电路常识性概念.pdf

1、电路常识性概念电路常识性概念电路常识性概念电路常识性概念（ （ （1 1） ）- -输入输入输入 输入、 、 、输出阻抗 输出阻抗输出阻抗输出阻抗 2008-05-27 22:44 1、 、输入阻抗 输入阻抗输入阻抗输入阻抗 输入阻抗是指一个电路输入端的等效阻抗。在输入端上加上一个电压源 U，测量输入端的电流 I，则输入阻抗 Rin=U/I。你可以把输入端想象成一个电阻的两端，这个电阻的阻值，就是输入阻抗。 输入阻抗跟一个普通的电抗元件没什么两样，它反映了对电流阻碍作用的大小。 对于 电压驱动 的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动，也不会对信号源有影响 ；而对于 电流

2、驱动型 的电路，输入阻抗越小，则对电流源的负载就越轻 。因此，我们可以这样认为：如果是用电压源来驱动的，则输入阻抗越大越好；如果是用电流源来驱动的，则阻抗越小越好 （注：只适合于低频电路，在高频电路中，还要考虑阻抗匹配问题。另外如果要获取最大输出功率时，也要考虑阻抗匹配问题。） 2、 、输出阻抗 输出阻抗输出阻抗输出阻抗 无论信号源或放大器还有电源，都有输出阻抗的问题。输出阻抗就是一个信号源的内阻。本来，对于一个理想的 电压源 （包括电源），内阻应该为 0 ，或理想 电流源 的阻抗应当为无穷大 。输出阻抗在电路设计最特别需要注意。 现实中的电压源，则做不到这一点。我们常用一个理想电压源串联一个

3、电阻r的方式来等效一个实际的电压源。这个跟理想电压源串联的电阻r，就是（信号源/放大器输出/电源）的内阻了。当这个电压源给负载供电时，就会有电流 I 从这个负载上流过，并在这个电阻上产生 Ir 的电压降。这将导致电源输出电压的下降，从而限制了最大输出功率 （关于为什么会限制最大输出功率，请看后面的“阻抗匹配”）。同样的，一个理想的电流源，输出阻抗应该是无穷大，但实际的电路是不可能的。 3、 、阻抗匹配 阻抗匹配阻抗匹配阻抗匹配 阻抗匹配是指信号源或者传输线 跟负载 之间的一种合适的搭配方式。 阻抗匹配分为低频和高频两种情况 讨论。 我们先从直流电压源驱动一个负载入手。由于实际的电压源，总是有内

4、阻的，我们可以把一个实际电压源，等效成一个理想的电压源跟一个电阻r 串联的模型。假设负载电阻为 R，电源电动势为 U，内阻为 r，那么我们可以计算出流过电阻 R 的电流为：I=U/(R+r)，可以看出，负载电阻 R 越小，则输出电流越大 。负载 R 上的电压为：Uo=IR=U/1+(r/R)，可以看出，负载电阻 R 越大，则输出电压 Uo 越高 。再来计算一下电阻 R 消耗的功率为： P=I2R=U/(R+r) 2R=U 2R/(R 2+2Rr+r 2) =U2R/(R-r) 2+4Rr =U2/ (R-r)2/R + 4r 对于一个给定的信号源，其内阻 r 是固定的，而负载电阻 R 则是由我

5、们来选择的。 注意式中 (R-r)2/R，当 R=r 时， (R-r)2/R可取得最小值 0，这时负载电阻 R 上可获得最大输出功率 Pmax=U 2/(4r) 。即，当负载电阻跟信号源内阻相等时，负载可获得最大输出功率，这就是我们常说的阻抗匹配之一 。 。 对于纯电阻电路，此结论同样适用于低频电路及高频电路。当交流电路中含有容性或感性阻抗时，结论有所改变（是对于最大输出功率而言的） ，就是需要信号源与负载阻抗的的实部相等，虚部互为相反数，这叫做共扼匹配 。在低频电路中，我们一般不考虑传输线的匹配问题，只考虑信号源跟负载之间的情况，因为低频信号的波长相对于传输线来说很长，传输线可以看成是“短线

