1、2019/2/11,模拟电子技术总复习,1,模拟电子技术,总复习,2019/2/11,模拟电子技术总复习,2,一、单选题(每题1分，共30分) 1. 半导体的导电阻率为 。A 108m，C 介于10-6108m， D 1010m,2019/2/11,模拟电子技术总复习,3,2. 本征激发是指 现象。A 价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的B 价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的C 价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的,2019/2/11,模拟电子技术总复习,4,3. 空穴的导电机理是 。 A 电子的接力运动， B 空穴在电场作
2、用下的定向运动， C 空穴的接力运动， D 杂质粒子在电场作用下的定向运动,2019/2/11,模拟电子技术总复习,5,4. P(N)型半导体是在本征半导体硅(或锗)中掺入少量的 而获得的杂质半导体。A 二价元素，B 三价元素， C 四价元素，D 五价元素 (),2019/2/11,模拟电子技术总复习,6,5. 模拟信号是指 的信号。A 时间连续，B 数值连续，C 时间和数值都连续， D 时间和数值都不连续,2019/2/11,模拟电子技术总复习,7,6. 放大电路放大倍数是指 。A 输出信号与输入信号的比值，B 输入信号与输出信号的比值，C 输出电压与输入电流的比值，D 输出电流与输入电压的
3、比值。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,8,7. 某放大电路的电压增益为60dB，则该电路的电压放大倍数为 倍。 A 10，B 102，C 103，D 104 8. 放大电路中的非线性失真是有 引起的。 A 电抗元件， B 放大元器件的非线性， C 非电抗元件， D 输入信号的失真。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,9,9. PN结雪崩击穿主要主要发生在 情况下。A PN结反偏较低，B PN结正偏电压较高，C PN结反偏较高， D PN结正偏电压较低。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,10,10. PN结齐纳击穿主要主要发生在情况下。A PN结反偏较低， B PN结正偏
4、电压较高，C PN结反偏较高，D PN结正偏电压较低。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,11,11. 锗(硅)晶体二极管的正常工作电压约为 。A 0.7V， ()B 0.5V， C 0.1V， D 0.2V。 ,2019/2/11,模拟电子技术总复习,12,12. 晶体三极管工作在放大(饱和、截止)状态的外部条件为 。A. 发射结正偏，集电结反偏， B. 发射结反偏，集电结正偏，C. 发射结正偏，集电结正偏， (饱)D. 发射结反偏，集电结反偏。 (截),2019/2/11,模拟电子技术总复习,13,13. PNJ雪崩击穿和齐纳击穿同时出现在反偏电压为 。A 5V以下，B 81000V
5、，C 58V， D 10500V。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,14,14. 硅(锗)晶体二极管的门坎电压(又称为死区电压)为 。A 0.7V， B 0.5V， C 0.1V， ()D 0.2V。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,15,15. 对于低频小功率晶体管的基区体电阻rb，通常情况下为 。A. 200 B. 100C. 150D. 300,2019/2/11,模拟电子技术总复习,16,16. 当温度升高1oC时，晶体管的参数UBE将增大 。A. (22.5)mV， B. (22.5)mV，C. (11.5)mV， D. (11.5)mV,2019/2/11,模拟电子
6、技术总复习,17,17. 当温度升高1oC时，晶体管的参数将增大 。A. 0.5%，B. 0.5%1.0%， C. 0.5%2.0%，D. 1.0%2.0%,2019/2/11,模拟电子技术总复习,18,18. 三极管的电流分配关系为 。A. IEIC+I B B. IEICIBC. ICIBIED. IBICIE,2019/2/11,模拟电子技术总复习,19,19. 晶体三极管放大作用的实质是 。 A. 把微弱的电信号加以放大， B. 以弱电流控制强电流， C. 以强电流控制弱电流， D. 以弱电流控制强电流，把直流电能转换为交流电能。 ,2019/2/11,模拟电子技术总复习,20,20.
7、 多级放大电路总的放大倍数等于各级放大倍数 。A. 的乘积， B. 的和， C. 的差，D. 相除的商。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,21,21. 多级放大电路的频率特性(响应)随着级数的增加而 。A. 变宽， B. 变窄， C. 变大，D. 变小。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,22,22. fH (fL)称为放大电路的 。A. 截止频率，B. 上限频率， C. 下限频率， ()D. 特征频率。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,23,23. f(fT)称为共发射极 。A. 截止频率， B. 上限频率， C. 下限频率， D. 特征频率。 (),2019/2/11
8、,模拟电子技术总复习,24,24. BJT(FET)又称为 。A.单极型晶体管， ()B.双极型晶体管， C.电子型晶体管，D.空穴型晶体管。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,25,25. 互补对称功率放大电路工作在乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率为 。A. 30%， B. 78.5%， C. 60%， D. 85%。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,26,26. 互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率约为 。A. 30%，B. 78.5%， C. 60%，D. 85%。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,27,27.
