1、第1章 光电技术基础,教学内容： 1-3 物体热辐射 1-4 辐射度参数与光度参数的关系 1-5 半导体对光的吸收 1-6 光电效应,教学基本要求： 一 掌握 黑体的辐射定律以及热辐射体的色温意义。 二 熟练掌握 辐射度参数与光度参数的转换关系。 三 掌握 半导体的本征吸收和杂质吸收的意义和条件。 四 熟练掌握 光电导效应和光生伏特效应。,1.3 物体热辐射,物体通常以两种不同形式发射辐射能量。 热辐射物体靠加热保持一定温度使内能不变而持续辐射。连续光谱；是温度的函数。 发光物体靠外部能量激发的辐射。非连续光谱；不是温度的函数。,电致发光（electroluminescent 英文缩写EL ）
2、通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子解级的跃进、变化、复合导致发光的一种物理现象。P-N结发光器件（LED，发光二极管）。 光致发光用光激发发光体引起的发光现象。 日光灯 气体放电灯 通过气体放电将电能转换为光的一种电光源。气体放电的种类很多,用得较多的是辉光放电和弧光放电。辉光放电一般用于霓虹灯和指示灯。弧光放电有很强的光输出 。 热发光白炽灯,1.3.1 黑体辐射定律 1.黑体黑体能够完全吸收从任何角度入射的任何波长的辐射，并且在每一个方向都能最大可能地发射任意波长辐射能的物体。2.普朗克辐射定律 黑体光谱辐射出射度Me,s,由普朗克公式表示：,黑体光谱辐
3、强度Ie,s,黑体光谱辐亮度Le,s,3.斯忒藩-波尔兹曼定律 黑体发射的总辐射出射度,是斯特藩-波尔兹曼常数,特点：黑体的Me,s与T的四次方成正比,4. 维恩位移定律 峰值光谱辐射出射度所对应的波长m与绝对温度T的关系：,维恩位移定律当温度升高时，峰值光谱辐射出射度对应的波长向短波方向位移。,黑体的峰值光谱辐出度：,Wcm-2m-1K-5,例1 若可以将人体作为黑体，正常人体温的为36.5，（1）试计算正常人体所发出的辐射出射度为多少W/m2？（2）正常人体的峰值辐射波长为多少m？峰值光谱辐射出射度Me,s,m为多少？（3）人体发烧到38时峰值辐射波长为多少？发烧时的峰值光谱辐射出射度Me
4、,s,m又为多少？解（1）人体正常体的绝对温度为T=36.5+273=309.5K，根据斯特藩-波尔兹曼辐射定律，正常人体所发出的辐射出射度为：,（2）由维恩位移定律，正常人体的峰值辐射波长为:,(m)=9.36m,峰值光谱辐射出射度为,Wcm-2m-1,=3.72 Wcm-2m-1,（3）人体发烧到38时峰值辐射波长为,发烧时的峰值光谱辐射出射度为,=3.81Wcm-2m-1,例2 将标准钨丝灯为黑体时，试计算它的峰值辐射波长，峰值光谱辐射出射度和它的总辐射出射度。解 标准钨丝灯的温度为TW=2856K，因此它的峰值辐射波长为：,(m),峰值光谱辐射出射度为,=1.3092856510-15
5、,=248.7Wcm-2m-1,总辐射出射度为,1.3.2 辐射体的分类及温度表示 1.热辐射体的分类 黑体 非黑体 （1）灰体辐射体光谱辐出度Me,与同温度黑体Me,s,之比，是一个与波长无关的系数。,1,（2）选择性辐射体不服从黑体辐射定律的辐射体。,发射率,2.热辐射体的温度表示 （1）辐射温度TeTe 热辐射体发射的总辐通量与黑体的总辐通量相等时，以黑体的温度标度该热辐射体的温度。（2）色温TiTi 热辐射体在可见光区域发射的光谱辐射分布与某黑体的可见光谱辐射分布相同时，以黑体的温度标度该热辐射体的温度。色温与实际温度的偏差最小。,（3）亮温度TvTv 热辐射体在可见光区某一波长0的辐
6、亮度Le,0，等于黑体在同一波长0的辐亮度Le，s，0，以黑体的温度标度该热辐射体的温度。,1.4 辐射度参数与光度参数的关系,可以对用不同度量参数标定的光电器件灵敏度等特性参数进行比较。,1 人眼的视觉灵敏度 正常人眼的锥状细胞 明视觉:只对光亮度超过10-3 cd/m2的光敏感；光谱范围：0.38 0.78m，0.555m最敏感；能分辨颜色。柱状细胞 暗视觉:当光亮度低于10-3 cd/m2时起作用；光谱范围：0.33 0.73m，0.507m最敏感；不能分辨颜色。,正常人眼的明视觉光谱光视效率V（）用各种单色辐射分别刺激正常人（标准观察者）眼的锥状细胞，当刺激程度相同时，发现波长=0.5
