1、第二章干法刻蚀的介绍2. 1 刻蚀、干法刻蚀和湿法腐蚀2. 1 .1 关于刻蚀刻蚀，是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目的，是在涂胶(或有掩膜 )的硅片上正确的复制出掩膜图形 1。刻蚀，通常是在光刻工艺之后进行。我们通常通过刻蚀，在光刻工艺之后，将想要的图形留在硅片上。从这一角度而言，刻蚀可以被称之为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。在通常的刻蚀过程中，有图形的光刻胶层或掩膜层)将不受到腐蚀源显著的侵蚀或刻蚀，可作为掩蔽膜，保护硅片上的部分特殊区域，而未被光刻胶保护的区域，则被选择性的刻蚀掉。2.1.2 干法刻蚀与湿法刻蚀在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺
2、：干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀，是利用气态中产生的等离子体，通过经光刻而开出的掩蔽层窗口，与暴露于等离子体中的硅片行物理和化学反应，刻蚀掉硅片上暴露的表面材料的一种工艺技术法1。该工艺技术的突出优点在于，可以获得极其精确的特征图形。超大规模集成电路的发展，要求微细化加工工艺能够严格的控制加工尺寸，要求在硅片上完成极其精确的图形转移。任何偏离工艺要求的图形或尺寸，都可能直接影响产品性能或品质，给生产带来无法弥补的损害。由于干法刻蚀技术在图形轶移上的突出表现，己成为亚微米尺寸下器件刻蚀的最主要工艺方法。在特征图形的制作上，已基本取代了湿法腐蚀技术。对于湿法腐蚀，就是用液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等
3、) 以化学的方式去除硅片表面的材料。当然，在通过湿法腐蚀获得特征图形时，也要通过经光刻开出的掩膜层窗口，腐蚀掉露出的表面材料。但从控制图形形状和尺寸的准确性角度而言，在形成特征图形方面，湿法腐蚀一般只被用于尺寸较大的情况(大于 3 微米) 。由于这一特点，湿法腐蚀远远没有干法刻蚀的应用广泛。但由于它的高选择比和批量制作模式，湿法腐蚀仍被广泛应用在腐蚀层间膜、去除干法刻蚀残留物和颗粒等工艺步骤中。2. 2 干法刻蚀的原理2. 2. 1 干法刻蚀中的等离子体干法刻蚀工艺是利用气体中阴阳粒子解离后的等离子体来进行刻蚀的。所谓的等离子体，宇宙中 99%的物质，均处于等子状态。其中包含了中性的粒子、离子
4、和电子，它们混合在一起，表现为电中性。在干法刻蚀中，气体中的分子和原子，通过外部能量的激发，形成震荡，使质量较轻的电子脱离原子的轨道与相邻的分子或原子碰撞，释放出其他电子，在这样的反复过程中，最终形成气体离子与自由活性激团。而干法刻蚀，则利用了气体等离子体中的自由活性激团与离子，与被刻蚀表面进行反应，以此形成最终的特征图形 2。2.2.2 干法刻蚀的特征干法刻蚀与湿法腐蚀工艺利用药液处理的原理不同，干法刻蚀在刻蚀表面材料时，既存在化学反应又存在物理反应。因此在刻蚀特性上既表现出化学的等方性，又表现出物理的异方性。所谓等方性，是指纵横两个方向上均存在刻蚀。而异方性，则指单一纵向上的刻蚀。 2.2
5、. 3 干法刻蚀过程我们可以了解到干法刻蚀的主要过程。反应腔体内气体等离子体中的离子，在反应腔体的扁压作用下，对被刻蚀的表面进行轰击，形成损伤层，从而加速了等离子中的自由活性激团在其表面的反应，经反应后产生的反应生成物，一部分被分子泵从腔体排气口排出，一部分则在刻蚀的侧壁上形成淀积层。干法刻蚀就是在自由活性激团与表面反应和反应生成物不断淀积的过程中完成的。离子轰击体现了干法刻蚀的异方性，而由于侧壁的淀积，则很好的抑制了自由活性激团反应时，等方性作用对侧壁的刻蚀 3。正因为干法刻蚀这一物理反应和化学反应相结合的独特方式，在异方性和等方性的相互作用下，可以精确的控制图形的尺寸和形状，体现出湿法刻蚀