6、”，反射可以不考虑（可以这么理解：因为线短，即使反射回来，跟原信号还是一样的）。 从以上分析我们可以得出结论：如果我们需要输出电流大，则选择小的负载 R；如果我们需要输出电压大，则选择大的负载 R；如果我们需要输出功率最大，则选择跟信号源内阻 匹配 的电阻 R。有时阻抗不匹配还有另外一层意思，例如一些仪器输出端是在特定的负载条件下设计的，如果负载条件改变了，则可能达不到原来的性能，这时我们也会叫做阻抗失配。 在高频电路中，我们还必须考虑反射的问题。当信号的频率很高时，则信号的波长就很短，当波长短得跟传输线长度可以比拟时，反射信号叠加在原信号上将会改变原信号的形状。如果传输线的特征阻抗跟负载阻抗

7、不相等（即不匹配）时，在负载端就会产生反射。为什么阻抗不匹配时会产生反射以及特征阻抗的求解方法，牵涉到二阶偏微分方程的求解，在这里我们不细说了，有兴趣的可参看电磁场与微波方面书籍中的传输线理论。传输线的特征阻抗（也叫做特性阻抗）是由传输线的结构以及材料决定的，而与传输线的长度，以及信号的幅度、频率等均无关。 例如，常用的闭路电视同轴电缆特性阻抗为 75，而一些射频设备上则常用特征阻抗为 50 的同轴电缆。另外还有一种常见的传输线是特性阻抗为 300 的扁平平行线，这在农村使用的电视天线架上比较常见，用来做八木天线的馈线。因为电视机的射频输入端输入阻抗为 75，所以 300 的馈线将与其不能匹配

8、。实际中是如何解决这个问题的呢？不知道大家有没有留意到，电视机的附件中，有一个 300 到 75 的阻抗转换器（一个塑料封装的，一端有一个圆形的插头的那个东东，大概有两个大拇指那么大）。它里面其实就是一个传输线变压器，将 300 的阻抗，变换成 75 的，这样就可以匹配起来了。这里需要强调一点的是，特性阻抗跟我们通常理解的电阻不是一个概念，它与传输线的长度无关，也不能通过使用欧姆表来测量。 为了不产生反射，负载阻抗跟传输线的特征阻抗应该相等，这就是传输线的阻抗匹配，如果阻抗不匹配会有什么不良后果呢？如果不匹配，则会形成反射，能量传递不过去，降低效率；会在传输线上形成驻波（简单的理解，就是有些地

9、方信号强，有些地方信号弱），导致传输线的有效功率容量降低；功率发射不出去，甚至会损坏发射设备。如果是电路板上的高速信号线与负载阻抗不匹配时，会产生震荡，辐射干扰等。 当阻抗不匹配时，有哪些办法让它匹配呢？第一，可以考虑使用变压器来做阻抗转换，就像上面所说的电视机中的那个例子那样。第二，可以考虑使用串联/并联电容或电感的办法，这在调试射频电路时常使用。第三，可以考虑使用串联/并联电阻的办法。一些驱动器的阻抗比较低，可以串联一个合适的电阻来跟传输线匹配，例如高速信号线，有时会串联一个几十欧的电阻。而一些接收器的输入阻抗则比较高，可以使用并联电阻的方法，来跟传输线匹配，例如，485 总线接收器，常在

10、数据线终端并联 120 欧的匹配电阻。 为了帮助大家理解阻抗不匹配时的反射问题，我来举两个例子：假设你在练习拳击打沙包。如果是一个重量合适的、硬度合适的沙包，你打上去会感觉很舒服。但是，如果哪一天我把沙包做了手脚，例如，里面换成了铁沙，你还是用以前的力打上去，你的手可能就会受不了了这就是负载过重的情况，会产生很大的反弹力。相反，如果我把里面换成了很轻很轻的东西，你一出拳，则可能会扑空，手也可能会受不了这就是负载过轻的情况。另一个例子，不知道大家有没有过这样的经历：就是看不清楼梯时上/下楼梯，当你以为还有楼梯时，就会出现“负载不匹配”这样的感觉了。当然，也许这样的例子不太恰当，但我们可以拿它来理

11、解负载不匹配时的反射情况。 + Q：什么是电流控制器件？ A：如果这个器件的输出参数大小和输入的电流参数大小有关，就叫该器件是“电流控制器件”，简称“流控器件”。 “电流控制器件”输入的是电流信号，是低阻抗输入，需要较大的驱动功率。例如：双极型晶体管(BJT)是电流控制器件、TTL 电路是电流控制器件 。 Q：什么是电压控制器件？ S：如果这个器件的输出参数大小和输入的电压参数大小有关，就叫该器件是“电压控制器件”，简称“压控器件”。 “电压控制器件”输入的是电压信号，是高阻抗输入，只需要较小的驱动功率；例如：场效应晶体管(FET)是电压控制器件、MOS 电路是电压控制器件。 Q：为什么 BJ