7、55m处的光谱辐射亮度Le,m小于其它波长的光谱辐亮度Le,。,正常人眼的暗视觉光谱光视效率V（）对正常人眼的圆柱细胞，以微弱的各种单色辐射刺激时，发现在相同刺激程度下，波长=0.507m处的光谱辐射亮度Le，507nm小于其他波长的光谱辐射亮度 Le,。,2 人眼的光谱光视效能,无论是锥状细胞还是柱状细胞，单色辐射对其刺激的程度与Le,成正比。 对于明视觉，刺激程度平衡的条件为,Km 人眼的明视觉最灵敏波长的光度参量对辐射度参量的转换常数，683lm/W。,对于暗视觉,Km 人眼的暗视觉最灵敏波长的光度参量对辐射度参量的转换常数，1725lm/W。,令 K（），人眼的明视觉光谱光视效能,K（
8、）为人眼的暗视觉光谱光视效能,正常人眼的明视觉最大光谱光视效能：K（m）= Km,正常人眼的暗视觉最大光谱光视效能：K（m ）= Km,例3 已知某He-Ne激光器的输出功率为3mW，试计算其发出的光通量为多少lm？ 解 He-Ne激光器输出的光为光谱辐射通量，根据式（1-56）可以计算出它发出的光通量为v,=K,ee,= KmV()e,=6830.24310-3=0.492(lm),3 辐射体光视效能,一个热辐射体发射的总光通量v与总辐射通量e之比，称为该辐射体的光视效能K：,对发射连续光谱辐射的热辐射体，总光通量v：,V 是辐射体的光视效率。,标准钨丝灯发光光谱的分布如图1-7所示,标准钨
9、丝灯的光视效能Kw为：,lm/W,已知某种辐射体的光视效能K和辐射量Xe，就能够计算出该辐射体的光度量Xv，该式是辐射体的辐射量和光度量的转换关系式。,注意：,例：对于色温为 2 856 K的标准钨丝灯其光视效能为17.1lm/W，当标准钨丝灯发出的辐射通量为e100W时，其光通量为 v = 1710lm。 注：色温越高的辐射体，它的可见光的成分越多，光视效能越高，光度量也越高。白炽钨丝灯的供电电压降低时，灯丝温度降低，灯的可见光部分的光谱减弱，光视效能降低，用照度计检测光照度时，照度将显著下降。,1.5 半导体对光的吸收,1. 物质对光吸收的一般规律,光波入射到物质表面上，用透射法测定光通量
10、的衰减时，发现通过路程dx的光通量变化d与入射的光通量和路程dx的乘积成正比。,称为吸收系数。,解微分方程,的物理意义当光在物质中传播时，透过的能量衰减到原来能量的e-1时所透过的路程的倒数等于该物质的吸收系数。,当不考虑反射损失时，吸收的光通量应为：,2 半导体对光的吸收 半导体对光的吸收：本征吸收杂质吸收激子吸收自由载流子吸收晶格吸收只有本征吸收和杂质吸收能够直接产生非平衡载流子，引起光电效应。其他吸收都程度不同地把辐射能转换为热能，使器件温度升高，使热激发载流子运动的速度加快，而不会改变半导体的导电特性。,本征半导体、n型和p型半导体 半导体材料多为共价键。如锗或硅原子外层有个价电子，它
11、们与相邻原子组成共价键后形成原子外层有个电子的稳定结构。,绝对零度时，材料不导电。共价键上电子所受束缚力较小，它会因为受到热激发而跃过禁带，占据价带上面的能带。该能带我们称为导带。 在纯净半导体中，电子获得热能后从价带跃迁到导带，导带中出现自由电子，价带中出现自由空穴，出现电子空穴对载流子。这样的半导体称为本征半导体。导电的自由电子和自由空穴统称为载流子。,本征吸收半导体价带电子吸收光子能量跃迁入导带，产生电子空穴对的现象。,在不考虑热激发和杂质的作用时，半导体中的电子基本上处于价带中，导带中的电子很少。当光入射到半导体表面时，原子外层价电子吸收足够的光子能量，越过禁带，进入导带，成为可以自由
12、运动的自由电子。同时，在价带中留下一个自由空穴，产生电子-空穴对。,发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg。,发生本征吸收的光波长波限,结论：只有波长短于的入射辐射才能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。,杂质吸收 N型半导体中未电离的杂质原子（施主原子）吸收光子能量h。若h大于等于施主电离能ED，杂质原子的外层电子将从杂质能级（施主能级）跃入导带，成为自由电子。 施主束缚电子的能量状态称为施主能级。自由电子的浓度高于自由空穴的浓度。,P型半导体中，价带上的电子吸收了能量hv大于EA（受主电离能）的光子后，价电子跃入受主能级，价带上留下空穴。相当于受主能级上的空穴吸