9、甲乙类互补对称功率放大电路当工作点不合适时，将产生 。A. 交越失真， B. 线性失真，C. 频率失真， D. 相位失真。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,28,28. 甲乙(甲、乙)类功放电路晶体管的导通角为 。A. = 2， (甲)B. = ， (乙)C. 2， D. 。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,29,29. 乙类双电源互补对称功率放大电路实际上是 。 A. 由两个不同类型晶体管构成的共发射极放大电路组成， B. 由两个不同类型晶体管构成的共基极放大电路组成， C. 由两个不同类型晶体管构成的射极输出器组成， D. 由两个相同类型晶体管构成的射极输出器组成。,201
10、9/2/11,模拟电子技术总复习,30,30. 大规模集成电路在一个硅片上可集中制作 。A. 十几十个元件，B. 几十个几百个元件，C. 几百个几千个元件， D. 几千个以上元件；,2019/2/11,模拟电子技术总复习,31,31. 三点式振荡电路的相位平衡条件为 。A. 基(集同)射反，B. 射同基(集)反， C. 基同射反，D. 集同射反，,2019/2/11,模拟电子技术总复习,32,32. 正弦振荡的起振(平衡)条件为 。A. AF 1，B. AF 1，()C. AF 1，D. AF 0。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,33,33. 在电源电压不变的情况下，提高OTL功率放
11、大电路输出功率的有效方法是 。A. 加接自举电路， B. 改变工作状态，C. 降低静态工作点，D. 提高静态工作点。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,34,34. 正弦波电压信号的数学表达式是 。 A u(t)C， B C D ,2019/2/11,模拟电子技术总复习,35,35. 如图所示，设二极管是理想二极管，该电路 A 。A：UAO6V，二极管处于正偏导通状态。B：UAO12V，二极管处于反偏截止状态。C ：UAO6V，二极管处于反偏截止状态。D ：UAO12V，二极管处于正偏导通状态。,转37,2019/2/11,模拟电子技术总复习,36,2019/2/11,模拟电子技术总复习
12、,37,36. 如图所示，设二极管是理想二极管，该电路 B 。A：UAO15V，二极管处于正偏导通状态。B：UAO12V，二极管处于反偏截止状态。C ：UAO15V，二极管处于反偏截止状态。D ：UAO12V，二极管处于正偏导通状态。,转39,2019/2/11,模拟电子技术总复习,38,2019/2/11,模拟电子技术总复习,39,37. 如图所示，设二极管是理想二极管，该电路 C 。A：UAO12V，D1正偏导通， D2反偏截止。B：UAO15V，D1反偏截止， D2正偏导通。C ：UAO0V，D1正偏导通， D2反偏截止。D ：UAO0V，。D2正偏导通， D1反偏截止。,转41,201
13、9/2/11,模拟电子技术总复习,40,2019/2/11,模拟电子技术总复习,41,38. 如图所示，设二极管是理想二极管，该电路 D 。A：UAO12V，D1正偏导通， D2反偏截止。B：UAO12V，D1反偏截止， D2正偏导通。C ：UAO 6V ，D1正偏导通， D2反偏截止。D ：UAO6V， D1反偏截止， D2正偏导通。,转43,2019/2/11,模拟电子技术总复习,42,2019/2/11,模拟电子技术总复习,43,39. 有两个BJT，其中一个管子的 150，ICEO200 A,另一个管子的 50，ICEO10 A，其它参数一样，你选 B 。 A： 150，ICEO200
14、 A的管子。 B： 50，ICEO10 A的管子。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,44,二、多选题(每空1分，共20分)40. 桥式整流输出电压与电源变压器次级电压的关系为 A ，电容滤波电路输出电压与电源变压器次级电压的关系为 C 。 A. UL0.9U2， B. UL1.0U2， C. UL1.2U2， D. UL1.4U2。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,45,41. 给乙类互补对称功率放大电路 D ，可消除 E 。A. 加一放大电路，B. 加一很大的集电极电流，C. 加一衰减电路，D. 加一合适的静态工作点。E. 交越失真， F. 线性失真，G. 频率失真， H.
