1、附件 7：南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样一、页面设置：上 2.54cm,下 2.54cm,左 3.67cm,右 2.67cm,页眉 1.5cm,页脚1.75cm，行间距 1.35 倍。二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract、目录用罗马数字 (I，II，III)编排，从正文第一章开始按照阿拉伯数字（1，2，3）编排。四、摘要1 中文摘要：标题小二号宋体加粗， “专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体， “摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体， “关键词”三字小
2、四号宋体加粗，2 英文摘要：标题小二号 Times New Roman 体加粗， “Abstract” 四号Times New Roman 体；“ Abstract” 内容小四号 Times New Roman 体，“Keyword”小四号 Times New Roman 体加粗。五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。六、图表：图表内容五号宋体。七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号 Times New Roman 体。八、致谢：“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。具体书写式样如下：密级： NANCHANG UNIVERSITY学 士 学
3、位 论 文THESIS OF BACHELOR（20 20 年）题 目 学 院： 系 专业班级： 学生姓名： 学号： 指导教师： 职称： 起讫日期： 校名外文（大写）Times New Roman，四号，居中宋体，30 磅，居中Times New Roman，四号，居中中文：宋体；数字：Times New Roman四号，居中校徽标识（cm）3.333.33，居中宋体，三号，居中宋体，四号，居中注意线条长度一致页面设置：上 2.54cm,下 2.54cm,左 3.67cm,右 2.67cm，页眉 1.5cm,页脚 1.75cm ,1.35 倍行距，应用于整篇文档宋体，四号，居右校名标识（cm）
4、1.886.59，居中南 昌 大 学学士学位论文原创性申明本人郑重申明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式表明。本人完全意识到本申明的法律后果由本人承担。作者签名： 日期：学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权南昌大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复
5、制手段保存和汇编本学位论文。保密，在 年解密后适用本授权书。本学位论文属于不保密。（请在以上相应方框内打“” ）作者签名： 日期：导师签名： 日期：此页可直接下载摘要IIII- 族氮化物及其高亮度蓝光LED 外延片的 MOCVD 生长和性质研究专 业： 学 号：学生姓名： 指导教师： 摘要宽禁带 III族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自 1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了 GaN 基蓝光 LED 外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产 Ga
6、N 基 LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究 GaN 基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度 GaN 基 LED 外延材料提供科学依据。本文在自制常压 MOCVD 和英国进口 MOCVD 系统上对 III族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光 LED 外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的
7、衬底上生长单晶膜的思想，并在 GaN 外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN 外延膜的结晶性能，使 GaN 基蓝光 LED 器件整体性能大幅度提高，大大降低了 GaN 基蓝光 LED 的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家 863 计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱 宋体，小二号，居中宋体，五号，对齐居中页眉：中文宋体，五号，居中标题：宋体，四号，两端对齐，1.35 倍行距内容：中文宋体，外文字符 Times New Roman，小四，两端对
8、齐，1.35 倍行距关键词：“关键词”三字加粗，关键词用“；”分隔AbstractIIStudy on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED wafersAbstractGaN based - nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electro
9、nic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blu
10、e LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouragin
11、g results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was
12、 decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse vol
