1、2019/3/25,1,第一节 霍尔元件的结构及工作原理,半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应。,磁感应强度B为零时的情况,c,d,a,b,2019/3/25,2,磁感应强度B 较大时的情况,作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示：EH=KH IB,2019/3/25,3,霍尔效应演示,当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。,c,d,a,b,2019/3/25,4,磁场不垂直于霍
2、尔元件时的霍尔电动势,若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度 时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos，这时的霍尔电势为EH=KHIBcos,结论：霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正比，且当B的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场，则霍尔电势为同频率的交变电势。,2019/3/25,5,霍尔元件的主要外特性参数,最大磁感应强度BM,上图所示霍尔元件的线性范围是负的多少高斯至正的多少高斯？,线性区,2019/3/25,6,霍尔元件的主要外特性参数（续）,最大激励电流IM :,由于霍尔电势随激励电流
3、增大而增大，故在应用中总希望选用较大的激励电流。但激励电流增大，霍尔元件的功耗增大，元件的温度升高，从而引起霍尔电势的温漂增大，因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流，它的数值从几毫安至十几毫安。,以下哪一个激励电流的数值较为妥当？ 5A 0.1mA 2mA 80mA,2019/3/25,7,第二节 霍尔集成电路,霍尔集成电路可分为线性型和开关型两大类。,线性型集成电路是将霍尔元件和恒流源、线性差动放大器等做在一个芯片上，输出电压为伏级，比直接使用霍尔元件方便得多。较典型的线性型霍尔器件如UGN3501等。,线性型三端 霍尔集成电路,2019/3/25,8,线性型霍尔特性,右图示出了具有
4、双端差动输出特性的线性霍尔器件的输出特性曲线。当磁场为零时，它的输出电压等于零；当感受的磁场为正向（磁钢的S极对准霍尔器件的正面）时， 输出为正；磁场反向时，输出为负。,请画出线性范围,2019/3/25,9,开关型霍尔集成电路,开关型霍尔集成电路是将霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门（集电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上。当外加磁场强度超过规定的工作点时，OC门由高阻态变为导通状态，输出变为低电平；当外加磁场强度低于释放点时，OC门重新变为高阻态，输出高电平。较典型的开关型霍尔器件如UGN3020等。,2019/3/25,10,开关型霍尔集成电路的外形及内部电路,OC门,施密特 触发电路,双端输入、 单端输出运放,霍尔 元件,.,Vcc,2019/3/25,11,开关型霍尔集成电路（OC门输出）的接线,请按以下电路，将下一页中的有关元件连接起来.,开关型霍尔集成电路 与继电器的接线,?,2019/3/25,13,开关型霍尔集成电路的史密特输出特性,回差越大，抗振动干扰能力就越强。,当磁铁从远到近地接近霍尔IC，到多少特斯拉时输出翻转？当磁铁从近到远地远离霍尔IC，到多少特斯拉时输出再次翻转？回差为多少特斯拉？相当于多少高斯（Gs）？,2019/3/25,14,作业 p135：2、3、5、6,2019/3/25,15,出去活动一下,