15、相位失真。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,46,42. 晶体三极管内部载流子的运动规律为B 、 D 、 C 。A. 基区向发射区注入载流子B. 发射区向基区注入载流子C. 集电区收集载流子D. 非平衡载流子在基区的扩散与复合E. 发射区收集载流子F. 载流子在发射区的扩散与复合,2019/2/11,模拟电子技术总复习,47,43. BJT的制造工艺特点为:A 、 D 、 C 。A. e区掺杂浓度最高，B. e区掺杂浓度最低，C. c区掺杂浓度适中，D. b区掺杂浓度最低且最薄，E. c区掺杂浓度最高，F. b区掺杂浓度最高且最薄。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,48,44.
16、 PNJ的单向导电性表现为:B 、 C 。A PNJ反偏导通，B PNJ正偏导通，C PNJ反偏截止，D PNJ正偏截止。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,49,45. PN结又称为 A 、 C 、和 E 。A 空间电荷区， B 电阻层，C 耗尽层， D 电位区，E 势垒区， F 扩散区。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,50,46. PN结的形成过程是: B 、 A 、 F 。A 少子的漂移运动， B 多子的扩散运动C 多子与少子的相互作用，D 少子的扩散运动， E 多子的漂移运动，F 多子的扩散与少子的漂移运动达到动态平衡。G 多子的漂移与少子的扩散运动达到动态平衡。,20
17、19/2/11,模拟电子技术总复习,51,47. 一般情况下，当信号源内阻远远小于放大电路输入电阻(即RsRi )时，信号源 C 使用 更为有利。A. 电压源， B. 分压电路，C. 电流源， D. 集成运放。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,52,48. 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电压分别为UA9V，UB6V，UC6.2V，则 A ，该管 D 。 A： A为集电极，B为发射极，C基极； B： A为发射极，B为集电极，C基极； C： A为集电极，B基极；C为发射极，D: 为PNP管E: 为NPN管,2019/2/11,模拟电子技术总复习,53,49. 某放大电路中
18、BJT三个电极A、B、C的电流如图所示，用万用表电流档测得IA2mA，IB0.04mA，IC+2.04mA，该管为 B ，其中 E 。A: 为PNP管 B: 为NPN管C：A为集电极，B为发射极，C基极；D：A为发射极，B为集电极，C基极；E：A为集电极，B基极；C为发射极，,转46,2019/2/11,模拟电子技术总复习,54,2019/2/11,模拟电子技术总复习,55,三、判断题(每题2分，共20分) 50. 晶体二极管正向工作时也具有稳压作用。 () 51.晶体二极管正向工作时没有稳压作用。 (),2019/2/11,模拟电子技术总复习,56,52. 图a所示电路对正弦交流信号有放大作
19、用。 () 53. 图a所示电路对正弦交流信号无放大作用。 () 54. 图b所示电路对正弦交流信号有放大作用。 () 55. 图b所示电路对正弦交流信号无放大作用。 (),转49,2019/2/11,模拟电子技术总复习,57,2019/2/11,模拟电子技术总复习,58,56. 晶体三极管发生电击穿，当把电源关闭后不可以恢复。() 57.晶体三极管发生电击穿，当把电源关闭后可以恢复。 (),2019/2/11,模拟电子技术总复习,59,58.微变等效电路即可以分析放大电路的静态,也可以分析动态。 () 59.微变等效电路仅能分析放大电路的动态，不可以分析静态,。(),2019/2/11,模拟
20、电子技术总复习,60,60. 图1所示电路无直流负反馈。 () 61. 图1所示电路有直流负反馈。 () 62. 图1所示电路有交流负反馈。 () 63. 图1所示电路无交流负反馈。 (),转48,2019/2/11,模拟电子技术总复习,61,2019/2/11,模拟电子技术总复习,62,64. 图2所示电路级间为交直流电压并联负反馈电路。 () 65. 图2所示电路级间为交流电压并联负反馈电路。 () 66. 图2所示电路级间为交直流电压串联负反馈电路。 () 67. 图2所示电路级间为交流电压串联负反馈电路。 (),转50,2019/2/11,模拟电子技术总复习,63,2019/2/11,
21、模拟电子技术总复习,64,68. 图3所示电路为交直流电流串联负反馈电路。 () 69. 图3所示电路为交直流电流并联负反馈电路。 () 70. 图3所示电路为交直流电压串联负反馈电路。 () 71. 图3所示电路为交流电流串联负反馈电路。 (),转52,2019/2/11,模拟电子技术总复习,65,2019/2/11,模拟电子技术总复习,66,72. 图4所示电路为交直流电压并联负反馈电路。 () 73. 图4所示电路为交直流电流并联负反馈电路。 () 74. 图4所示电路为交直流电压串联负反馈电路。 () 75. 图4所示电路为交直流电流串联负反馈电路。 (),转54,2019/2/11,