12、T 是电流控制器件而 FET 和 MOS 是电压控制器件？ S：BJT 是通过基极电流 基极电流基极电流基极电流 来控制集电极电流而达到放大作用的；而 FET&MOS 是靠控制栅极电压 栅极电压栅极电压栅极电压 来改变源漏电流，所以说 BJT 是电流控制器件，而 FET 和 MOS 是电压控制器件。 电路常识性概念电路常识性概念电路常识性概念电路常识性概念（ （ （2 2） ）- -电容电容电容 电容 2008-05-27 22:59 所谓电容，就是容纳和释放电荷的电子元器件。 电容的基本工作原理就是充电放电，当然还有整流、振荡以及其它的作用。 另外电容的结构非常简单，主要由两块正负电极和夹在

13、中间的绝缘介质组成。 作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种： 1、 、应用于电源电路 应用于电源电路应用于电源电路应用于电源电路， ， ，实现旁路 实现旁路实现旁路实现旁路、 、 、去藕 去藕去藕 去藕、 、 、滤波和储能的作用 滤波和储能的作用滤波和储能的作用滤波和储能的作用 1）旁路 旁路旁路 旁路 旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件 ，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电

14、流毛刺时的电压降。 2）去藕 去藕去藕 去藕 去藕，又称解藕。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一

15、条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是 0.1u，0.01u 等，而去耦合电容一般比较大，是 10uF 或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。 总的来说旁路是把 输入信号 中的干扰作为滤除对象，而去耦是把 输出信号 的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别 。 3）滤波 滤波滤波 滤波 从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过 1uF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频

16、。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频 。电容越大低频越容易通过，电容越小高频越容易通过。具体用在滤波中 ,大电容 (1000uF)滤低频，小电容 (20pF)滤高频。 由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。 在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的电解电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压。在实际中，为了防止电路各部分供电电压因负载

17、变化而产生变化，所以在电源的输出端及负载的电源输入端一般接有数十至数百微法的电解电容由于大容量的电解电容一般具有一定的电感，对高频及脉冲干扰信号不能有效地滤除，故在其两端并联了一只容量为 0.001-0.lpF 的电容，以滤除高频及脉冲干扰 4）储能 储能储能 储能 储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为 40 450VDC、电容值在 220 150 000uF 之间的铝电解电容器（如 EPCOS 公司的 B43504 或 B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过 10KW 的电

18、源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。 2、 、应用于信号电路 应用于信号电路应用于信号电路应用于信号电路， ， ，主要完成耦合 主要完成耦合主要完成耦合主要完成耦合、 、 、振荡 振荡振荡 振荡 /同同同 同步及时间常数的作用 步及时间常数的作用步及时间常数的作用步及时间常数的作用： ： ： 1）去耦 去耦去耦 去耦 举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合 ，这个电阻就是产生了耦合的元件，如果在这个电阻两端 并联 一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗 ,这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容

19、 。 2）振荡 振荡振荡 振荡 /同步同步同步 同步 包括 RC、 LC 振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。 3）时间常数 时间常数时间常数时间常数 这就是常见的 R、 C 串联构成的积分电路 。当输入信号电压加在输入端时，电容（ C）上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（ R）、电容（ C）的特性通过下面的公式描述： i = (V/R)e-(t/CR) 最后说下电解电容的使用注意事项最后说下电解电容的使用注意事项最后说下电解电容的使用注意事项最后说下电解电容的使用注意事项： ： ： 1、电解电容由于有正负极性，因此在电路中使用时不能颠倒联接。在电源电路中，输

20、出正电压时电解电容的正极接电源输出端，负极接地，输出负电压时则负极接输出端，正极接地当电源电路中的滤波电容极性接反时，因电容的滤波作用大大降低，一方面引起电源输出电压波动，另一方面又因反向通电使此时相当于一个电阻的电解电容发热当反向电压超过某值时，电容的反向漏电电阻将变得很小，这样通电工作不久，即可使电容因过热而炸裂损坏 2加在电解电容两端的电压不能超过其允许工作电压，在设计实际电路时应根据具体情况留有一定的余量，在设计稳压电源的滤波电容时，如果交流电源电压为 220时变压器次级的整流电压可达 22V，此时选择耐压为 25V 的电解电容一般可以满足要求但是，假如交流电源电压波动很大且有可能上升

