1、1.硅光电池在没有光照时候的伏安特性曲线：从图中可以看出，硅光电池的伏安特性与二极管的伏安特性相近。不同的是，二极管在电流从零开始的最初一小段电压为零，而且在电流逐渐增大的时候，曲线最终趋于水平的速度要快。 2.硅光电池的输出特性：下图为各电阻对应的 P-RL 图d=20cm,L=250lux 时候的 U-I 图像。下面是 d=30cm,L=111.1lux 时候的 U-I 图下面是下面是 d=40cm,L=62.5lux 时候的 U-I 图像下面是下面是 d=50cm,L=40lux 时候的 U-I 图像二，不同光照下的短路电流 Isc,开路电压 Uoc；不同光照下的最大输出功率 Pm，对应
2、的最佳负载电阻 Rm三，下图为 Uoc-L 曲线。其中设 Uoc=A*ln(B*L+1),由 origin 软件拟合得出的 A=0.02475，B=195736.2。故函数形式可写为：Uoc=0.02475ln(195736.2L+1),光照强度 40lux 62.5lux 111.1lux 250luxIsc/A 6.1210-5 9.4210-5 0.166610-3 0.370810-3Uoc/V 0.3933 0.4052 0.4193 0.4377Pm/mW 0.0162 0.02539 0.04374 0.08335Rm/ 6000 4000 2000 1000FF 0.6730
3、0.6652 0.6262 0.5136下图为 Isc-L 曲线，设 Isc=k*L+b。由 origin 软件拟合得出，k=0.00416，b=7.80443.所以函数可写为：Isc=0.00416L+7.80443.下面是电阻为 100 时的 V-L,I-L 图。下面是电阻为 1000 时的 V-L,I-L 图。下面是电阻为 5000 时的 V-L,I-L 图。下面是电阻为 10000 时的 V-L,I-L 图。思考题：1.光电池在工作时为什么要处于零偏或反偏？Sol：因为要靠反偏的时候的电场收集产生的光载流子零偏的时候靠的是内秉电场收集。但是实际上零偏的时候的内秉电场与反偏的差不多，只是电场宽度较窄。
