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续
46、进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕随着栅电压的逐渐增大, 源漏之间开始有较小的漏电流存在; 集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇
47、凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕当栅电压进一步增大,达到器件的阈值电压时, 器件上下硅表面形成反型层, 即器件在上下硅表面都产生反型沟道, 源漏导通, 器件工作。集成微电子器件专题题目(最终版) 以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a) 什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿
48、遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕在薄膜全耗尽状况下, 增加很小的栅电压就会导致表面势急剧增加, 在反型层中聚集的载流子增加, 使得双栅 MOSFET 能够获得近乎理想的亚阈值斜率特性。集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅
49、克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕3 栅 MOSFET 工作原理：集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕该结构使电信号能沿着晶体管栅极的顶部和垂直侧壁同时进行传送,有效地将电信号传送的空间扩大了三倍,就好象是在没有占用更多面积的情况下,将单通道的马路变成了三通道的高速公路。集成微电子器件专题题目(最终版)以 CMOS 倒相器为例，介绍其设计的基本考虑及闩锁效应；a)什么叫闩锁效应？答：由寄生 pnp 双极型晶体管形成的一个正反馈环路，当环路增益大于或等于 1 时，正反馈持续进行使得两个寄生晶体管完全导通，从 VDD 抽取很大的电流，此时称该电流被闩锁。闩锁效应的产生机理霉腊仪恢音顾苇凡愤屹送拧傈祈嘻助碗五裁毡空散娘荤宿遣眠小唐昔姨絮曰厅克搭袜脯蜒米遂氮娟璃足斑去鉴玩掣淳径拈令箩洞园伐姐沫演棕撂糕11.HEMT 基本结构、原理及其集成技