21、到 250V以上时，最好选择耐压 30V 以上的电解电容。 3，电解电容在电路中不应靠近大功率发热元件，以防因受热而使电解液加速干涸 4、对于有正负极性的信号的滤波，可采取两个电解电容同极性串联的方法，当作一个无极性的电容. + 关于滤波电容关于滤波电容关于滤波电容关于滤波电容、 、 、去耦电容 去耦电容去耦电容去耦电容、 、 、旁路电容作用 旁路电容作用旁路电容作用旁路电容作用 滤波电容 用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 去耦电容 用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。 旁路电容 用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。 1.关于

22、去耦电容蓄能作用的理解关于去耦电容蓄能作用的理解关于去耦电容蓄能作用的理解关于去耦电容蓄能作用的理解 1）去耦电容主要是去除高频如 RF 信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。 而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。 你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水， 这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了， 等水过来，我们已经渴的不行了。 实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个 buffer 的作用。 如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高， 而器件 VCC 到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下， 阻抗 Z

23、i*wL+R，线路的电感影响也会非常大， 会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。 而去耦电容可以弥补此不足。 这也是为什么很多电路板在高频器件 VCC 管脚处放置小电容的原因之一 （在 vcc 引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。） 2）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供 一 个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地 2.旁路电容和去耦电容的区别旁路电容和去耦电容的区别旁路电容和去耦电容的区别旁路电容和去耦电容的区别 去耦 ：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的 RF 能量。去耦电容还

24、可以为器件提供局部化的 DC 电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。 旁路 ：从元件或电缆中转移出不想要的共模 RF 能量。这主要是通过产生 AC 旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。 我们经常可以看到，在 电源和地之间 连接着 去耦电容 ，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。 在电子电路中，去耦电容 和旁路电容 都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了 。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪

25、声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除 ，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象 。 + 大电容并联小电容作用及应用原理大电容并联小电容作用及应用原理大电容并联小电容作用及应用原理大电容并联小电容作用及应用原理 大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作，这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称 ESL）。 电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了 ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板

26、电容的结构，这样小容量电容就有很小 ESL 这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。 所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。 常使用的小电容为 0.1uF 的瓷片电容，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几 pF，几百 pF 的。而在数字 电路 中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个 0.1uF 的电容到地（这个电容叫做退耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以了。 电路常识性概念电路常识性概念电路常识性概念电路常识性概念（ （ （

27、3 3） ）- -TTL 与与与 与 CMOSCMOS 集成电路集成电路集成电路集成电路 2008-05-27 23:11 目前应用最广泛的数字电路是 TTL 电路和 CMOS 电路。 1、TTL 电路 TTL 电路电路电路 电路以双极型晶体管为开关元件，所以又称双极型集成电路 双极型集成电路双极型集成电路双极型集成电路 。双极型数字集成电路是利用电子和空穴两种不同极性的载流子进行电传导的器件。 它具有速度高 速度高速度高速度高（ （ （开关速度快 开关速度快开关速度快开关速度快） ） ） 、驱动能力强 驱动能力强驱动能力强驱动能力强 等优点，但其功耗较大 功耗较大功耗较大功耗较大， ， ，集

28、成度 集成度集成度集成度相对较低相对较低相对较低相对较低。 根据应用领域的不同，它分为 54 系列和 74 系列，前者为军品，一般工业设备和消费类电子产品多用后者。 74 系列数字集成电路是国际上通用的标准电路。其品种分为六大类： 74（标准）、 74S（肖特基）、 74LS（低功耗肖特基）、 74AS（先进肖特基）、 74ALS（先进低功耗肖特基）、 74F（高速）、其逻辑功能完全相同。 2、 CMOS电路 MOS 电路电路电路 电路又称场效应集成电路 ，属于单极型数字集成电路 单极型数字集成电路单极型数字集成电路单极型数字集成电路 。单极型数字集成电路中只利用一种极性的载流子（电子或空穴）

