1、学习情境2 功率放大器的分析与制作,2.3 功率放大器的分析与检测,2.4 50W功率放大器制作,2.2 集成前置放大电路的分析与检测,2.1 分立前置放大电路的分析与检测,2.1 分立前置放大电路的分析与检测,一、晶体三极管,符号：,(1) NPN型三极管,（2）PNP型三极管,1、结构,基区：最薄， 掺杂浓度最低,发射区：掺 杂浓度最高,发射结,集电结,结构特点：,集电区： 面积最大,2、电流分配和放大原理,（1） 三极管放大的外部条件,发射结正偏、集电结反偏,(2) 三极管内部载流子的运动规律,基区空穴向发射区的扩散可忽略。,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。,进
2、入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。,集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。,（3）各电极电流关系及电流放大作用,IC 与 IB之比称为共发射极直流电流放大倍数，即：,ICE0 ：集射极穿透电流, 温度ICEO,三电极电流关系：IE = IB + IC,因为 IC IB ， 所以 IC IE 。 但IB对IC有控制作用， IC随IB改变而改变。 IC的变化量 与 IB的变化量之比称为共发射极交流电流放大倍数，即：,通常 IC IB ，因此把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大
3、变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 三极管的实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是电流控制型器件。,一般，,共发射极电路,输入回路,输出回路,测量晶体管特性的实验线路,3、三极管特性曲线,（1） 输入特性,死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.1V。,正常工作时发射结电压： 硅管:0.60.7V 锗管:0.20.3V,(2) 输出特性,IB=0,20A,放大区,放大区,特点：在放大区有 IC=IB ，具有恒流特性。,条件：发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。,截止区,截止区,IB 0 以下区域为截止区。,条件：发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶
4、体管工作于截止状态。,特点：有 IC 0,饱和区,饱和区,特点：在饱和区，IB IC，IC不受IB的控制； UCE很小，深度饱和时， 硅管UCES 0.3V， 锗管UCES 0.1V。,条件：发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。,4、 主要参数,（1） 电流放大系数，,发射极开路时，集电结在反向电压作用下，集、基极间的反向电流。ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大，ICBO越小越好。,直流电流放大系数 和交流电流放大系数 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的 值在20200之间。,（2）集-基极反向截止电流 ICB
5、O,（3）集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO,基极开路时，集电极和发射极间的反向电流，也称为穿透电流。,ICEO受温度的影响大，ICEO越小越好,极限参数： （4） 集电极最大允许电流 ICM,集电极电流 IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。,（5） 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO,（6）集电极最大允许耗散功耗PCM,集电极电流流过集电结时，产生的功耗使结温升高，结温太高时会使晶体管烧毁，因此规定PC =IC UCE PCM 。PCM取决于三极管允许的温升，一般硅管允许结温约为150C，锗管约为7090C。,基极开路时，集电极和发射极之间最大允许电压。当集射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。使用时，一般取,ICUCE=PCM,安全工作区,由三个极限参数可画出三极管的安全工作区,5、晶体管参数与温度的关系,（1）温度每增加10C，ICBO增大一倍。硅管优于锗管。,（2）温度每升高 1C，UBE将减小(22.5)mV，即晶体管 具有负温度系数。,（3）温度每升高 1C， 增加 0.5%1.0%。,