6、无法比拟的优越性，成为亚微米图形刻蚀的主要工艺技术之一。 随着微细化加工的深入发展，干法刻蚀工艺技术已贯穿了整个制品流程，参与到了各个关键的工艺工序中。从器件隔离区、器件栅极、LDD 侧壁保护、接触孔与通孔、孔塞、上下部配线的形成，到金属钝化以及光刻胶的剥离与底部损伤层的修复，均涉及了干法刻蚀技术。2.3 . 1 刻蚀气体的分类主要分为：惰性系、腐蚀系、氧化系以及 C，F 系。2. 3. 2 刻蚀反应的分类刻蚀反应，包括了物理反应和化学反应。根据等离子体中自由活性激团与主要表面材料的刻蚀反应，其基本化学反应式可归纳为如下几种。SiO2: 3SiO2+4CF3*3SiF 4 +2 CO+2CO2
7、 Si: Si+4F*SiF 4 Si+4C1*SiCl 4 W: W+6F*WF 6A1: A1+3C1*A1C1 3当然，在实际的刻蚀过程中，根据加工工序的要求，以及被刻蚀图形的膜层结构，还包括了上述以外的其他材料。如，金属刻蚀中的 Ti, TiN；金属配线层之间的有机或无机silica；钝化刻蚀中的 SiON3；以及其他介质膜刻蚀中的 SiN 等。2.3.3 刻蚀应用的分类干法刻蚀，主要应用在图形形成工艺中。随着在生产制造上的广泛应用，针对图形加工，干法刻蚀可细致的被分为：有图形刻蚀和无图形刻蚀两大类。大部分干法刻蚀工艺，涉及有图形刻蚀。而对于部分无图形刻蚀，仍然可以通过干法刻蚀来完成。
8、如，LDD 侧壁、孔塞、光刻胶的剥离。虽然在前儿节中曾描述了无图形刻蚀是湿法腐蚀的项目之一。但根据生产工艺的需要，在部分关键的无图形刻蚀中，均采用了干法刻蚀技术。除剥离工艺外，类似这样的全面干法刻蚀，通常被称为回刻(即，ETCH BACK)。如，LDD 的侧壁刻蚀。LDD 侧壁的形状和尺寸的好坏，会直接影响器件的特性，用干法刻蚀进行刻蚀的控制是最好的选择。加上湿法腐蚀对于氧化膜的腐蚀作用和等方性特征，是无法形成 LDD 侧壁的特殊形貌的。另外，在钨塞的形成工艺中，采用了钨的干法回刻工艺。湿法的全面腐蚀是无法精确控制钨塞损失量的。而在剥离方面，如 STI 氮化硅剥离和钦在制备晶体管侧墙注入时与硅
9、化物结合后的剥离。对光刻胶而言，则是另一个干法剥离的例子。另外，根据各加工工序、被刻蚀材料膜质的不同，干法刻蚀工艺又可以被细分成如下几项：a.硅基板刻蚀(silicon etch)。由于微细化的要求，栅极寸法越来越小，配线间的寸法要求 也非常严格，为防止配线间的短路和确保光刻时的寸法精度，要求在形成器件隔离区 时须具备较高的平坦度。因此，对于隔离区的刻蚀已从原先的氮化膜刻蚀逐步发展为 硅基板+ 氮化膜刻蚀。当然，除隔离区的形成外，在一些大功率管的制造过程中也 采用了硅基板刻蚀。b.氮化膜刻蚀(SiN etch)。如前所述，多用于器件隔离区的刻蚀。此外，还运用在特殊的 LDD 侧墙形成的工艺中。
10、但由于刻蚀工程中的金属污染问题，此类刻蚀必须与隔离区 的刻蚀设备分离使用。c.金属多晶硅刻蚀(W-silicide etch)。多用于栅极刻蚀。在一些 foundry 产品中，也用于电 容形成时的刻蚀。其涉及的工序主要包括 LDD 侧墙、容量、接触孔与通孔的刻蚀。 同样由于微细化的发展，为形成极小寸法的栅极，在栅极刻蚀中已大量采用氧化膜代 替树脂光刻胶作为掩膜，因此回涉及到氧化膜刻蚀进行刻蚀。同样，考虑到栅极部分 的金属污染，此类设备应与其他氧化膜刻蚀。如上各工序的设备必须注意分离使用 4 。e.多晶硅刻蚀(poly-silicon etch)。此类刻蚀多运用于回刻工序。如，DOPOS 膜添埋