29、进行电传导。 它的主要优点是输入阻抗高 输入阻抗高输入阻抗高输入阻抗高、功耗低 功耗低功耗低功耗低、抗干扰能力强 抗干扰能力强抗干扰能力强抗干扰能力强且适合大规模集成 适合大规模集成适合大规模集成适合大规模集成 。特别是其主导产品 CMOS 集成电路有着特殊的优点，如静态功耗几乎为零，输出逻辑电平可为 VDD 或 VSS，上升和下降时间处于同数量级等，因而 CMOS 集成电路产品已成为集成电路的主流之一 。 其品种包括 4000 系列的 CMOS 电路以及 74 系列的高速 CMOS 电路 。其中74 系列的高速 CMOS 电路又分为三大类： HC 为 CMOS 工作电平； HCT 为 TTL

30、工作电平（它可与 74LS 系列互换使用）； HCU 适用于无缓冲级的 CMOS 电路 。74 系列高速 CMOS 电路的逻辑功能和引脚排列与相应的 74LS 系列的品种相同，工作速度也相当高，功耗大为降低。 74 系列可以说是我们平时接触的最多的芯片，74 系列中分为很多种，而我们平时用得最多的应该是以下几种：74LS，74HC，74HCT 这三种 输入电平 输出电平 74LS TTL 电平 TTL 电平 74HC COMS 电平 COMS 电平 74HCT TTL 电平 COMS 电平 另外，随着推出 BiCMOS 集成电路，它综合了双极和 MOS 集成电路的优点，普通双极型门电路的长处正

31、在逐渐消失，一些曾经占主导地位的 TTL 系列产品正在逐渐退出市场。 CMOS 门电路不断改进工艺，正朝着高速、低耗、大驱动能力、低电源电压的方向发展。 BiCMOS 集成电路的输入门电路采用 CMOS 工艺，其输出端采用双极型推拉式输出方式，既具有 CMOS 的优势，又具有双极型的长处，已成为集成门电路的新宠。 3、 CMOS集成电路的性能及特点 功耗低功耗低功耗低功耗低 CMOS 集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零 。实际上，由于存在漏电流，CMOS 电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20

32、mW，动态功耗（在 1MHz 工作频率时）也仅为几 mW。 工作电压范围宽工作电压范围宽工作电压范围宽工作电压范围宽 CMOS 集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。国产 CC4000系列的集成电路，可在 318V 电压下正常工作。 逻辑摆幅大逻辑摆幅大逻辑摆幅大逻辑摆幅大 CMOS 集成电路的 逻辑 高电平“1“、 逻辑 低电平“0“分别接近于 电源 高电位 VDD及电源低电位 VSS。当 VDD=15V，VSS=0V 时，输出逻辑摆幅近似 15V。因此，CMOS集成电路的电压利用系数在各类集成电路中指标是较高的。 抗干扰能力强抗干扰能力强抗干扰能力强抗干扰能力强 CMOS 集成

33、电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的 45%，保证值为电源电压的 30%。 随着电源电压的增加，噪声容限电压的绝对值将成比例增加。对于 VDD=15V的供电电压（当 VSS=0V 时），电路将有 7V 左右的噪声容限。 输入阻抗高输入阻抗高输入阻抗高输入阻抗高 CMOS 集成电路的输入端一般都是由保护二极管和串联电阻构成的保护网络，故比一般场效应管的输入电阻稍小，但在正常工作电压范围内，这些保护二极管均处于反向偏置状态，直流输入阻抗取决于这些二极管的泄露电流，通常情况下，等效输入阻抗高达 10 31011，因此 CMOS 集成电路几乎不消耗驱动电路的功率。 温度稳定性能好温度稳定性能好温度稳

34、定性能好温度稳定性能好 由于 CMOS 集成电路的功耗很低，内部发热量少，而且，CMOS 电路线路结构和电气参数都具有对称性，在温度环境发生变化时，某些参数能起到自动补偿作用，因而 CMOS 集成电路的温度特性非常好。一般陶瓷金属封装的电路，工作温度为-55 +125；塑料封装的电路工作温度范围为-45 +85。 扇出能力强扇出能力强扇出能力强扇出能力强 扇出能力是用电路输出端所能带动的输入端数来表示的。由于 CMOS 集成电路的输入阻抗极高，因此电路的输出能力受输入电容的限制，但是，当 CMOS 集成电路用来驱动同类型，如不考虑速度，一般可以驱动 50 个以上的输入端 。 抗辐射能力强抗辐射

