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免调中频VCO的实现.doc

上传人:kpmy5893 文档编号:6227559 上传时间:2019-04-03 格式:DOC 页数:5 大小:61.50KB
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资源描述

1、免调中频 VCO 的实现 (图)分立元件 VCO 能够提供足够的自由度来满足大多数系统的性能要求(调谐范围、输出功率、相位噪声、电流消耗等等)。然而,对于具有较大批量、价格敏感的现代产品,振荡频率的生产线调整是不可接受的。这迫使射频工程师必须设计出一个不需要在安装过程中调整的 VCO,即免调节 VCO。这项设计任务并不简单,除了要掌握 VCO 的基本设计原理外,还需要射频工程师花费大量精力来保证设计的一致性,而且在各种因素(如元件参数、温度及电源电压等)允许的变化范围内,振荡器始终调谐在正确的频率。本文试图对这项任务的重要性给出一个评价,同时解释一些和免调节中频 VCO 设计有关的问题。 VC

2、O 结构 -有多种可行的振荡器结构都可用于构建一个实用的射频 VCO,其中一种已经在许多商品化 VCO 模块和不计其数的分立 VCO 电路中得到了成功应用,这就是 Colpitts 共集电极电路(图 1)。该结构可用于很宽的工作频率范围,从中频直到射频。 图 1:基本 Colpitts 振荡器 广告插播信息维库最新热卖芯片: A3958SLB CT-L61DT81-IM-AA ACE9020B RCL10487 N80C198 W86C453P D78P322L LM4753T HEF4093BT S9014 - 灵活、廉价、并具有足够高性能的 VCO 可基于一个由廉价的表贴电感和变容二极管组

3、成的电感-电容(LC)谐振槽路组成。振荡器槽路是一个并联谐振电路,控制着振荡频率,电感或电容的任何变化都会改变振荡频率。电感和压变电容能够以并联或串联模式的网络形式实现可变谐振。并联模式网络(图 2)可用于较低频率,因为大值压变电容难以实现而电感可以做得比较大。并联模式配置还使于对振荡器做直观地分析。 图 2:Colpitts 结构用于 VCO - 对于 Colpitts 振荡器可以采用一种简化的、精确性稍差的方法来加以分析,并得到一组更清晰、更直观的设计方程,有助于一阶振荡器的设计。首先,Colpitts 振荡器可重画为一个带有正反馈的 LC 放大器(图 3)。这个视点易于计算环路增益、振荡

4、幅度和相位噪声。为了描述启动过程和振荡频率,最初的电路也可重画为一个负阻加谐振器结构(图 4)。从上述两个视点得到的一系列方程联合起来构成一组Colpitts 振荡器的设计方程(Meyer 1998)。 图 3:LC 放大器模型 图 4:映像放大器模型 Colpitts 振荡器的基本设计方程 - 在图 2 中,不考虑分布参数,并假定 CCC1 和 C2,并有 C1C(C 为三极管基-射结电容)。振荡频率可按下式计算: -f0=1/(2(L*C T), CT=CV+C12.(1) -CV=(CVAR*C0)/(CVAR+C0), C12=(C1*C2)/(C1+C2) -谐振电路的品质因数(QT

5、)可按下式计算: -QV1/(2*C V*RS*F0), RQC=QV2*RS(2) -QTR EQ/(2*L*F 0), REQ=RQLR QC -振荡幅度可按下式估算: - V0=2*IQ*REQ*(J1()/J 0(), V 0=IQ*REQ*1.4.(3) -环路增益和起振条件按下式计算: -环路增益=g m*REQ*1/n, 当 n=(C1+C2)/C2.(4) -起振条件: - gm/(2*C 1*f0)(2*C 2*f0)(REQ/QT2)(5) -距离中心频率一定频偏(fm)处 Colpitts 振荡器的相位噪声(PN)可按下式计算: - PN=in2*(1/V02)*f0/(

6、2Q0)2*(REQ2/fm).(6) - 上述公式中:Co=压变电容耦合电容:C T=总谐振电容;CVAR=压变电容;fm=以 Hz 为单位的相位噪声频偏;fo=振荡频率;gm=双极晶体管跨导;in=集电结散粒噪声;IQ=振荡晶体管偏流;Q L=电感 Q;Q T=谐振电路 Q;Q V=等效压变电容 Q;R EQ=谐振电路等效并联电阻;R S=压变电容串联电阻; V O=谐振电压均方根值。 免调节 VCO 的设计考虑 - 免调节 VCO 从概念上讲非常简单。只要振荡器具有足够宽裕的调谐范围来消除所有的误差源(如元件容差)所引起的频率偏移,振荡频率的调整就可以省去。初看起来,这项任务非常简单明了

