1、在逆变电源中,常用到 TL494 与 SG3525,这两款 IC 都可以实现双路信号 PWM 波输出,我们在各种逆变电源中也常见到两种 IC,但为什么有些选用 TL494,有些选用 SG3525 呢?在此,我就个人想法法点意见在发意见前,先谈下他们的内部结构频率计算方面的内容TL494,TL494 是一种固定频率脉宽调制电路,它包含了开关电源控制所需的全部功能,广泛应用于单端正激双管式、半桥式、全桥式开关电源.TL494 有 SO-16 和 PDIP-16 两种封装形式,以适应不同场合的要求TL494 主要特征集成了全部的脉宽调制电路.片内置线性锯齿波振荡器,外置振荡元件仅两个(一个电阻和一个
2、电容).内置误差放大器.内止 5V 参考基准电压源.可调整死区时间.内置功率晶体管可提供 500mA 的驱动能力.推或拉两种输出方式.TL494 内部电路:TL494 计算公式外引线:SG3525随着电能变换技术的发展,功率 MOSFET 在开关变换器中开始广泛使用.为此,美国硅通用半导体公司推出了 SG3525,以用于驱动 N 沟道功率 MOSFET.SG3525 是一种性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成 PWM 控制芯片,它简单可靠及使用方便灵活,输出驱动为推拉输出形式,增加了驱动能力;内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM 锁存器,有过流保护功能,频率可调,同时能限制最大占空比
3、.其性能特点如下:1)工作电压范围宽: 835V.2)内置 51 V10% 的基准电压源 .3)芯片内振荡器工作频率宽 100Hz400 kHz.4)具有振荡器外部同步功能 .5)死区时间可调.为了适应驱动快速场效应管的需要,末级采用推拉式工作电路,使开关速度更陕,末级输出或吸入电流最大值可达 400mA.6)内设欠压锁定电路.当输入电压小于 8V 时芯片内部锁定 ,停止工作(基准源及必要电路除外),使消耗电流降至小于 2mA.7)有软启动电路.比较器的反相输入端即软启动控制端芯片的引脚 8,可外接软启动电容.该电容器内部的基准电压 Uref 由恒流源供电,达到 25V 的时间为 t=(25V
4、/50A)C,占空比由小到大(50%)变化.8)内置 PWM(脉宽调制).锁存器将比较器送来的所有的跳动和振荡信号消除.只有在下一个时钟周期才能重新置位,系统的可靠性高.SG3525 内部结构引脚频率从原理,内部来说,SG3525 与 TL494 相比有如下优点1SG3525 它能直驱动场效应管,驱动电流达 200MA2SG3525 死驱由 5 脚与 7 脚间接的电阻来决定,控制死驱精确,简单3对每一个输出脉冲单脉冲检测控制,防两管直通能力更强4内设功能保护电路(10 脚 ),保护更精确灵敏5有同步输入与内频率输出,能实现几个电源的同步控制(3,4 脚)6外接冲电路,有效防此由于电路还未正常而
5、大功率输出损坏场管的情部对于 TL494 来说,相比 SG35251价格较平宜2有两个线性放大器输入,能实现更灵活的外围保护控制电路设计3死区电压受 4 脚输加电压控制,实现死驱电压控制型(这点对于在 DC/AC 变换中比SG3525 来实用,可以用简单电阻实现 AC 的稳压输出)4驱动电流大,可以达 500MA513 脚同样可以实现 SG3525 功能,但控制点难,易受电路影响SG3525 与 TL494 设计经验1SG3525,驱动电路简,但其驱动电流小,适合于 500W 以下逆变器,比如你直接驱动 8 个IRF3205,IC 会发热高,TL494 驱动能力强,合适驱动 1000W 以下机子,如果要更大功率,两 IC都要抗流来增大驱动能力2工作电压在 15V 左右,SG3525 要比 TL494 能更稳定工作,但电压上到 20V,TL494 稳定性更强SG3525 不能直接用于 24V 电压,TL494, 工作电压 30V 一样稳定,所以在 24V 电路中,TL494 更简单3在低频逆变中,从理论上说,TL494 更能稳定 50HZ 输出,但电路设计得当,TL494 在 50HZ上也易实现,由于 TL494 死驱受控于 5,7 脚间电阻,所以对于 AC 输出电压变换比不上 TL494实用以上是本人对这两款 IC 一些实际方面认识,如有更好见议的,请发表