13、收光子能量跃入价带。容易获得电子的原子称为受主。受主获取电子的能量状态称为受主能级。,这两种杂质半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程称为杂质吸收。 杂质吸收的长波限,由于EgED或EA ，因此，杂质吸收的长波长总要长于本征吸收的长波长。杂质吸收会改变半导体的导电特性，也会引起光电效应。,激子吸收 当入射到本征半导体上的光子能量hv小于Eg，或入射到杂质半导体上的光子能量hv小于杂质电离能（ED或EA）时，电子不产生能带间的跃迁成为自由载流子，仍受原来束缚电荷的约束而处于受激状态。这种处于受激状态的电子称为激子。吸收光子能量产生激子的现象称为激子吸收。显然，激子吸收不会改变半导体的导电特性。
14、,自由载流子吸收 对于一般半导体材料，当入射光子的频率不够高时，不足以引起电子产生能带间的跃迁或形成激子时，仍然存在着吸收，而且其强度随波长增大而增强。这是由自由载流子在同一能带内的能级间的跃迁所引起的，称为自由载流子吸收。自由载流子吸收不会改变半导体的导电特性。,晶格吸收 晶格原子对远红外谱区的光子能量的吸收直接转变为晶格振动动能的增加，在宏观上表现为物体温度升高，引起物质的热敏效应。,1.6 光电效应 光电效应:内光电效应外光电效应内光电效应 被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。 外光电效应 被光激发产生的电子逸出物质表面，
15、形成真空中的电子的现象。,1.6.1 内光电效应1. 光电导效应 本征光电导效应 杂质光电导效应 本征光电导效应在光的作用下由本征吸收引起的半导体电导率的变化现象。,通量为e,的单色辐射入射到半导体上，波长的单色辐射全部被吸收，则光敏层单位时间所吸收的量子数密度Ne,应为：,（1）在微弱辐射作用下，光生载流子浓度n远小于热激发电子浓度ni，光生空穴浓度p远小于热激发空穴的浓度pi，并考虑到本征吸收的特点，n=p，,迁移率 载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度。一般是电子的迁移率高于空穴。,半导体材料在弱辐射作用下的光电导灵敏度Sg ：,在弱辐射作用下的半导体材料的光电导灵敏度为与
16、材料性质有关的常数，与光电导材料两电极间的长度l的平方成反比。,（2）在强辐射作用下，nni，ppi,抛物线关系,在强辐射作用的情况下半导体材料的光电导灵敏度不仅与材料的性质有关而且与入射辐射量有关，是非线性的。,Kf：载流子的复合几率,2. 光生伏特效应 光生伏特效应是基于半导体PN结基础上的一种将光能转换成电能的效应。 当入射辐射作用在半导体PN结上产生本征吸收时，价带中的光生空穴与导带中的光生电子在PN结内建电场的作用下分开，形成光生伏特电压或光生电流的现象。,当设定内建电场的方向为电压与电流的正方向时，将PN结两端接入适当的负载电阻RL，若入射辐射通量为e,的辐射作用于PN结上，则有电
17、流I流过负载电阻，并在负载电阻RL的两端产生压降U，流过负载电阻的电流：,I为光生电流，ID为暗电流。,短路电流 ISC 当U=0（PN结被短路）时的输出电流。,开路电压UOC 当I=0时（PN结开路），PN结两端的电压、,光电二极管的暗电流ID一般要远远小于光电流I，因此，常将其忽略。光电二极管的电流与入射辐射成线性关系。,3. 丹培（Dember）效应 丹培效应 由于载流子迁移率的差别产生受照面与遮光面之间的伏特现象。,半导体的迎光面带正电，背光面带负电，产生光生伏特电压。称这种由于双极性载流子扩散运动速率不同而产生的光生伏特现象为丹培效应。,4.光磁电效应,当半导体受光照射产生丹培效应时
18、，由于电子和空穴受到洛伦兹力的作用，使它们的运动轨迹发生偏转。,结果在垂直于光照方向与磁场方向的半导体上下表面上产生伏特电压，称为光磁电场。这种现象称为半导体的光磁电效应。,5. 光子牵引效应 当光子与半导体中的自由载流子作用时，光子把动量传递给自由载流子，自由载流子将顺着光线的传播方向做相对于晶格的运动。结果，在开路的情况下，半导体样品将产生电场，它阻止载流子的运动。这个现象被称为光子牵引效应。,1.6.2 光电发射效应 外光电效应当物质中的电子吸收足够高的光子能量，电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子，这种现象称为光电发射效应或称为外光电效应。 外光电效应中光电能量转换的基本关系：,Et
