1、半导体物理 50 本书1、半导体激光器基础 633/Q003 (日)栖原敏明著科学出版社;共立出版 2002.72、半导体异质结物理 211/Y78 虞丽生编著科学出版社 1990.53、超高速光器件 9/Z043 (日)斋藤富士郎著科学出版社;共立出版 2002.74、半导体超晶格物理 214/X26 夏建白，朱邦芬著上海科学技术出版社 19955、半导体器件:物理与工艺 6/S52 (美)施敏(S.M.Sze)著科学出版社 1992.56、材料科学与技术丛书.第 16 卷,半导体工艺 5/K035(美)R.W.卡恩等主编科学出版社 19997、光波导理论与技术 95/L325 李玉权,崔敏
2、编著人民邮电出版社 2002.128、半导体光学性质 240.3/S44 沈学础著科学出版社 1992.69、半导体硅基材料及其光波导 571.2/Z43 赵策洲电子工业出版社 199710 半导体器件的材料物理学基础 612/C49 陈治明，王建农著科学出版社 1999.511、半导体导波光学器件理论及技术 666/Z43 赵策洲著国防工业出版社 1998.612、半导体光电子学 631/H74 黄德修编著电子科技大学出版社1989.913、分子束外延和异质结构 523.4/Z33 张立刚，克劳斯普洛格著复旦大学出版社 1988.614、半导体超晶格材料及其应用 211.1/K24 康昌鹤，
3、杨树人编著国防工业出版社 1995.1215、现代半导体器件物理 612/S498 (美)施敏主编科学出版社2001.616、外延生长技术 523.4/Y28 杨树人国防工业出版社 1992.717、半导体激光器 633/J364 江剑平编著电子工业出版社2000.218、半导体光谱和光学性质 240.3/S44(2)沈学础著科学出版社200219、超高速化合物半导体器件 572/X54 谢永桂主编宇航出版社1998.720、半导体器件物理 612/Y75 余秉才，姚杰编著中山大学出版社 1989.621、半导体激光器原理 633/D807 杜宝勋著兵器工业出版社2001.622、电子薄膜科学
4、 524/D77 杜经宁等著科学出版社 1997.223、半导体超晶格材料与应用 211.1/H75 黄和鸾，郭丽伟编著辽宁大学出版社 1992.624、半导体激光器及其应用 633/H827 黄德修，刘雪峰编著国防工业出版社 1999.525、现代半导体物理 O47/X172 夏建白编著北京大学出版社200026、半导体的电子结构与性能 22/Y628 W.施罗特尔主编科学出版社 200127、半导体光电子技术 9/Y770 余金中编著化学工业出版社2003.428、半导体器件研究与进展.三 6/W36/3 王守武主编科学出版社1995.1029、国家自然科学基金重大项目“半导体光子集成基础
5、研究”学术论文集:项目编号：69896260 (2001.7-2002.5)638/G936/2001-022002.630、半导体激光器件物理学 665/T23 G.H.V.汤普森著电子工业出版社 198931、半导体的检测与分析 34/Z66 中国科学院半导体研究所理化分析中心研究室编著科学出版社 198632、材料分析测试技术:材料 X 射线衍射与电子显微分析55/Z78 周玉,武高耀编著哈尔滨工业大学出版社 1998.833、光纤通信用光电子器件和组件 TN929.11/H800.2 黄章勇编著北京邮电大学出版社 200134、硅微机械加工技术 571.2/H76 黄庆安科学出版社 1
6、996.35、X 射线结构分析与材料性能表征 O72/T49 滕凤恩科学出版社 1997.1236、非线性光学频率变换及激光调谐技术 O436.8/Y35 姚建铨科学出版社;1995.337、半导体光检测器 631.5/Z22 (美)W.T.Tsang 主编电子工业出版社 1992.338、介观物理 O462/Y17 阎守胜,甘子钊主编北京大学出版社1995.439、人工物性剪裁:半导体超晶格物理、材料及新器件结构的探索 211.1/Z57 郑厚植编著湖南科学技术出版社 1997.40、光学薄膜原理 O437.14/L63 林永昌,卢维强编著国防工业出版社 199041、半导体物理学 2/L7
7、1B 刘恩科，朱秉升等编国防工业出版社1979.1242、半导体物理学 2/L33 李名复著科学出版社 1991.243、半导体物理与器件 2/X58 忻贤坤编著上海科学技术文献出版社 1996.244、砷化镓微波功率声效应晶体管及其集成电路 624.26/L35 李效白编著科学出版社 1998.245、半导体测试技术 55/S98 孙以材编著冶金工业出版社1984.1046、X 射线衍射与电子显微分析基础 O439.634/M18 马咸尧主编华中理工大学出版社 1993.847、砷化镓的性质 572.162/Y14 亚当斯.A.R.等著科学出版社199048、高等激光物理学 O45/L31
