1、MOSFET与IGBT组合器件在高频开关电源中的应用及仿真j, +(湖南大学电气与信息学院, 湖南长沙410006)K1: 介绍了MOSFET 和IGBT 的工作原理和特性, 分析了它们的组合(并联) 应用效果, 并将之运用于DC- DC全桥变换器中; 介绍了一款仿真软件Simplorer, 通过它来进行仿真研究, 并对仿真结果进行分析。1oM: 高频开关电源; DC- DC变换器; Simplorerms |: TM44DS M : AcI|: 1008-0198(2006)01-0008-03l : 2005-11-24Application and simulation of MOSFE
2、Tand IGBT combineddevicein high-frequencySMPSPENG Gang-yi, WU Jun-chang(Hunan University, Changsha 410006, China)Abstract: This paper introduces the work principle and characteristics of MOSFET and IGBT, analyzes the effect oftheir parallel connection, and uses the combined device in DC-DC full-brid
3、ge converter. A simulation soft namedSimplorer is used for simulation study and the simulation result is analyzed.Keywords: high frequency SMPS; DC-DC converter; Simplore1 -* 71 8 q185r85(MOSFET)b85YE, l,/ , al q71 Pbr85 71 y, ze, “ - X 71q, 71 , T2T 3u 7; 2 71T 2T 3, T 1T 4u7b“M HYV IM ,YVH2=5M_ ,Y
4、VR, L, C M b图3 DC- DC全桥变换器主电路图y B TM B 7 71 (, V BY 71 ( ( , 71 sKl 71 ; ,;.C 71 L/ qMr.:0 X. F qJr./ , 2000 (2), 38j41.q2rT, ,.M r B %ZEqJr. iv(1 S), 2005 (3), 22j25.q3rB *,yS. ! L %ZE)qJr./ , 2004 (16), 60j63.q4r , ,F. 7Z _# ypqJr, !, 2004 (5), 48j51.q5r , ;S, X .u ! 5v5 OqJr./ , 2003 (6), 64j67.Te:dD(1969-), 3,p V,) =,1V Y “d ea/ T;f5(1978-), 3, V, =,1V Y “d L q 7?T;Z(1972-), 3, =,1V Y “d eZT;o(1973-), 3, =,1V Y “d5 Z Tbc10c研究与试验 2 第26卷/2006年第1期