13、tage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling ；Optical absorption页眉：外文 Times New Roman，五号，居中Times New Roman，小二号，居中标题：Times New Roman，四号，两端对齐，1.35 倍行距内容：Times New Roman，小四，两端对齐，1.35 倍行距关键词：“Keyword
14、”三字加粗，关键词用“；”分隔 目录III目录摘要Abstract第一章 GaN 基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论” ） 11 .1 III 族氮化物材料及其器件的进展与应用 11. 2 III 族氮化物的基本结构和性质 41. 3 掺杂和杂质特性 121. 4 氮化物材料的制备 131. 5 氮化物器件 191. 6 GaN 基材料与其它材料的比较 221. 7 本论文工作的内容与安排 24第二章 氮化物 MOCVD 生长系统和生长工艺 312. 1 MOCVD 材料生长机理 312. 2 本论文氮化物生长所用的 MOCVD 设备 32结论136参考文献（References） 13
15、8致谢150宋体，小三号，居中目录内容：中文宋体，英文和数字 Times New Roman，小四页码编号：摘要,Abstract 使用页码“I,II,” ；正文开始使用页码“1,2,3,” ；小节标题左侧缩进 1 字符；页码数字居中对齐 第一章 GaN 基半导体材料及器件进展- 1 -第一章 GaN 基半导体材料及器件进展1 .1 III 族氮化物材料及其器件的进展与应用在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以 Si 为代表的第一代半导体诞生于 20 世纪 40 年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以
16、GaAs 为代表的第二代半导体诞生于 20 世纪 60 年代，它们成为制作光电子器件的基础。III 族氮化物半导体材料及器件研究历时 30 余年，前 20年进展缓慢，后 10 年发展迅猛。由于 III 族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。12 III 族氮化物的基本结构和性质表 1-1 用不同技术得到的带隙温度系数、 Eg0、 c 和 T0 的值样品类型 实验方法带隙温度系数dEg/dT(eV/K)T
17、=300KEg0(eV) c (eV/K) T0 (K) 参考文献GaN/Al2O3 光致发光 -5.3210-4 3.503 5.0810-4 -996 61GaN/Al2O3 光致发光 3.489 7.3210-4 700 59GaN/Al2O3 光致发光 -4.010-4 -7.210-4 600 62GaN/Al2O3 光吸收 -4.510-4 3.471 -9.310-4 772 63章标题：中文宋体，英文 Times New Roman，四号居中节标题：中文宋体，英文 Times New Roman，四号居左正文文字：中文宋体，英文 Times New Roman，小四，两端对齐，
18、段落首行左缩进 2 个汉字符，行距 1.35 倍（段落中有数学公式时，可根据表达需要设置该段的行距） ，段前 0 行，段后 0 行。表标题置于表的上方，中文宋体，英文 Times New Roman ，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文 Times New Roman，五号，行距 1.35。第一章 GaN 基半导体材料及器件进展- 2 -加热电阻气流测温元件 测温元件图 1-1 热风速计原理图标题置于图的下方，中文宋体，英文 Times New Roman ，五号加粗居中，图序与图名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文 Times New Roma
19、n，五号，行距 1.35。第二章 氮化物 MOCVD 生长系统和生长工艺- 31 -第二章 氮化物 MOCVD 生长系统和生长工艺2.1 MOCVD 材料生长机理转换控制频率设置波形数据设置图 2-1 DDS 方式 AWG 的工作流程频率信 号 源频率控 制 器地址发生 器波形存储 器转换器滤波器参考文献- 138 -参考文献1 WellMultiple-modulator fraction-n dividerPUS Patent，50381171986-02-022 Brian MillerA multiple modulator fractionl dividerJIEEE Transac
20、tion on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-5833 万心平，张厥盛集成锁相环路原理、特性、应用M 北京：人民邮电出版社，1990302-3074 MilerFrequency synthesizersP US Patent，46098811991-08-065 Candy J CA use of double-integretion in sigma-delta modulationJIEEE Trans Commun，1985，33(COM)：249-2586 丁孝永调制式小数分频锁相研究D 北京：航天部第二研究院，1997
21、标题：中文宋体，四号，居中常见参考文献格式：科技书籍和专著：编著者译者书名M（文集用C ） 版本出版地：出版者，出版年页码科技论文：作者篇名J刊名，出版年，卷号（期号）：页码作者篇名单位博（硕）论文，年参考文献必须标明文献类型标志：普通图书 M；会议录 C；汇编 G；报纸 N；期刊 J；学位论文 D；报告 R；标准 S；专利 P；数据库 DB；计算机程序 CP；电子公告 EB。电子文献载体类型标志：磁带 MT；磁盘 DK；光盘 CD；联机网络 OL。参考文献内容：中文宋体，英文 Times New Roman，四号，1.35 倍行距，参考文献应在文中相应地方按出现顺序标引。致谢- 150 -致谢图为几种算子的检测结果：标题：宋体，四号，居中。内容：宋体，小四，1.35 倍行距，两边对齐。致谢- 151 -