35、能力强抗辐射能力强抗辐射能力强 CMOS 集成电路中的基本器件是 MOS 晶体管，属于多数载流子导电器件。各种射线、辐射对其导电性能的影响都有限，因而特别适用于制作航天及核实验设备。 可控性好可控性好可控性好可控性好 CMOS 集成电路输出波形的上升和下降时间可以控制，其输出的上升和下降时间的典型值为电路传输延迟时间的 125%140%。 接口方便接口方便接口方便接口方便 因为 CMOS 集成电路的输入阻抗高和输出摆幅大，所以易于被其他电路所驱动，也容易驱动其他类型的电路或器件。 + TTLTransistor-Transistor Logic 三极管三极管三极管三极管 三极管逻辑 三极管逻辑

36、三极管逻辑三极管逻辑 MOSMetal-Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体晶体管金属氧化物半导体晶体管金属氧化物半导体晶体管金属氧化物半导体晶体管 CMOSComplementary Metal-Oxide Semiconductor 互补型金属氧化物半导体互补型金属氧化物半导体互补型金属氧化物半导体互补型金属氧化物半导体晶体管晶体管晶体管晶体管 + Q： ：为什么 为什么为什么为什么 BJT BJT 比比比 比 CMOSCMOS 速度要快速度要快速度要快速度要快? ? A： ：很多人只知道 BJT比 CMOS 快，但不知道为什么。 主要是受迁移率的影响。以 NPN 管和

37、 NMOS 为例，BJT 中的迁移率是体迁移率，大约为 1350cm2/vs。NMOS 中是半导体表面迁移率，大约在400-600cm2/vs。所以 BJT 的跨导要高于 MOS 的，速度快于 MOS。这也是 NPN（ MOS）比 PNP（PMOS）快的原因。 NPN 比 PNP 快也是因为载流子迁移率不同，NPN 中的基区少子是电子，迁移率大（1350 左右）；PNP 的基区少子是空穴（480 左右）。所以同样的结构和尺寸的管子，NPN 比 PNP 快。所以在双极工艺中，是以作 NPN 管为主，PNP 都是在兼容的基础上做出来的。MOS 工艺都是以 N 阱 PSUB 工艺为主，这种工艺可做寄

38、生的 PNP 管，要做 NPN 管就要是 P 阱 NSUB 工艺。 BJT 是之所以叫 bipolar，是因为基区中既存在空穴又存在电子，是两种载流子参与导电的；而 MOS 器件的反形层中只有一种载流子参与导电。 但并不是因为两种载流子导电总的迁移率就大了。而且情况可能恰恰相反。因为载流子的迁移率是与温度和掺杂浓度有关的。半导体的掺杂浓度越高，迁移率越小。而在 BJT 中，少子的迁移率起主要作用。 NPN 管比 PNP 管快的原因是 NPN 的基子少子是电子，PNP 的是空穴，电子的迁移率比空穴大。NMOS 比 PMOS 快也是这个原因。 而 NPN 比 NMOS 快的原因是 NPN 是体器件

39、，其载流子的迁移率是半导体内的迁移率；NMOS 是表面器件，其载流子的迁移率是表面迁移率（因为反形层是在栅氧下的表面形成的）。而半导体的体迁移率大于表面迁移率。 电路常识性概念电路常识性概念电路常识性概念电路常识性概念（ （ （4 4） ）- -TTL 与与与 与 CMOSCMOS 电平电平电平 电平 / OC / OC 门门门 门 2008-05-27 23:35 一一一 一 TTLTTL TTL 集成电路的主要型式为晶体管晶体管逻辑门（transistor-transistor logic gate），TTL 大部分都采用 5V 电源 。 1.输出高电平 Uoh 和输出低电平 Uol Uo

40、h2.4V,Uol0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih2.0V，Uil0.8V 二二二 二 CMOSCMOS CMOS 电路是电压控制器件，输入电阻极大 输入电阻极大输入电阻极大输入电阻极大， ， ，对于干扰信号十分敏 对于干扰信号十分敏对于干扰信号十分敏对于干扰信号十分敏感感感 感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上 。CMOS 电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。 1.输出高电平 Uoh 和输出低电平 Uol UohVCC，UolGND 2.输入高电平 Uoh 和输入低电平 Uol Uih0.7VCC,Uil0.2VCC （VCC 为电源电压，GND 为地） 从上面可以

