1、STC12C5A60S2/AD/PWM 系列单片机是宏晶科技生产的单时钟/机器周期(1T)的单片机，是高速/低功耗/超强抗干扰的新一代 8051 单片机，指令代码完全兼容传统 8051,但速度快8-12 倍。内部集成 MAX810 专用复位电路,2 路 PWM,8 路高速 10 位 A/D 转换(250K/S),针对电机控制，强干扰场合。1.增强型 8051 CPU，1T ，单时钟/ 机器周期，指令代码完全兼容传统 8051； 2.工作电压：STC12C5A60S2 系列工作电压：5.5V-3.3V（5V单片机）STC12LE5A60S2 系列工作电压：3.6V-2.2V （3V 单片机） ；
2、 3.工作频率范围：0 - 35MHz，相当于普通 8051 的 0 420MHz； 4.用户应用程序空间 8K /16K / 20K / 32K / 40K / 48K / 52K / 60K / 62K 字节； 5.片上集成 1280 字节 RAM； 6.通用 I/O 口（36/40/44 个） ，复位后为：准双向口/弱上拉（普通 8051 传统 I/O 口） ，可设置成四种模式：准双向口 /弱上拉，推挽/强上拉，仅为输入/ 高阻，开漏，每个 I/O 口驱动能力均可达到 20mA，但整个芯片最大不要超过55Ma； 7. ISP（在系统可编程） /IAP（在应用可编程） ，无需专用编程器，无
3、需专用仿真器可通过串口（P3.0/P3.1）直接下载用户程序，数秒即可完成一片； 8.有 EEPROM 功能(STC12C5A62S2/AD/PWM 无内部EEPROM)；9. 看门狗； 10.内部集成 MAX810 专用复位电路（外部晶体 12M 以下时，复位脚可直接 1K 电阻到地） ； 11.外部掉电检测电路:在 P4.6 口有一个低压门槛比较器，5V 单片机为 1.32V，误差为+/-5%,3.3V 单片机为 1.30V，误差为+/-3%； 12.时钟源：外部高精度晶体/ 时钟，内部 R/C 振荡器(温漂为+/-5%到+/-10%以内) 1 用户在下载用户程序时，可选择是使用内部 R/
4、C 振荡器还是外部晶体 /时钟，常温下内部 R/C 振荡器频率为：5.0V 单片机为：11MHz15.5MHz，3.3V 单片机为：8MHz12MHz，精度要求不高时，可选择使用内部时钟，但因为有制造误差和温漂，以实际测试为准； 13.共 4 个 16 位定时器两个与传统 8051 兼容的定时器/ 计数器,16 位定时器 T0 和 T1，没有定时器 2，但有独立波特率发生器做串行通讯的波特率发生器再加上 2 路 PCA 模块可再实现 2 个 16 位定时器；14.2 个时钟输出口，可由 T0 的溢出在 P3.4/T0 输出时钟，可由 T1 的溢出在 P3.5/T1 输出时钟；15.外部中断 I
5、/O 口 7 路,传统的下降沿中断或低电平触发中断,并新增支持上升沿中断的 PCA 模块， Power Down 模式可由外部中断唤醒，INT0/P3.2,INT1/P3.3,T0/P3.4, T1/P3.5, RxD/P3.0,CCP0/P1.3(也可通过寄存器设置到 P4.2 ), CCP1/P1.4 (也可通过寄存器设置到 P4.3)； 16. PWM(2 路）/PCA（可编程计数器阵列,2 路）：也可用来当 2 路 D/A 使用也可用来再实现 2 个定时器 也可用来再实现 2 个外部中断(上升沿中断 /下降沿中断均可分别或同时支持 )；17.A/D 转换, 10 位精度 ADC，共 8
6、 路，转换速度可达250K/S(每秒钟 25 万次) 18.通用全双工异步串行口(UART)，由于 STC12 系列是高速的 8051，可再用定时器或 PCA 软件实现多串口；19. STC12C5A60S2 系列有双串口，后缀有 S2 标志的才有双串口，RxD2/P1.2(可通过寄存器设置到 P4.2)，TxD2/P1.3(可通过寄存器设置到 P4.3)； 20.工作温度范围：-40 - +85( 工业级) / 0 - 75(商业级)21.封装： PDIP-40,LQFP-44,LQFP-48 I/O 口不够时，可用 2到 3 根普通 I/O 口线外接 74HC164/165/595（均可级
7、联）来扩展 I/O 口, 还可用 A/D 做按键扫描来节省 I/O 口，或用双 CPU,三线通信，还多了串口。 各引脚功能简单介绍如下：VCC：供电电压； GND：接地； P0 口：P0 口为一个 8位漏级开路双向 I/O 口，每个管脚可吸收 8TTL 门电流。当P1 口的管脚写“1” 时，被定义为高阻输入。P0 能够用于外部程序数据存储器，它可以被定义为数据/地址的第八位。在 FLASH 编程时，P0 口作为原码输入口，当 FLASH 进行校验时，P0 输出原码，此时 P0 外部电位必须被拉高； P1口：P1 口是一个内部提供上拉电阻的 8 位双向 I/O 口，P1口缓冲器能接收输出 4TT
8、L 门电流。P1 口管脚写入“1”后，电位被内部上拉为高，可用作输入，P1 口被外部下拉为低电平时，将输出电流，这是由于内部上拉的缘故。在 FLASH编程和校验时，P1 口作为第八位地址接收； P2 口：P2 口为一个内部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口，P2 口缓冲器可接收，输出 4 个 TTL 门电流，当 P2 口被写 “1”时，其管脚电位被内部上拉电阻拉高，且作为输入。作为输入时，P2 口的管脚电位被外部拉低，将输出电流，这是由于内部上拉的缘故。P2 口当用于外部程序存储器或 16 位地址外部数据存储器进行存取时，P2 口输出地址的高八位。在给出地址“1”时，它利用内部上拉的优势，当对