11、后的 回刻等。f.金属刻蚀(metal etch)。涉及各种金属配线、金属回刻工序和接触金属刻蚀。包括钨、 铝、 钦、氮化钦、孔塞和金属硅化物的刻蚀。g.金属钝化刻蚀(SioN3 etch )。运用在器件层完全形成后，最上部 PAD 引线图形形成的 工序中。由于在刻蚀过程中下部金属配线的关系，此类设备也必须与同类非金属膜刻 蚀设备严格区分。h.去胶刻蚀(Ash etch)。由于设备本身与刻蚀工序的特殊性，它与上述刻蚀设备存在较大 区别。它对应的工序较为广泛，不仅运用于干法刻蚀后的去胶、损伤层的修复。还应 用在离子注入后晶格修复、亲疏性处理等工艺工序中。综上所述，干法刻蚀根据被刻蚀的材料类型，可
12、系统的分成三种。即，金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅、氮化硅等。上述涉及介质的刻蚀，均属于介质刻蚀。硅刻蚀(包括多晶硅) ，应用于需要去除硅的场合，如刻蚀多晶硅晶体管栅和硅槽电容等。金属刻蚀，则主要在金属层上去掉铝合金复合层，制作出互连线。关于钨的刻蚀，从目前的亚微米芯片制造来看，钨配线在制程过程中已很少被采用，与钨刻蚀相关的刻蚀工艺，大多为钨塞的回刻工艺。至于接触金属刻蚀，是指金属硅化物的刻蚀。金属硅化物是难熔金属与硅的合金。接触金属等离子刻蚀与通常的金属配线刻蚀略有不同，主要采用氟基气体( 如，NF 3 和 SF6 )，在增大刻蚀速率的情况下，具有良好的
13、尺寸控制特性。在接触金属刻蚀中，形成接触的部分是一个自对准工艺。因此，在刻蚀时往往不需要光刻胶或其他种类的掩蔽膜。另外，当芯片制造的设计规格降到 0.15 微米线宽时，另一种金属互连线工艺，铜配线工艺，已被生产和使用。由于该工艺并不采用金属刻蚀，而是利用介质刻蚀形成互练线槽，在电化学淀积铜后，采用化学机械抛光工艺最终形成配线。因此，在本论文中，将不作为金属刻蚀的范畴，进行详细讨论。2. 4 干法刻蚀设备2. 4. 1 干法刻蚀反应器讨论干法刻蚀设备，先要介绍一下等离子刻蚀反应器。干法等离子反应器有以下儿种类型： 圆桶式等离子体反应器;平板 (平面)反应器;顺流刻蚀系统;三极平面反应器;离子铣;
14、 反应离子刻蚀(RIE );高密度等离子体刻蚀机 5。考虑到目前半导体制造业的现状和发展趋势，本节将介绍和讨论目前的一些主流设备。从干法刻蚀等离子形成的方式而言，干法刻蚀方式主要包括有机放电和无机放电两大类。有电极放电主要有:R 工 E-Reactive Ion Etch(高周波、低周波、 2 周波、相位制御)。无电极放电主要为:诱导放电、 U 波、ECR-Electron Cycbrton Resonance 6。所谓低周波，是指采用 400kHz 低周波的放电模式。上下部电极共用一个 RF 电源，离子追随底周波电界 Vpp 运动，可获得较大的离子能量，适用于氧化膜刻蚀。至于高周波，将在下文
15、中介绍反应离子刻蚀(RIE)反应器时，进行相关描述。所谓 2 周波，则指在上部电极加载 27MHz 的周波，产生中密度的等离子体，在下部电极加载 800kHz 的周波，制御离子能量。这时，等离子密度与离子能量是分别独立控制的。此类装置适合于氧化膜刻蚀。所谓相位制御，是指上下部电极间加载 13. 56MHz 周波后，上下部的电源间由相位控制器(phase controller)进行位相制御。由位相控制离子能量，此类装置适合 poly-silicon 与poly-silicide 刻蚀。RIE 反应离子刻蚀腔体，该干法刻蚀进行时，在高真空腔体内，导入气体。在平行电极板之间，加载 13. 56MHz