8、李福利编著中国科技大学出版社1992.849、半导体器件工艺 616/D52 电子工业半导体专业工人技术教材编写组上海科学技术文献出版社 1984.150、凝聚态物理学新论 O462.031/F61N 冯端,金国钧著上海科学技术出版社 1992.12“压力传感器的设计制造与应用”目录压力传感器的设计制造与应用 作者：孙以材 出版：北京 冶金工业出版社 2000 年出版 尺寸：20cm ISBN：7-5024-2400-8 形态：615 页 - 107 章节 定价：CNY40.00 附注：河北省教育委员会学术著作出版基金资助 浏览：在线阅读 全文下载 摘要 本书主要介绍压阻型压力传感器的原理、弹
9、性力学应力计算及芯片版图设计;介绍从硅片制备、半导体工艺、微机械加工到芯片封接与引线;介绍压力传感器的技术特性、选用及各种热漂移补偿技术等。 目录 目录 第一章晶体及其能带结构 第一节空间点阵和晶体结构 附录 第二节晶体的能带结构 第三节晶体的物理常数及其坐标变换 参考文献 第二章压力传感器的基本原理 第一节单晶硅的压阻效应 第二节扩散硅的压阻效应 第三节多晶硅的压阻效应 附录任意晶向压阻系数的计算 参考文献 第三章压力传感器中承压弹性膜的应力计算 第一节弹性力学基础 第二节承压弹性薄膜的应力分析 第三节压力传感器弹性膜二维有限元法的应力计算 第四节压力传感器三维有限元法应力计算简介 参考文献
10、 第四章压力传感器芯片版图设计 第一节合理利用压阻系数 第二节力敏电阻条的设计 第三节二极管与三极管的设计 第四节失效与可靠性问题 参考文献 第五章压力传感器的衬底制备 第一节硅单晶片抛光的基本原理 第二节衬底片的清洗 第三节外延工艺原理 第四节硅 硅键合工艺原理 参考文献 第六章压力传感器的管芯制备 第一节氧化膜的制备 第二节扩散工艺原理 第三节光刻工艺原理 参考文献 第七章硅压力传感器的微机械加工 第一节概况 第二节湿化学腐蚀 第三节各向异性腐蚀过程计算机模拟 第四节压力传感器的压力腔腐蚀工艺 第五节表面微机械加工 牺牲层技术 第六节玻璃穿孔技术 参考文献 第八章压力传感器的封装 第一节压
11、力传感器的封装意义及要求 第二节压力传感器芯片的封接方法 第三节硅片与硅片低温直接键合 第四节封接材料的性质 参考文献 第九章压力传感器的引线 第一节压力传感器的引线键合 第二节载带自动键合（TAB）技术 第三节引线的可键合性与可靠性 第四节引线间接触电阻的测量 参考文献 第十章压力传感器的技术性能与选用 第一节压力传感器的技术性能 第二节压力传感器的选用 参考文献 第十一章压力传感器的热漂移及其补偿技术 第一节热零点漂移及其补偿技术 第二节热灵敏度漂移及其补偿技术 第三节用自平衡电桥简单电路消除热零点和灵敏度漂移 参考文献 第十二章压力传感器的信号调理 第一节集成运算放大器简介 第二节仪表放
12、大器简介 第三节压力传感器激励 参考文献 第十三章压力传感器的智能化技术 第一节 MCS-51 单片机系统概述 第二节 MCS-51 单片机的指令系统 第三节 MCS-51 单片机内部存储器 第四节 MCS-51 单片机内部的定时器/计数器 第五节 MCS-51 单片机内部的并行输入/输出（ I/O）口 第六节 MCS-51 单片机内部的串行口 第七节 MCS-51 单片机的中断控制系统 第八节智能化压力传感器的硬件设计 第九节智能化压力传感器的软件设计 参考文献 第十四章其他种类压力传感器 第一节膜片式电容型压力传感器 第二节压电型压力传感器 第三节金属电阻应变式压力传感器 第四节干涉光非接
13、触式读出压力传感器 第五节光纤压力传感器 参考文献 第十五章压力传感器的应用 第一节压力传感器的应用分类 第二节 LED 显示排压力计 第三节电池供电精密气压计 第四节压力控制器 第五节自动洗衣机中应用的压力传感器 第六节自动补偿静压的压力传感器 第七节压力传感器在液位测量中的应用 参考文献 一、主要物理常数 二、单位换算表 1长度单位换算 2质量单位换算 3力单位换算 4功及能量单位换算 5功率单位换算 6压力单位换算 7电磁单位换算 三、重要半导体的物理性质参考资料：四探针和 EIT 测试微区薄层电阻的研究与进展R&D on the Technique for Determining th