9、外部八位地址数据存储器进行读写时，P2 口输出其特殊功能寄存器的内容。P2 口在 FLASH 编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号； P3 口：P3 口管脚是 8 个带内部上拉电阻的双向 I/O口，可接收输出 4 个 TTL 门电流。当 P3 口写入“1”后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。作为输入时，由于外部下拉为低电平，P3 口将输出电流(ILL)，也是由于上拉的缘故。P3 口也可作为 AT89C51 的一些特殊功能口： P3.0 RXD(串行输入口 ) P3.1 TXD(串行输出口) P3.2 INT0(外部中断 0) P3.3 INT1(外部中断 1) P3.4 T0(记时器
10、0 外部输入) P3.5 T1(记时器 1 外部输入) P3.6 WR (外部数据存储器写选通 ) P3.7 RD (外部数据存储器读选通) 同时 P3 口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号； RST：复位输入。当振荡器复位器件时，要保持 RST 脚两个机器周期的高平时间； ALE / PROG ：当访问外部存储器时，地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的低位字节。在 FLASH 编程期间，此引脚用于输入编程脉冲。在平时，ALE 端以不变的频率周期输出正脉冲信号，此频率为振荡器频率的 1/6。因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。然而要注意的是：每当用作外部数据存储器时，将跳过一个
11、ALE 脉冲。如想禁止 ALE 的输出可在 SFR8EH 地址上置 0。此时， ALE 只有在执行 MOVX，MOVC 指令时 ALE 才起作用。另外，该引脚被略微拉高。如果微处理器在外部执行状态 ALE 禁止，置位无效； PSEN：外部程序存储器的选通信号。在由外部程序存储器取址期间，每个机器周期 PSEN 两次有效。但在访问内部部数据存储器时，这两次有效的 PSEN 信号将不出现； EA/VPP：当 EA 保持低电平时，访问外部 ROM；注意加密方式 1 时，EA 将内 部锁定为 RESET；当 EA 端保持高电平时，访问内部 ROM。在 FLASH 编程期间，此引脚也用于施加 12V 编
12、程电源(VPP)； XTAL1：反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入； XTAL2：来自反向振荡器的输出；1TTL非门 编辑组成结构反相器典型 TTL 与非门电路电路组成输入级晶体管 T1 和电阻 Rb1 构成。中间级晶体管 T2 和电阻 Rc2、Re2 构成。输出级晶体管 T3、T4、D 和电阻 Rc4 构成，推拉式结构，在正常工作时，T4和 T3 总是一个截止，另一个饱和。工作原理当输入 Vi=3.6V(高电平)Vb1=3.6+0.7=4.3V 足以使 T1(bc 结)T2(be 结)T3 (be 结 )同时导通, 一但导通Vb1=0.7+0.7+0.7=2.1V(固定值 ),此时
13、 V1 发射结必截止( 倒置放大状态) 。Vc2=Vces+Vbe2=0.2+0.7=0.9V 不足以 T3 和 D 同时导通,反相器T4 和 D 均截止。V0=0.2V (低电平)当输入 Vi=0.2V(低电平)Vb1=0.2+0.7=0.9V 不 足以使 T1(bc 结)T2(be 结)T3 (be 结) 同时导通,T2 T3 均截止, 同时 Vcc-Rc2-T4-D-负载形成通路 ,T4 和 D 均导通。V0=Vcc-VRc2(可略)-Vbe4-VD=5-0.7-0.7 =3.6(高电平)结论:输入高,输出低;输入低,输出高(非逻辑)主要特点TTL 优势：1、工作速度快 2、带负载能力强
14、 3、传输特性好反相器TTL 反相器的电压传输特性电压传输特性是指输出电压跟随输入电压变化的关系曲线，即 UO=f(uI)函数关系。如图 2.3.2 所示曲线大致分为四段：AB 段(截止 区)：当 UI0.6V 时，T1 工作在深饱和状态，Uces1(UTN+|UTP|)。UDD 可在 318V 之间工作，其适用范围较宽。工作原理(1)当 UI=UIL=0V 时，UGS1=0，因此 V1 管截止，而此时|UGS2|反相器|UTP|，所以 V2 导通，且导通内阻很低，所以 UO=UOHUDD， 即输出为高电平.(2)当 UI=UIH=UDD 时，UGS1=UDDUTN，V1 导通，而 UGS2=0|UTP|，因此 V2截止。此时 UO=UOL0，即输出为低电平。 可见，CMOS 反相器实现了逻辑非的功能.CMOS 反相器的主要特性?CMOS 反相器的电压传输特性如图 2.7-2 所示。CMOS 反相器的电流传输特性 2.7-3 图 2.7-2 CMOS 反相器的电压传输特性在 AB 段由于 V1 截止，阻抗很高，所以流过 V1 和 V2 的漏电流几乎为 0。 在 CD段 V2 截止，阻抗很高，所以流过 V1 和 V2 的漏电流也几乎为 0。只有在 BC 段，V1 和V2 均导通时才有电流 iD 流过 V1 和 V2，并且在 UI=1/2UDD 附近，iD 最大。
