1、第五章作业习题课,杭州电子科技大学自动化学院,微机原理与接口技术,P2371.答：静态RAM速度非常快，只要电源存在内容就不会自动消失。它的基本存储电路为6个MOS管组成1位，因此集成度相对较低，功耗也较大。一般，高速缓冲存储器用它组成。DRAM的内容在10-3或10-6秒之后自动消失，因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新。由于它的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成，因此它的集成度高，成本较低，另外耗电也少，但它需要一个额外的刷新电路。DRAM运行速度较慢，SRAM比DRAM要快25倍，一般，PC机的标准存储器都采用DRAM组成。,P2372.答：掩膜型ROM中信息是厂家根据用户给定的程
2、序或数据，对芯片图形掩膜进行两次光刻而写入的，用户对这类芯片无法进行任何修改。PROM出厂时，里面没有信息，用户采用一些设备可以将内容写入PROM，一旦写入，就不能再改变了，即只允许编程一次。 EPROM可编程固化程序，且在程序固化后可通过紫外光照擦除，以便重新固化新数据。EEPROM可编程固化程序，并可利用电压来擦除芯片内容，以重新编程固化新数据。,7.答：由于所用的芯片为10241位，构成10248位（即1K8位）的存储器需要8片，因此组成16K8位的存储器需要168128片。片内有1024个单元，需要10根地址线。16组（每组8片）存储器需要16根片选信号，至少需要4根地址线经译码器输出。示意图如下页。,13. C B A A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13A00 0 0 0 0 Y0有效8000083FFFH 1 0 0 0 0 1 Y1有效8400087FFFH 1 0 0 0 1 0 Y2有效880008BFFFH 1 0 0 0 1 1 Y3有效8C0008FFFFH,
