1、1硅外延层晶体完整性检验方法 - 编制说明一、 工作简况1、 立项目的和意义GB/T 14142-1993 发布实施距今已有 20 年，随着技术的进步，现有标准中的条款很多已不能满足应用。二十年来，随着环保压力的不断加大，国家对环保提出了越来越高的要求，原有腐蚀溶液中的所含铬酸为六价铬，属于国家一类污染源，对环境有持久危害性，急需寻找替代物。本次增加的无铬溶液配置，可实现硅外延片晶体完整性的检验，减少对环境的危害。2、 任务来源根据国标委关于召开200mm 外延片等 22 项半导体材料工作会议的通知 （半材标委201513 号（计划编号 20151790-T-469） ，由南京国盛电子有限公司
2、负责修订硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 （20151790-T-469）国家标准。计划要求 2015 年 9 月 20 日前完成标准草案。2016 年 7 月前对标准进行预审，2016 年 8 月完成标准审定。 3、 项目承担单位概况南京国盛电子有限公司成立于 2003 年，前身是中国电子科技集团公司第五十五研究所电子材料产品部,是国内最早实现硅外延批量生产的专业企业。公司建设了世界一流的外延研发平台及产业化基地,能适应客户不同外延参数需要，产品覆盖了 4 英寸到 8 英寸的各类型外延片；公司拥有自主研发的批生产技术和十余项硅外延相关产品及工艺的发明专利，先后承担了多项国家、省市等科技专项
3、研制任务；公司拥有丰富的测试分析手段，为行业内多家提供各种检查服务。国盛公司主要负责本次标准的编写。4、 主要工作过程2015 年 5 月，南京国盛电子有限公司接到硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法国家标准正式下达计划后，开始在公司内部组建成立标准编制组。编制组详细讨论并认真填写了标准制订项目落实任务书。编制组广泛调研收集整理了国内外与本标准项目相关的标准、论文、专著等文献资料，结合目前硅外延层晶体完整性检验方法、腐蚀法的情况，于 2015年 9 月完成了标准工作组讨论稿。2015 年 9 月，由全国半导体材料标准化分技术委员会组织，在湖南省省长沙市召开硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法国家标
4、准第一次工作会议（讨论会） ，与会专家对标准的讨论稿进行了认真、热烈的讨论，对该标准的技术要点和内容进行了充分的讨论，并提出了相应修改意见。根据长沙会议的要求，2编制组对讨论稿进行了修改及相关内容的补充和完善，于 2016 年 2 月底形成了征求意见稿。2016 年 3 月，编制组将征求意见稿发函中国有色金属工业标准计量质量研究所、有研新材料股份有限责任公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体有限公司、中国计量科学研究院等 9 家相关单位征求意见。根据行业内征求的意见，编制组对征求意见稿进行修改，形成了预审稿。5、 标准主要起草人及起草工作本标准由马林宝、骆红、
5、杨帆、葛华、刘小青等组成标准编制组。起草人均从事硅外延行业多年，有丰厚的产品生产经验。起草人的工作包括收集和整理相关文献资料，制备不同规格的样品，标准和相关文件的撰写等。以下是本标准起草人的简介：姓名 单位 职称/职务马林宝 南京国盛电子有限工作 高级工程师/总工骆红 南京国盛电子有限工作 高级工程师/技术部部长、副总工杨帆 南京国盛电子有限工作 高级工程师/副总葛华 南京国盛电子有限工作 工程师/主管刘小青 南京国盛电子有限工作 工程师/主管二、 标准编制原则和确定标准主要内容的论据1、 编制原则本标准起草单位自接受起草任务后，成立了标准编制组负责收集生产统计、检验数据、市场需求及客户要求等
6、信息，初步确定了硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法标准起草所遵循的基本原则和编制依据：1) 查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求；2) 根据国内硅外延片生产企业的具体情况，力求做到标准的合理性和实用性；3) 根据现有批量生产常规规格数据；4) 按照 GB/T 1.1 和有色加工产品标准和国家标准编写示例的要求进行格式和结构编写。2、 确定标准主要内容的论据本次标准修订主要从以下几个方面对内容进行了修订：1) 按照现行行业标准的编制要求，对引用标准进行了补充完善，增加引用了一个国家标准，并增加了“术语” 、 “规范性引用文件”等章节； 32) 统一了化学品、溶液配比公式的描述；3) 增加了薄层
7、腐蚀液对应的外延厚度要求；4) 本次标准修订主要增加了无铬腐蚀液的配制与选用及操作过程；3、 主要试验或验证的分析通过多次试验取得了腐蚀效果良好的无铬腐蚀溶液配比，显微镜下观察、拍摄到的腐蚀图形与有铬腐蚀溶液一致。20131022 无 铬 与 含 铬 腐 蚀 液 对 比 -P型 .ppt三、 标准水平分析本标准参考国外已有相关配比溶液的 ASTM 标准，结合国内对 GB/T 14142-1993 标准的使用和实验情况，通过对本标准修订过程的各项试验，取得腐蚀效果良好的无铬腐蚀溶液配方，与国内同类标准相比，新的标准达到国内先进水平。本标准参考了 GB/T 14264 半导体材料术语。四、 与我国
8、有关的现行法律、法规和相关强制性标准的关系。本标准与国家现行法律、法规和相关强制性标准不存在相违背和抵触的地方。五、 重大分歧意见的处理经过和依据。无六、 标准作为强制性标准或推荐性标准的建议建议本标准作为推荐性国家标准发布实施。七、 代替或废止现行有关标准的建议本标准审定后可替代现行 GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法八、 其他需要说明的事项本标准根据目前国内硅外延层晶体完整性检验方法在实际生产中的应用现状制定，考虑随着新材料的开发使用和生产装备的更新，如果以后生产或订货合同中对产品的性能指标有其它具体需求，可在下一版中进行补充修订。九、 预期效果本标准规定的腐蚀法技术成熟，申报单位在实际生产中利用本标准规定的方法取得了完整的缺陷腐蚀图形，试验验证重复性良好。本标准的制定和推广，有利于减少对环境的危害，有利于提高和规范行业的发展，对国内相关硅外延缺陷腐蚀检验的进步具有促进作用。