16、 高周波，使导入的气体分子解离，产生离子和具有高反应性能的自由活性激团，用于其后的刻蚀反应。这一特性，体现出干法刻蚀的化学特性，即等方性。在上下极板之间产生直流自偏置电压(DC bias)，放置硅片的下部电极则处于负电位状态，等离子中的正离子在负电位的牵引下，得到加速，到达硅片表面。这一特点，体现了干法刻蚀的物理特性，即异方性。使得朝硅片运动的离化基具有方向性，以此获得较好的侧壁图形。RIE 刻蚀适用于氮化膜、氧化膜以及较早时期的钨刻蚀 7。诱导放电刻蚀腔体，在上部线圈上加载 2MHz RF，形成等离子体，并由下部电极加载13. 56MHz 的 RF，用于控制离子能量。诱导放电模式中，等离子体
17、密度与离子能量可以独立的被控制。同时，由于上部线圈的高 RF，使这一诱导放电模式，可获得高密度的等离子体。此类设备，非常适用于铝、钨等金属膜质的刻蚀.作为诱导放电方式，包括了电子回旋加速反应器(ECR)、电感祸合(ICP )、双等离子体源反应器和磁增强反应离子刻蚀反应器(MERIE)等多种类型的反应器，被广泛的应用于高密度等离子体刻蚀机中.高密度等离子体技术，更有效的使输入功率祸合等离子体，产生较大的刻蚀基分解，从而获得 10%的离化率，产生高方向性的低能离子，在高深宽比图形中获得各向异性刻蚀。利用微波(F=2. 45GHz)实现高压领域(1Torr) 无电极放电。其产生的离子能量较低，在刻蚀
18、中体现出等方性的特征。此类设备，应用在去胶刻蚀工艺中，并对部分工艺的表面损伤进行微刻蚀修复。可根据工艺需要，设定温度，常有高、低温去胶设备之分。如上所述，仅从等离子体形成的角度，简单的介绍了干法刻蚀相关的刻蚀反应腔体。而实际的刻蚀腔，要相对复杂得多。如图 2. 4-4 DPS 金属刻蚀腔体的控制界面图所示。从图中我们可以看到，工艺气体从腔体上部经流量控制系统流入腔体，经刻蚀反应的气体再通过分子泵，从排气口排出，经下部的干泵最终送入除害筒回收。同时，在腔体下部另有气体控制系统，在对腔体吹扫及硅片搬送等动作时，进行系统用气的控制。从图的左侧，还可以看到，RF 功率及温度等控制界面。另外，从整个刻蚀
19、系统而言，除刻蚀腔外，还有对准腔、搬送腔、冷却腔甚至去胶腔等腔体。如图 2. 4-5 高密度等离子体刻蚀机所示。这些腔体，将根据刻蚀类型的不同，进行不同的组合。如，金属刻蚀机需要自带去胶腔，而介质膜等刻蚀却不需要。而且，从系统的角度来看，干法刻蚀系统，包括了气体流量制控制系统、RF 输出系统、腔体温度控制系统、硅片的温度控制系统、压力控制系统、终点检出系统以及气体除害系统等，对应这些系统将有更多的相应装置，在本节中将不作为重点一一详述。2.4.2 终点检测系统终点检测系统，是干法刻蚀除等离子刻蚀反应腔体外，又一重要的系统。在干法刻蚀过程中，被刻蚀层材料与最终刻蚀停止层的材料之间往往没有好的选择
20、比，所以需要通过终点检测系统来监控刻蚀过程，判断刻蚀停止的最佳位置，以减少对刻蚀停止层的的过度刻蚀。终点检测系统，是利用等离子体发光强度的变化来进行检测的。当检测刻蚀气体的发光强度时，通常在终点检出后，检出波形上升。而当检测反应生成物的发光强度时，在终点检出后，检出波形下降。而作为检出的终点，也就是刻蚀停止的地方，则发生在波形上升或下降的拐点附近。对于终点的具体检出位置，将依据检出窗口的大小，停止在波形变化的某一个区域。较为普遍的终点检测方法，是采用光发射谱，可以很方便的对刻蚀腔体进行实时监测。关于终点检出的波形，可以根据发光强度变化量的一次或二次微分换算而成。了解终点检测的波形形成方式，掌握
21、终点检测窗口的设置，对于准确设置刻蚀工艺条件，是非常重要的。2. 5 干法刻蚀的刻蚀参数与工艺参数2. 5. 1 干法刻蚀的刻蚀参数刻蚀速率、刻蚀速率均一性、选择比是干法刻蚀最主要的刻蚀参数。刻蚀速率是指刻蚀过程中去除表面材料的速度，通常用 A/min 表示。通常对于量产，为提高产能，希望有较高的刻蚀速率。在采用单片工艺的干法刻蚀设备中，这一参数是非常重要的。刻蚀速率的计算公式如下 1ER (etch rate)=T/tER：刻蚀速率；T：刻蚀量；t ：刻蚀时间；刻蚀量单位为(A 或 m)，刻蚀时间单位为分钟(min)刻蚀速率由工艺和设备变量决定。如，被刻蚀材料类型、刻蚀机的结构配置、使用的气