14、e Resistivity of Micro Areas Sheet Based on Four-Point Probe and EIT2007 年 第 32 卷 第 05 期 作者: 谢辉, 刘新福, 贾科进, 闫德立, 田建来, 期刊-核心期刊 ISSN : 1003-353X(2007)05-369-05论述了一种测试大型硅片电阻率均匀性的新方法-电阻抗成像技术(EIT).给出了四探针的基本原理,指出 EIT 的基本思想来源于四探针技术.对 EIT 的基本原理和重建算法在理论上进行了描述,提出可将其应用于微区薄层电阻测试,并对 EIT 在大型硅片微区薄层电阻率均匀性测试技术上的系统应用做
15、了进一步探索.关键词: 四探针法, 电阻抗成像 , 微区薄层电阻, | 全部关键词中图分类:TN306 工业技术 无线电电子学、电信技术 半导体技术 一般性问题 可靠性及例行试验 万方期刊分类:TN 工业技术 无线电电子学与电信技术 相似文献： - 四探针和 EIT 测试微区薄层电阻的研究与进展 R&D on the Technique for Determining the Resistivity of Micro Areas Sheet Based on Four-Point Probe and EIT 作者:谢辉,刘新福,贾科进,闫德立,田建来, 期刊-核心期刊 半导体技术SEMICON
16、DUCTOR TECHNOLOGY 2007 年 第 05 期- 基于 EIT 技术的微区薄层电阻无接触测试技术研究 Research on the Technique of Determing the Resistivity of Micro Areas Sheet Resistivity Based on EIT 作者:谢辉 ,高强,刘新福, 期刊-核心期刊 河北工业大学学报 JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 2006 年 第 05 期- 四探针技术测量薄层电阻的原理及应用 The principle and application of
17、testing sheet resistance with four-point probe techniques 作者:刘新福,孙以材,刘东升, 期刊-核心期刊 半导体技术 SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY 2004 年 第 07期- 一种改进的硅片薄层电阻及其均匀性表征方法 A Modified Indicial Method of Sheet Resistance and Uniformity for Silicon Wafer 作者:刘新福,刘东升,孙以材 , 期刊- 核心期刊 稀有金属 CHINESE JOURNAL OF RARE METALS 2004 年 第 0
18、3 期- 微区薄层电阻四探针测试仪及其应用 Four-probe Instrument for Measuring Sheet Resistance of Microareas and Its Application 作者:孙以材,刘新福,高振斌,孟庆浩,孙冰, 期刊- 核心期刊 固体电子学研究与进展 RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS 2002 年 第 01 期- 微区薄层电阻四探针测试仪及其应用 Four Probe Instrument for Measuring Sheet Resistance of Microareas an
19、d Its Application 作者:孙以材,孟庆浩, 期刊-核心期刊 现代仪器MODERN INSTRUMENTS 2000 年 第 01 期- 微区电阻测试方法及新测试仪研制 The Study on Means of Measuring Sheet Resistance of Microareas 作者:刘新福,孙以材,王静,张艳辉, 期刊-核心期刊 微电子学与计算机MICROELECTRONICS & COMPUTER 2003 年 第 09 期- 微区薄层电阻测试方法的研究 The Study on Means of Measuring Sheet Resistance of M
20、icroareas 作者:刘新福,孙以材, 期刊-核心期刊 河北工业大学学报 JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 2003 年 第 03 期- 用改进的 Rymaszewski 公式及方形四探针法测定微区的方块电阻 The measurement of square resistance for microarea by square four-probe techniques and using a modified Rymaszewskis formula 作者: 刘新福,孙以材,张艳辉,陈志永, 期刊-核心期刊 物理学报 ACTA PHYS
