1、1,课程概述,电子线路：指包含电子器件、并能对电信号实现某种功能处理的电路。,电路组成：电子器件 + 外围电路,电子器件：二极管、三极管、场效应管、集成电路。,外围电路：直流电源、电阻、电容、电流源电路等。,2,第 1 章 晶体二极管,1.0 概 述,1.1 半导体物理基础知识,1.2 PN 结,1.3 晶体二极管电路分析方法,1.4 晶体二极管的应用,3,概 述,晶体二极管结构及电路符号：,PN 结正偏(P 接 +、N 接 -)，D 导通。,晶体二极管的主要特性：单方向导电特性,PN 结反偏(N 接 +、P 接 -)，D 截止。,即,主要用途：用于整流、开关、检波电路中。,4,1.1 半导体
2、物理基础知识,半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。,硅(Si)、锗(Ge)原子结构及简化模型：,5,硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。,硅和锗共价键结构示意图：,1.1.1 本征半导体,6,本征激发,共价键具有很强的结合力。 当 T = 0 K(无外界影响)时，共价键中无自由移动的电子。,这种现象称,注意：空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。,本征激发。,7,当原子中的价电子激发为自由电子时，原子中留下空位，同时原子因失去价电子而带正电。,当邻近原子中的价电子不断填补这些空位时形成一种运动，该运动可等效地看作是空穴的运动。,注意：空穴运动方向与价电子填补方
3、向相反。,自由电子 带负电,半导体中有两种导电的载流子,空穴的运动,空 穴 带正电,8,温度一定时：激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。,热平衡载流子浓度,热平衡载流子浓度：,nipi 分别代表自由电子与空穴的浓度，k波耳兹曼常数， Ego为热力学零度时破坏共价键所需能量,A常量,9,N 型半导体：,1.1.2 杂质半导体,简化模型：,本征半导体（Si）中掺入少量五价元素构成。,10,P 型半导体,简化模型：,本征半导体中掺入少量三价元素构成。,11,杂质半导体中载流浓度计算,12,1.1.3 两种导电机理漂移和扩散,漂移与漂移电流,载流子在电场作用下的运动称漂移运动，所形成的电流称漂移电
4、流。,总漂移电流密度：,13,半导体的电导率,电压： V = E l,电流： I = S Jt,电阻：,电导率：,14,载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。,扩散电流密度：,扩散与扩散电流,15,1.2 PN 结,利用掺杂工艺，把 P 型半导体和 N 型半导体在原子级上紧密结合，P 区与 N 区的交界面就形成了 PN 结。,N 型,PN 结,16,1.2.1 动态平衡下的 PN 结,阻止多子扩散,利于少子漂移,PN 结形成的物理过程,17,内建电位差：,阻挡层宽度：,注意：掺杂浓度(Na、Nd)越大，内建电位差 VB越大，阻挡层宽度 l0 越小。,18,1.2.2 P
5、N 结的伏安特性,PN 结单向导电特性,I,19,PN 结单向导电特性,IR,结论：PN 结具有单方向导电特性。,20,PN 结伏安特性方程式,PN 结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述：,其中：,IS 为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。,正偏时：,反偏时：,21,PN 结伏安特性曲线,温度每升高 10，IS 约增加一倍。,温度每升高 1， VD(on) 约减小 2.5 mV。,22,1.2.3 PN 结的击穿特性,23,因为 T 载流子运动的平均自由路程 V(BR)。,击穿电压的温度特性,雪崩击穿电压具有正温度系数。,齐纳击穿电压具有负温度系数。,因为 T 价电子
6、获得的能量 V(BR)。,稳压二极管,利用 PN 结的反向击穿特性，可制成稳压二极管。,要求：Izmin Iz Izmax,24,1.2.4 PN 结的电容特性,势垒区内空间电荷量随外加电压变化产生的电容效应。,势垒电容 CT,扩散电容 CD,阻挡层外(P 区和 N 区)贮存的非平衡电荷量,随外加电压变化产生的电容效应。,25,PN 结电容,PN 结反偏时，CT CD ，则 Cj CT,PN 结总电容： Cj = CT + CD,PN 结正偏时，CD CT ，则 Cj CD,故：PN 结正偏时，以 CD 为主。,故：PN 结反偏时，以 CT 为主。,通常：CD 几十 pF 几千 pF。,通常：
