1、密勒效应 免费编辑 添加义项名B 添加义项 ?所属类别 :词条暂无分类密勒效应(Miller effect)是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大 1+K 倍，其中 K 是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。基本信息 中文名称密勒效应 外文名称Miller effect 发现者约翰米尔顿 密勒 好处获得可控电容目录 1 基本概念2 降低措施 3 不良影响4 好处 5 预防方法折叠编辑本段基本概念1密勒效应是以约翰米尔顿密
2、勒命名的。1919 年或 1920 年密勒在研究真空管三极管时发现了这个效应，但是这个效应也适用于现代的半导体三极管。折叠编辑本段降低措施可以采用平衡法(或中和法)等技术来适当地减弱密勒电容 的影响。平衡法即是在输出端与输入端之间连接一个所谓中和电容，并且让该中和电容上的电压与密勒电容上的电压相位相反，使得通过中和电容的电流恰恰与通过密勒电容的电流方向相反，以达到相互抵消的目的。折叠编辑本段不良影响密勒电容对器件的频率特性有直接的影响。例如，对于 BJT:在共射(CE)组态中，集电结电容势垒电容正好是密勒电容，故 CE 组态的工作频率较低。对于 MOSFET:在共源组态中， 栅极与漏极之间的覆
3、盖电容 Cdg 是密勒电容，Cdg 正好跨接在输入端(栅极)与输出端( 漏极) 之间，故密勒效应使得等效输入电容增大，导致频率特性降低。折叠编辑本段好处 采用较小的电容来获得较大的电容 (例如制作频率补偿电容)，这种技术在 IC 设计中具有重要的意义(可以减小芯片面积 ); 获得可控电容 (例如受电压或电流控制的电容) 。折叠编辑本段预防方法共发射极电路的 24LC32 输入电容 CI 为基极一发射极间电容 CbE 与由于密勒效应而乘上(AV+1)后的基极一集电极 间电容 CbE 之和。但是，如图所示，渥尔曼电路的共发射极电路，由于 AV-0，Ci 仅为 CbE 与 CbE 之和，没有发生共发
4、射极电路避不发生密勒效应免不了的密勒效应。因此，在渥尔曼电路的共发射极电路中(下面的晶体管 )，没有因密勒效应而使 频率特性变坏。所以. 该渥尔曼电路中的共发射极电路是 A，-0 ，可以认为作为放大电路是完不发生密勒效应共发射极电路的输入电容 C.为基极一发射极间电容 CbE 与由于密勒效应而乘上(AV+1)后的基极一集电极间电容 CbE 之和。但是，如图所示，渥尔曼电路的共发射极电路，由于 A，-0，Ci 仅为 CbE 与 CbE 之和，没有发生共发射极电路避免不了的密勒效应。所以.该渥尔曼电路中的共发射极电路是 AV1，可以认为作为放大电路是完全不起作用的。但是，如照片所示，在发射极上出现与输入信号 u.相同的交流成分，由于让直接地加在发射极电阻 RE 上(因 R3 被 C5 与 C6 接地，在交流上与不存在一样)，所以共发射极电路作为由 Vi 使发射极电流变化的可变电流源而进行工作。
