1、第 1 章 晶格结构和结合性质1.1 晶格的周期性1.2 常见半导体的晶格结构1.3 结合性质1.4 晶格缺陷1.5 半导体表面的再构第 1 章参考文献第 2 章 半导体中的电子状态2.1 晶体中的能带2.2 晶体中电子的运动 有效质量和有效质量近似2.3 导电电子和空穴2.4 常见半导体的能带结构2.5 杂质和缺陷能级2.6 局域态的晶格弛豫2.7 重掺杂半导体2.8 表面态第 2 章参考文献第 3 章 电子和空穴的统计平衡分布3.1 费米分布函数3.2 栽流子浓度对费米能的依赖关系3.3 本征载流子浓度 3.4 含单一能级杂质情形的统计 3.5 补偿及多重能级情形的统计 3.6 简并情形的
2、统计3.7 化学势和费米能3.8 宽禁带半导体的掺杂问题和自补偿 附录 3.1 若干半导体的等效态密度(300K)第 3 章参考文献第 4 章 电荷输运现象4.1 电导和霍尔效应的分析 4.2 载流子的散射4.3 电导统计理论4.4 霍尔效应的统计理论4.5 磁阻4.6 强电场下的载流子输运 4.7 漂移速度过冲和近弹道输运附录 4.1 微扰势引起的状态之间的跃迁附录 4.2 玻尔兹曼积分一微分方程和弛豫时间的存在性附录 4.3 电阻率和杂质浓度的对应关系第 4 章参考文献第 5 章 过剩载流子5.1 过剩栽流子及其产生和复合5.2 过剩载流子的扩散5.3 过剩载流子的漂移和扩散5.4 双极扩
3、散和双极漂移 5.5 丹倍效应和光磁效应 5.6 表面复合对寿命的影响 5.7 复合机制和直接复合5.8 间接复合5.9 陷阱效应 5.10 空间电荷的弛豫第 5 章参考文献第 6 章 接触现象6.1 同质和异质 pn 结势垒6.2 金属- 半导体接触：肖特基势垒 6.3 pn 结电流：注入电流 势垒区产生复合电流6.4 肖特基势垒电流 尖峰发射6.5 势垒电容和扩散电容6.6 隧道穿透势垒 隧道电流 6.7 光生伏特效应6.8 雪崩击穿和齐纳击穿 第 6 章 参考文献第 7 章 半导体表面层和 MIS 结构7.1 半导体表面电荷层7.2 MIS 电容7.3 界面态及其电容效应 7.4 场效应
4、和表面电导7.5 表面复合附录 7.1 半导体表面电荷层电荷、表面电场和电容作为 ys 函数的一般表示式第 7 章参考文献第 8 章 微结构和超晶格8.1 半导体中的尺寸量子化和低维电子气 8.2 微结构和超晶格的生长和形成 8.3 二维电子气的电荷输运 8.4 微结构中垂直于界面的输运 共振隧穿 8.5 一维系统的输运介观输运8.6 有关量子点的输运现象 8.7 半导体超晶格8.8 超晶格的输运8.9 Rashba 效应和自旋晶体管8.10 碳纳米管8.11 异质结构的带阶8.12 晶格失配的异质结构第 8 章参考文献第 9 章 半导体的光吸收和光反射9.1 光的吸收和基本吸收边9.2 基本吸收与能带结构 9.3 激子和激子吸收9.4 杂质吸收9.5 自由载流子吸收9.6 晶格吸收和反射第 9 章参考文献第 10 章 半导体中的发光现象 10.1 自发发射和受激发射10.2 发光光谱10.3 微结构和超晶格的光谱现象10.4 发光二极管及相关问题10.5 半导体激光器10.6 单光子发射和量子点一微腔系统第 10 章参考文献