7、CT 几 pF 几十 pF。,26,1.3 晶体二极管电路分析方法,晶体二极管的内部结构就是一个 PN 结。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示为不同形式的模型：,便于计算机辅助分析的数学模型,适于任一工作状态的通用曲线模型,27,1.3.1 晶体二极管的模型,数学模型伏安特性方程式,理想模型：,修正模型：,rS 体电阻 + 引线接触电阻 + 引线电阻,注意：考虑到阻挡层内产生的自由电子空穴对及表面漏电流的影响，实际 IS 理想 IS。,28,曲线模型伏安特性曲线,晶体二极管的伏安特性曲线，通常由实测得到。,29,简化电路模型,折线等效：在主要利用二极管单向导电性的电路中，实际二极管
8、的伏安特性。,理想状态：与外电路相比，VD(on) 和 RD 均可忽略时，二极管的伏安特性和电路符号。,开关状态：与外电路相比，RD 可忽略时的伏安特性。,简化电路模型：折线等效时，二极管的简化电路模型。,30,小信号电路模型,rs：PN 结串联电阻，数值很小。,rj：为二极管增量结电阻。,Cj：PN 结结电容，由 CD 和 CT 两部分构成。,注意：高频电路中，需考虑 Cj 影响。因高频工作时，Cj 容抗很小，PN 结单向导电性会因 Cj 的交流旁路作用而变差。,31,图解法,分析二极管电路主要采用：图解法、简化分析法、小信号等效电路法。(重点掌握简化分析法),写出管外电路直流负载线方程。,
9、1.3.2 晶体二极管电路分析方法,利用二极管曲线模型和管外电路所确定的负载线，通过作图的方法进行求解。,要求：已知二极管伏安特性曲线和外围电路元件值。,分析步骤：,作直流负载线。,分析直流工作点。,优点：直观。既可分析直流，也可分析交流。,32,例 1 已知电路参数和二极管伏安特性曲线，试求电路的静态工作点电压和电流。,Q,由图可写出直流负载线方程：V = VDD - IR,在直流负载线上任取两点：,解：,VDD,VDD/R,连接两点，画出直流负载线。,VQ,IQ,令 I = 0，得 V = VDD；,令 V = 0，得 I = VDD / R；,所得交点，即为 Q 点。,33,简化分析法,
10、即将电路中二极管用简化电路模型代替，利用所得到的简化电路进行分析、求解。,将截止的二极管开路，导通的二极管用直流简化电路模型替代，然后分析求解。,(1)估算法,判断二极管是导通还是截止？,假设电路中二极管全部开路，分析其两端的电位。,理想二极管：若 V 0，则管子导通；反之截止。,实际二极管：若 V VD(on)，管子导通；反之截止。,当电路中存在多个二极管时，正偏电压最大的管子优先导通。其余管子需重新分析其工作状态。,34,例 2 设二极管是理想的，求 VAO 值。,图(a)，假设 D 开路，则 D 两端电压：,VD = V1 V2 = 6 12 = 18 0 V，,解：,故 D 截止。,V
11、AO = 12 V。,图(b)，假设 D1、D2 开路，则 D 两端电压：,VD1=V2 0 = 9 V 0 V，,VD2 = V2 (V1) = 15 V 0 V。,由于 VD2 VD1 ，则 D2 优先导通。,此时 VD1 = 6 V 0 V，,故 D1 截止。,VAO = V1 = 6 V 。,35,(2)画输出信号波形方法,根据输入信号大小 判断二极管的导通与截止 找出 vo 与 vi 关系 画输出信号波形。,例 3 设二极管是理想的，vi = 6sint (V)，试画 vo波形。,解：,vi 2 V 时，D 导通，则 vO = vi,vi 2 V 时，D 截止，则 vO = 2 V,
12、由此可画出 vO 的波形。,36,小信号分析法,即将电路中的二极管用小信号电路模型代替，利用得到的小信号等效电路分析电压或电流的变化量。,分析步骤：,将直流电源短路，画交流通路。,用小信号电路模型代替二极管，得小信号等效电路。,利用小信号等效电路分析电压与电流的变化量。,37,1.4 晶体二极管的应用,电源设备组成框图：,38,整流电路,1.4.1 整流与稳压电路,当 vi 0 V 时，D 导通，则 vO = vi,当 vi 0 V 时，D 截止，则 vO = 0 V,由此，利用二极管的单向导电性，实现了半波整流。,若输入信号为正弦波：,平均值：,39,稳压电路,某原因 VO IZ I ,限流电阻 R：保证稳压管工作在 Izmin Izmax 之间,稳压原理：,VO = VZ,输出电压：,40,1.4.2 限幅电路(或削波电路),V2 vi V1时，D1、D2 截止，vo = vi,Vi V1时，D1导通、D2 截止，vo = V1,Vi V2 时，D2 导通、D1 截止，vo = V2,由此 ，电路实现双向限幅功能。,其中：V1 为上限幅电平， V2 为下限幅电平。,