22、体和工艺参数设置。刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。硅片表面儿何形状等因素不同，可造成不同的硅片之间不同的刻蚀速率。如，被刻蚀的面积较大，则会消耗较多的刻蚀剂，也就是说大部分气相刻蚀基在等离子反应过程中被消耗了，刻蚀剂浓度下降，刻蚀速率就随之减慢。反之，需刻蚀的面积较小，刻蚀速率就相对快些。这种现象，被称为负载效应。对于负载效应带来的刻蚀速率的变化，在有效的终点检测中起着重要的作用。刻蚀速率的均一性，直接影响刻蚀整体的均匀性，是保证硅片刻蚀图形一致性的基础参数。其计算公式如下 1Ux=士 Eave/2 (Emax-Em i n)*100%E：面内各点刻蚀速率的平均值；Emax：面内刻蚀速率最大值
23、；Emin：面内刻蚀速率最小值；x：被刻蚀材料 x 的速率均一性，Ux 的单位为( 士%)等离子密度的分布、刻蚀腔体的构造均会影响刻蚀速率的均一性。一般而言，刻蚀速率的均一性受刻蚀腔体的限制，不同的刻蚀设备之间，在某一刻蚀速率的均一性上会有差别，体现出不同设备的性质。选择比，指在同一种刻蚀条件下，被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比值。如，对光刻胶的选择比计算公式，如下所示1：Sr=Ef/ErSr：对光刻胶的选择比，E f:：被刻蚀材料刻蚀速率，Er：光刻胶刻蚀速率选择比低可以低到 1:1，意味着被刻材料和另一种材料被去除的一样快。而选择比高可以高到 100:1 甚至 100 以上，
24、意味着被刻蚀材料相对与另一种材料易被去除，而在去除过程中，不影响对另一种材料的刻蚀，将过刻蚀影响降致最低。至于刻蚀条件中，应使用多高的选择比，则应根据被刻蚀膜膜质的情况、图形的结构和对所要刻蚀图形的形状、尺寸的要求，来选择适当的选择比。选择比高，有利于刻蚀高宽比较高的图形。但，对于多层膜结构的图形，在进行层间刻蚀时，则不适合使用选择比高的刻蚀条件。另外，干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的选择比。因此，一个终点检测系统，对于等离子体刻蚀机来说，是至关重要的。它可以避免最小的过刻蚀影响。在刻蚀过程重，当下一层材料正好露出时，可以被终点检测系统检出，从而触发刻蚀机控制器，停止刻蚀。基于以上基本
25、参数，我们可以根据工艺的需要，在调整实际刻蚀工艺参数时，对这些基础刻蚀参数进行选择和组合，以获得满足需要的刻蚀图形。关于相关的工艺参数，将在后续段落中进行说明。另外，从刻蚀管理的角度而言，除如上三种基本刻蚀参数外，刻蚀的整体均匀性、腔体之间的工艺差、刻蚀中的颗粒污染、残留物、等离子损伤等，均属于刻蚀参数范畴。它们将在刻蚀的整个工艺评价中，被逐一确认。只有既达到刻蚀参数的要求，又能刻蚀出符合规格的图形，这样的刻蚀条件，才能被应用在实际的量产中。2.5.2 干法刻蚀的工艺参数干法刻蚀的工艺参数，一般指刻蚀条件中可以被调整的条件项目。即，刻蚀条件中的工艺气体的流量、各工艺气体之间的比例、腔体的压力、
26、腔体上下电极上设定的功率、下部电极的温度(及腔壁的设定温度 )、终点检测系统中检测窗口的设定参数 9。通常我们利用工艺参数与刻蚀参数之间的关系，来制定可以满足规格图形需要的刻蚀条件。比如，对于一些尺寸规格较小的接触孔图形，在干法刻蚀的过程中，常会出现中途刻蚀停止的现象，这往往是由于反应聚合物在孔内侧壁聚积引起的。由于接触孔的孔径较小，内壁上聚合物的堆积回阻止等离子自由活性激团进一步进入孔的底部，最终导致刻蚀停止。针对这种的情况，我们可以适当增加下部电极的功率和降低淀积气体的比例来进行改善。下部电极功率参数可以增加等离子的直进性，也就是物理异方性，达到垂直刻蚀的效果，这样可以减少内壁上的反应聚合
