1、PECVD石墨舟饱和作用简述,石墨舟饱和作用简述,PECVD氮化硅膜均匀沉积的条件 条件是“石墨舟内壁及硅片表面沉积速率一致”，而决定该速率的主要有温度、电场、gas以及石墨舟内壁的表面状态这四大条件。,石墨舟饱和作用简述,石墨舟内壁表面状态一致的条件 石墨舟内壁覆盖一层氮化硅膜：饱和工艺的作用就是在石墨舟内壁上沉积一层氮化硅膜，从而使得内壁各处均呈氮化硅状态，这样会使石墨舟内部各处的氮化硅沉积速率趋于一致； 石墨舟内壁平坦度一致： 平坦度不同会使电场分布不均匀，理论上会使镀膜不均匀； 平坦度不同会引起内壁表面积变化，会引起饱和程度不够的现象。,石墨舟饱和作用简述,石墨舟整个使用周期镀膜均匀性
2、的变化 石墨舟使用前期：由于舟的饱和程度不够易引起色差； 石墨舟使用中期：舟的饱和程度足够且内壁上沉积的氮化硅膜不是很厚，使得镀膜的均匀性表现良好； 石墨舟使用后期：由于内壁上沉积的氮化硅膜很厚，会导致以下两个现象： 局部氮化硅膜的脱落：引起舟的表面状态发生变化； 氮化硅膜很厚会引起舟的导热性能发生变化，局部过厚会引起色差片的产生。,石墨舟饱和作用简述,石墨舟不同饱和方式的差异 饱和时使用假片 -饱和充分： 生产成本高； 饱和环境和实际镀膜环境相同：硅片的存在会形成更大面积的电场，产生更多等离子体，石墨舟内壁上沉积的氮化硅膜更充分。 饱和时不使用假片-饱和不够充分： 生产成本低； 饱和程度不充分，前期镀膜均匀性较差，色差片较多。,Thanks,