7、,只需提供足够的调谐范围来覆盖所有的误差源即可。然而,对于一个给定的调谐电压范围,有限的可变电容限制了频率调谐范围,而且,VCO 的电性能要求往往进一步将调谐范围限制在更窄的区间内。另外,过大的调谐范围还会给振荡器带来一些负面影响。很宽的调谐范围要求压变电容至槽路间有很重的容性耦合,这会严重降低谐振电路的品质因数 Q。所带来的结果便是更大的相位噪声、对调谐线噪声更为敏感、压变电容两端过大的电压摆幅、潜在的启动问题等,并给环路滤波器设计带来很大的困难。 - 较宽的调谐范围可通过两个容易理解的途径增大振荡器的相位噪声:降低谐振电路 Q 值和调谐线噪声的影响。要获得更宽的调谐范围,压变电容必须通过一

8、个更大的电容耦合到谐振电路。这会降低CV(等效可变电容)的 Q 值,如方程(2)所示。CV 的 Q 值降低同时使谐振电路净 Q 值也降低,因而导致相位噪声增加,如方程(6)所示。致使相位噪声增加的第二个因素是调谐输入端的热噪声,它会产生频率调制的边带噪声。该项噪声随着调谐范围而增加,并有可能超过振荡器的固有相位噪声。由热噪声引起的相位噪声可由下式计算: PN=201og2*K V*Vn/(2*fm),Kv=VCO 增益(Hz/V),Vn=噪声密度(V/(Hz).(7) - 显然,两种情况的相位噪声都随着调谐范围的增加而增大。因此要便免调节 VCO 保持较低的相位噪声,至关重要的是设定一个恰当的

9、调谐范围,保证带宽要求并能容纳各种可预见的误差源。由于压变电容耦合的加重,更多的谐振电压摆幅会出现在压变电容两端,而压变电容电压的摆幅必须加以限制以防压变电容被正向偏置。这就限制了谐振电路中的信号功率,因而也就影响到振荡器的相位噪声。最后,当谐振电路的等效串联电阻过大时还会带来起振问题(参见基本方程)。频率调谐范围过宽的 VCO 可能无法正常起振,尤其是在极限温度下。那么,要实现恰当的调谐范围,首先碰到的问题就是确定恰当的调谐范围。 影响振荡率的误差源 - 为了适应影响振荡频率的各种误差源,免调节 VCO 的频率调谐范围必须增加。这些误差源可分为两类:元件参数误差和设计对准误差。设定振荡频率的

10、 LC 元件当然是非理想的,它们会带来以下问题: 元件之间的差异(容差); 不理想的性能(由于电感、电容以及引线串联电阻等造成有限的频率响应); 电路布线中的分布电容和电感造成的误差。- 附表列出了振荡器中频率设定元件的典型容差。另一方面,设计过程中在对准 VCO 调谐范围时的不确定因素还会导致设计对准误差。设计对准作为一个振荡频率建立中的误差来源常常被忽视。为了充分利用现有的频率调谐范围,调谐边界必须相对于预期的振荡频率相对称。在建立这个中心点时的任何误差,主要是由元件模型的初始值或平均值的不精确性而引起,都会降低可用的调谐范围。为了在各种温度、电源电压、元件容差等条件下保证振荡频率,调谐范

11、围必须足够宽,以便容纳该误差。可以利用振荡频率公式计算出总的频率误差,只需对其中的每项元素乘以一个比例因子即可。 附表振荡器中频率设定元件的典型容差元件 容差压变电容 15%于 VTUNE=0.4V10%于 VTUNE=2.4V电感 5%电容 5%分布电容 10%分布电感 6%振荡元件阻抗 15%频率偏移和调谐范围 - 频率调谐范围可通过改变调谐电压获得,从 VTUNE(LOW)到 VTUNE(HIGH),具有高、低频率边界(f HIGH和 flow)和一个位于 fHIGH和 fLOW中点的“中心”频率(f center)(图 5)。理想情况下,调谐范围应安排在使 fCENTER 恰好位于期望

12、频率的位置(图 5a)。然而,元件误差和设计对准误差可能会使频率调谐区间发生偏移。如果在最差情况下,系统提供的调谐电压不足,不能获得足够的频率调谐范围,则期望的振荡频率就无法达到(图 5b)。显然,仔细确定调谐范围需求是很有必要的。这可能过以下方法实现,首先计算出所有误差源所引起的频率偏差,然后确定最差情况下的 fLOWfOSC且 fHIGHfOSC(图 5c)。 设计验证 - 线路板布局和元件选择完成之后,还需要对设计进行验证和测试。通常,必须检查调谐范围、启动性能、相位噪声等等性能是否符合设计要求。此外,测试必须基于一个统计有效的生产流程数量之上,以使确定调谐范围和平均中心频率,以及它们相对于预期振荡频率的相对位置。所有这些工作都是得到一个稳定的、可重复生产并具有预期性能的设计所必需的。MAXIM 公司已开发出新款 VCO IC MAX2620,解决了VCO 的设计难题,同时显著缩短了实现免调节中频 VCO 所必需的时间。

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