41、看出: 在同样 5V 电源电压情况下，COMS 电路可以直接驱动 TTL，因为CMOS 的输出高电平大于 2.0V,输出低电平小于 0.8V；而 TTL 电路则不能直接驱动 CMOS 电路，TTL 的输出高电平为大于 2.4V，如果落在 2.4V3.5V 之间，则CMOS 电路就不能检测到高电平，低电平小于 0.4V 满足要求，所以在 TTL 电路驱动 COMS 电路时需要加上拉电阻 上拉电阻上拉电阻上拉电阻 。如果出现不同电压电源的情况，也可以通过上面的方法进行判断。 如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5V CMOS电路的情况 ，如 3.3V 单片机去驱动 74HC ,这种情况有以下

42、几种方法解决，最简单的就是直接将 74HC 换成 74HCT（74 系列的输入输出在下面有介绍）的芯片，因为 因为因为 因为 3.3V CMOS 可以直接驱动可以直接驱动可以直接驱动可以直接驱动 5V 5V 的的的 的 TTLTTL 电路电路电路 电路 ；或者加电压转换芯片；还有就是把单片机的 I/O口设为开漏，然后加上拉电阻到 5V，这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小，以保证信号的上升沿时间。 三三三 三 7474 系列简介系列简介系列简介系列简介 74 系列可以说是我们平时接触的最多的芯片，74 系列中分为很多种，而我们平时用得最多的应该是以下几种：74LS，74HC，74HCT 这三

43、种 ，这三种系列在电平方面的区别如下： 输入电平 输出电平 74LS TTL 电平 TTL 电平 74HC COMS 电平 COMS 电平 74HCT TTL 电平 COMS 电平 + TTL 和和和 和 CMOSCMOS 电平电平电平 电平 1、TTL 电平(什么是 TTL 电平)： 输出高电平2.4V,输出低电平=2.0V，输入低电平cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。 4、OC 门，即集电极开路门电路 ，OD 门，即漏极开路门电路 ，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所

44、以又叫做驱动门电路。 5、TTL 和 COMS 电路比较： 1）TTL 电路是 电流控制 器件，而 CMOS 电路是 电压控制 器件。 2）TTL 电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS 电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。 3）COMS 电路的锁定效应： COMS 电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应 锁定效应锁定效应锁定效应。当产生锁定效应时，COMS 的内部电流能达到 40mA 以上，很容易烧毁芯片

45、。 防御措施 ： 1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压 。 2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止 VDD 端出现瞬间的高压 。 3）在VDD 和外电源之间加限流电阻 ，即使有大的电流也不让它进去。 4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启 COMS 路得电 源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS 电路的电源。 6、 、COMSCOMS 电路的使用注意事项电路的使用注意事项电路的使用注意事项电路的使用注意事项 1）COMS 电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强 。所以， 不用

46、的管脚不要悬空 ，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。 2）输入端接低内阻的信号源时，要在输入端和信号源之间要 串联限流电阻 ，使输入的电流限制在 1mA 之内。 3）当接长信号传输线时，在 COMS 电路端接匹配电阻 。 4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为 R=V0/1mA.V0 是外界电容上的电压。 5） COMS 的输入电流超过 1mA，就有可能烧坏 COMS 。 7、 、TTLTTL 门电路中输入端负载特性门电路中输入端负载特性门电路中输入端负载特性门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）： 1）悬空时相当于输入端接高电平 。因为这时

47、可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 2）在门电路输入端串联 10K 电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由 TTL 门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于 910 欧 时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS 门电路就不用考虑这些了。 8、 TTL 电路电路电路 电路 有集电极开路 OC 门门门 门 ， MOS 管 也有和集电极对应的漏极开路的 OD 门 ，它的输出就叫做开漏输出 开漏输出开漏输出开漏输出 。OC 门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三

48、极管截止的时候，它的基极电流约等于 0，但是并不是真正的为 0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的 0，而是约 0。而这个就是 漏电流漏电流漏电流漏电流 。 开漏输出：OC 门的输出就是开漏输出；OD 门的输出也是开漏输出 。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流 。所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用 。OD 门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。 9、什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？ TTL 集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做 OC 门。因为 TTL 就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式输出，高电平 400UA，低电平 8MA +