19、h光电发射阈值,金属材料，光电发射阈值Eth等于真空能级与费米能级之差：,费米能级是绝对零度时电子的最高能级； 费米能级的物理意义是，该能级上的一个状态被电子占据的几率是1/2。,半导体材料分为本征半导体与杂质半导体，杂质半导体中又分为P型与N型杂质半导体，其能级结构不同。,处于导带中的电子的光电发射阈值,价带中的电子 ，其光电发射阈,光电发射器件具有许多不同于内光电器件的特点： 1. 电发射器件中的导电电子可以在真空中运动，因此，可以通过电场加速电子运动的动能，或通过电子的内倍增系统提高光电探测灵敏度，使它能高速度地探测极其微弱的光信号，成为像增强器与变相器技术的基本元件。 2. 很容易制造
20、出均匀的大面积光电发射器件，这在光电成像器件方面非常有利。一般真空光电成像器件的空间分辨率要高于半导体光电图像传感器。 3. 光电发射器件需要高稳定的高压直流电源设备，使得整个探测器体积庞大，功率损耗大，不适用于野外操作，造价也昂贵。 4. 光电发射器件的光谱响应范围一般不如半导体光电器件宽。,教学内容： 1-3 物体热辐射 1-4 辐射度参数与光度参数的关系 1-5 半导体对光的吸收 1-6 光电效应,教学基本要求： 一 掌握 黑体的辐射定律以及热辐射体的色温意义。 二 熟练掌握 辐射度参数与光度参数的转换关系。 三 掌握 半导体的本征吸收和杂质吸收的意义和条件。 四 熟练掌握 光电导效应和
21、光生伏特效应。,作业：1-6，13，15，16补充: 1. 试举出各类发光的实际例子。2. 试举出一些常见光源色温值的例子。,电致发光（electroluminescent 英文缩写EL ）通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子解级的跃进、变化、复合导致发光的一种物理现象。P-N结发光器件（LED，发光二极管）。 光致发光用光激发发光体引起的发光现象。 日光灯 气体放电灯 通过气体放电将电能转换为光的一种电光源。气体放电的种类很多,用得较多的是辉光放电和弧光放电。辉光放电一般用于霓虹灯和指示灯。弧光放电有很强的光输出 。 热发光白炽灯,直射日光色温值(K) 中午
22、日光 5500 日出后二小时 4400 日落前二小时 4300 日出后一个半小时 4000 日出后40 分钟 2900 日出后30分钟 2400 日落前30分钟 2300 日出后20分钟 2100 日出.日落时 1900 B不同季节和天气情况下自然光的色温值: 自然光的变化 3-5月 6 -8月 9-10月 11-12月 直射日光9-15时 5800 5800 5550 5500 直射9时前15时后 5400 5600 5000 4900 日光+天空光9-15时6500 6500 6200 6200 日光+天空光9前15后6100 6200 5900 5700 日光+天空光 5900 5800
23、 5900 5700 阴天 6700 6950 6750 6500 蓝色天空 27000 14000 12000 12000,C常见人工光源的色温值: 光源种类色温值光源种类色温值 电子闪光灯光 5300-6000 1000-5000W卤素灯 5000-6000 高色温碳弧灯 5500 白色碳弧灯 5000 500W高色温摄影灯 3200 500W摄影泛光灯 3400 摄影卤素灯光 3000-4000 1300W新闻碘钨灯 3200 200W普通灯炮 2980 100W普通灯泡 2900 75W普通灯泡 2800 40W普通灯泡 2650 蜡烛光 1850,光源 K 光源 K 烛焰 1500
24、家用白灯 2500-3000 60瓦的充气钨丝灯 2800 100瓦的钨丝灯 2950 1000瓦的钨丝灯 3000 500瓦的投影灯 2865 500瓦钨丝灯 3175 3200K的泛光灯 3200 琥珀闪光信号灯 3200 R32反射镜泛光灯 3200 锆制的浓弧光灯 3200 1，2，4号泛光灯，反射镜泛光灯 3400 暖色的白荧光灯 3500 切碎箔片，清晰闪光灯信号 3800 冷色的白荧光灯 4500 白昼的泛光灯 4800 白焰碳弧灯 5000 M2B闪光信号灯 5100 正午的日光 5400 高强度的太阳弧光灯 5550 夏季的直射太阳光 5800 早上10点到下午3点的直射太阳光 6000 蓝闪光信号灯 6000 白昼的荧光灯 6500 正午晴空的太阳光 6500 阴天的光线 6800-7000 高速电子闪光管 7000 来自灰蒙天空的光线 7500-8400 来自晴空蓝天的光线 10000-20000 在水域上空的晴朗蓝天 20000-27000,