27、物的淀积。另外，降低淀积气体的比例，是指刻蚀条件中对于淀积气体的设定。所胃淀积气体，是指相对于与表面材料发生反应的主刻蚀气体外的辅助气体，它们可以在刻蚀反应中，帮助产生一些容易淀积的聚合物，反应聚合物淀积在侧壁上，保护侧壁不被刻蚀，从而确保良好的刻蚀形状。但适当降低该气体的比例，可以改善刻蚀停止的问题。然而，任何一个工艺参数的变化都会引起刻蚀参数的变化。如，功率变化或气体比例的变化，会引起刻蚀速率的变化。硅片面内各点的速率变化了，意味着面内的均一性会发生变化。同时，随着速率的变化，相对于某种表面材料的选择比也发生了变化。因此说，工艺参数和刻蚀参数之间有着密切的关系。我们虽然推断，通过改变某些工
28、艺参数可能改善图形或解决刻蚀中出现的问题。但是，我们必须制定出适当的工艺条件。比如，按如上的分析，我们增加了下部电极的功率，刻蚀停止的问题可能解决了。但由于功率的增加，刻蚀速率变快了，光刻胶对于该刻蚀材料的选择比降低了，导致整个孔径尤其是开口处的尺寸或形状恶化了。这样的条件，解决了停止问题，却仍然不能在生产中应用。因此说，调整工艺参数是一个权衡利弊，掌握平衡的过程。掌握工艺参数与刻蚀参数之间的关系非常重要，它可以帮助我们较为全面的判断和制定出一个完善的工艺条件。所以，制定刻蚀条件是一种技能。一个优秀的刻蚀工艺工程师，可以在较短的时间内通过准确的数据分析和判断，确立并完善刻蚀条件，使之应用在生产
29、中，解决实际的生产问题。关于工艺参数和刻蚀参数的具体取样、分析及最终图形确认的研究，将于下一章节，在金属刻刻蚀的具体课题研究中，进行详细的阐述。1 Michael Quirk & Julian Serda, Semiconductor Manufacturing Technology，Copyright c， Published by Person Education，Inc.，publishing as Prentice HALL，2001.，page187 and page404.2 小野，武谷，大森 NEC 中坚技术者教育资料，Vol. 3 ，page2823 J.A. Mucha an
30、d D. W.Hess,“Plasma Etching“ in Introduction toMicrolithography,Advanced in chemistry Series.Vol .219. Amer.Chem.Soc. (Japanese Version) 1983, page215.4 Y. Lii,“Etching,“ ULSI Technology, ed. C. Chang and S. Sze (New York:McGraw-Hill， 1996) page342.5 颜燕，半导体工艺与半导体设备的关系，微电子技术，2002,Vol.30, No. 36 Sawin
31、 et al, Proc. Of 8th Plasma Symposium, Electronchem.Soc，page2l7 T. Watanable and Y. Yoshida.“Dielectric Preakdown of Gas Insulator due to R 工 E“，Solid State Technol.，Apr i 1. 1984.，page213.8 J.Coburn,J.Appl. Phys.48, 3532 (1979)9 盛金龙，IC 制造中清洗技术发展的分析，China Electronic Testing andManufactory Network,1003 一 353X(2006)03 一 0166 一 04