21、ICA SINICA 2004 年 第 08期- 探针游移对方形四探针测试仪测量硅片薄层电阻的影响分析 An Analysis of Affection upon Measuring Results Arising from the Wander of Probes by Four-Point Square Probe Instrument 作者:苏双臣 ,刘新福,张润利, 刘金河, 期刊 北华航天工业学院学报 JOURNAL OF NORTH CHINA INSTITUTE OF AEROSPACE ENGINEERING 2007 年 第 05 期- 基于 EIT 技术的微区薄层电阻测试系
22、统研究 Research on the Micro-Area Sheet Resistance Test System Based on EIT Technology 作者:任献普,刘新福,黄宇辉, 柳春茹,赵晓然,赵丽敏, 期刊-核心期刊 半导体技术 SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY 2009 年 第 10 期- 图像识别在微区薄层电阻 Mapping 四探针定位技术中的应用 第一完成人:孙以材,其他完成人:刘新福,孟庆浩,于明,陈冀川,潘国峰,刘翠响,张艳辉,曹红毅, 技术成果 中国技术专家网- 两种薄层电阻测试系统探针游移误差的对比分析 The Contrasting a
23、nd Analyzing of Probe Movement Error about Two Kinds of Measurement System of Sheet Resistance 作者:刘新福,孙以材,刘东升, 期刊-核心期刊 电子器件 CHINESE JOURNAL OF ELECTRON DEVICES 2004 年 第 01 期- 微区薄层电阻测试探针技术 第一完成人:孙以材,其他完成人:孟庆浩,石俊生, 技术成果 中国技术专家网- 电阻率测量技术研究 The Study of Techniques of Measuring Resistivity 作者:谢莉莉,汪鹏, 期刊
24、高等职业教育天津职业大学学报 HIGHER VOCATIONAL EDUCATION-JOURNAL OF TIANJIN PROFESSIONAL COLLEGE 2007 年 第 05 期- 论四探针法测试半导体电阻率时的厚度修正 Discuss Corrected of Thickness for Measuring Resistivity of Silicon with Four probe Array Method 作者:宿昌厚,鲁效明, 期刊-核心期刊 计量技术 MEASUREMENT TECHNIQUE 2005 年 第 08 期- Ti 中间层对超薄 Ni 膜硅化反应特性的影响
25、 作者:蒋玉龙, 茹国平, 屈新萍, 李炳宗, 会议 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议论文集 2004 年- 双电测组合四探针法测试半导体电阻率测准条件 Condition of Accurate Measuring Semiconductor Resistivity by Three Mode Electro-Testing Configuration with Four-point Probes 作者:宿昌厚,鲁效明, 期刊-核心期刊 计量技术MEASUREMENT TECHNIQUE 2004 年 第 03 期- Ti 中间层对超薄 Ni 膜硅化反应特性的影响 Influence of Ti Interlayer on Untrathin Ni Film Silicidation 作者:蒋玉龙,茹国平,屈新萍,李炳宗, 期刊-核心期刊 半导体学报 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 2005 年 第 z1 期- 基于非均匀颅骨头模型的电阻抗断层成像算法初步研究 作者:倪安胜, 董秀珍, 杨国胜, 付峰, 汤池, 会议 中国科协第四届优秀博士生学术年会中国科协第四届优秀博士生学术年会论文集 2006 年
