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13所滤波器的PPT.pdf
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1、P41. 概述2. 集成LC滤波器系列(1-5000MHz)3. 小型介质滤波器系列(300-5000MHz)4. 微型LTCC系列滤波器5. 晶体滤波器系列(5-100MHz)6. 腔体滤波器系列(500MHz-20GHz)7. 带阻滤波(陷波)器8. 幅度均衡器9. 相位(时延)均衡器10. 同轴滤波器11. 小型电调滤波器系列12. 数控跳频滤波器系列13. 微型数控电调滤波器14. 大功率数控跳频滤波器P51.1 滤波器分类按性能分类1 概述低通(Lowpass) 高通(Highpass)带通(Bandpass) 带阻(Notch)全通(Delay Equalier)P6按电路结构分类
2、LC滤波器 体积小、重量轻、结构灵活、周期快;元件Q值仅100-400,不适于3%以下的窄带滤波。频率1MHz-5000MHz介质滤波器高Q(200-1000)、小体积、重量较轻、抗振性能好;有3次寄生通带;频率300MHz-6000MHz, 带宽可窄到1%。晶体滤波器极高的Q值(十万)适于0.1-5;压电效应动态抗振弱、有最小激励电平要求。我所频率8-100M。腔体滤波器很高的Q值(数千),低插损、大功率、高选择性;体积大、有寄生、周期长、成本高(镀银);频率30M-35GHz带宽0.3%-80%(介质加载腔可1)。微带滤波器平面结构、加工成本低、批量重复性好;Q值中等,适于中等以上带宽(7
3、-40%),需印制版工艺保证精度。悬置微带线滤波器高Q、超宽带(色散效应小)、温度稳定性P71.2 滤波器的响应函数1) 巴特沃斯(Butterworth)函数 2) 切比雪夫(Chebyshev)函数带内插损单调增加阻带单调下降(缓) VSWR单调增加插损在带内呈等纹波变化(可0.01dB)阻带单调下降(快) VSWR带宽宽P83) 椭圆函数(Elliptic)函数 4) 高斯类函数(Gaussian Families) 插损在带内呈等纹波变化(可0.01dB)阻带抑制有起伏(近端很陡) VSWR带宽宽插损在带内呈“半余弦”状阻带下降缓慢VSWR带宽很窄(fo附近)P9L1=62.68, L
4、2=78.76, L3=32.13C1=4.47, C2=10.1, C3=40.15, C4=14.29, C5=24.815) “组合型”函数 零、极点分布Pole/Zero plot例1:6阶带内巴特沃斯、带外“椭圆”0.5dB截止频率100MHz本例在140MHz处的衰减达24.46dB。同样截止频率、处传输零点为6阶的全极点巴特沃斯低通滤波器,在此衰减仅为8.98dB。P10L1=67.02nH, L2=59.49nH,L3=23.33nH, C1=3.036pF, C2=9.448pF, C3=146.45pF, C4=18.92pF, C5=10.557pF 100MHz和140
5、MHz处衰减分别达到12.7dB和34.62dB, 明显优于6阶全极点Bessel低通滤波网络时的5.09dB和10.98dB。例2:6阶带内Bessel、带外“椭圆”DC-100MHz内时延恒定在5.45ns-5.5ns之间, 特征函数的6个零点(反射为零),除DC处都不在虚轴上,且实部符号有特定分布。VSWR仅现DC。(现有匹配型Bessel)P11GDS210 6 DBS21,DBS11,DBS22-40 -36 -32 -28 -24 -20 -16 -12 -8 -4 0 Freq (MHz)0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 89.3981
6、08.309126.361144.413162.464179.656Filter1_Responsev 1a 1) 89.398 MHza) -3.083 dBv 1b b) -30.864 dB 1c c) -30.864 dBv 1d d) 4.701 nsv 2a 2) 108.309 MHza) -4.502 dBv 2b b) -24.774 dB 2c c) -24.774 dBv 2d d) 4.702 nsv 3a 3) 126.361 MHza) -6.167 dBv 3b b) -20.128 dB 3c c) -20.128 dBv 3d d) 4.657 nsv 4a
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