22、模拟电子技术总复习,67,2019/2/11,模拟电子技术总复习,68,76. 图5所示电路为桥式振荡电路。) 77. 图5所示电路为电容三点式振荡电路。 () 78. 图5所示电路为电感三点式振荡电路。 () 79. 图5所示电路为RC振荡电路。(),转56,2019/2/11,模拟电子技术总复习,69,2019/2/11,模拟电子技术总复习,70,80. 图6所示电路为桥式振荡电路。) 81. 图6所示电路为电容三点式振荡电路。 () 82. 图6所示电路为电感三点式振荡电路。 () 83. 图6所示电路为RC移相振荡电路。(),转58,2019/2/11,模拟电子技术总复习,71,201
23、9/2/11,模拟电子技术总复习,72,84. 图7所示电路能产生正弦振荡。 () 85. 图7所示电路不能产生正弦振荡。() 86. 图8所示电路能产生正弦振荡。() 87. 图8所示电路不能产生正弦振荡。(),转61,2019/2/11,模拟电子技术总复习,73,2019/2/11,模拟电子技术总复习,74,2019/2/11,模拟电子技术总复习,75,88. 集成运放的两个重要特征是虚短和虚断。 () 89. 集成运放的两个重要特征是短路和断路。 (),2019/2/11,模拟电子技术总复习,76,90. 三端稳压器7812表示输出的是正12V的直流电压。 () 91. 三端稳压器781
24、2表示输出的是负12V的直流电压。 () 92. 三端稳压器7915表示输出的是正15V的直流电压。 () 93. 三端稳压器7915表示输出的是负15V的直流电压。 (),2019/2/11,模拟电子技术总复习,77,94. 并联负反馈提高输入电阻。() 95. 并联负反馈降低输入电阻。() 96. 串联负反馈降低输入电阻。() 97. 串联负反馈提高输入电阻。(),2019/2/11,模拟电子技术总复习,78,98. 电压负反馈降低输出电阻。() 99. 电压负反馈提高输出电阻。() 100. 电流负反馈提高输出电阻。() 101. 电流负反馈降低输出电阻。(),2019/2/11,模拟电
25、子技术总复习,79,四、作图题(每小题5分，共10分) 102.请画出图9所示电路的交流通路。 103.请画出图9所示电路的直流通路。 104.请画出图9所示电路的h参数等效电路，说明简化的条件，并画出微变等效电路。,转67,2019/2/11,模拟电子技术总复习,80,2019/2/11,模拟电子技术总复习,81,2019/2/11,模拟电子技术总复习,82,2019/2/11,模拟电子技术总复习,83,2019/2/11,模拟电子技术总复习,84,当hre、hoe很小时，对电路的影响可忽略不计，用rbe代替hie， 代替hfe， H参数等效电路可以简化为微变等效电路。,2019/2/11,
26、模拟电子技术总复习,85,2019/2/11,模拟电子技术总复习,86,105. 请画出图10所示电路的交流通路。 106. 请画出图10所示电路的直流通路。 107. 请画出图10所示电路的h参数等效电路，说明简化的条件，并画出微变等效电路。,转88,2019/2/11,模拟电子技术总复习,87,2019/2/11,模拟电子技术总复习,88,2019/2/11,模拟电子技术总复习,89,2019/2/11,模拟电子技术总复习,90,2019/2/11,模拟电子技术总复习,91,当hre、hoe很小时，对电路的影响可忽略不计，用rbe代替hie， 代替hfe， H参数等效电路可以简化为微变等效
27、电路。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,92,2019/2/11,模拟电子技术总复习,93,五、计算题(共15分),108. 如图9所示，Rb500k，Rc4k，VCC12V，80，VBE0.7V，试计算电路的静态工作点。(6分),转71,2019/2/11,模拟电子技术总复习,94,2019/2/11,模拟电子技术总复习,95,解：,2019/2/11,模拟电子技术总复习,96,109. 假设晶体管的50，Rc RL4k ,rbe1.2k，计算图10所示电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。(6分),转74,2019/2/11,模拟电子技术总复习,97,2019/2/11,模拟电子
28、技术总复习,98,解：,2019/2/11,模拟电子技术总复习,99,2019/2/11,模拟电子技术总复习,100,110. 如图11所示，假设Rb185k，Rb225k，Re2k，RcRL4k，VCC21V，50，VBE0.7V，试计算电路的静态工作点。(8分),2019/2/11,模拟电子技术总复习,101,2019/2/11,模拟电子技术总复习,102,2019/2/11,模拟电子技术总复习,103,111. 假 设 图 1 2 晶 体 管 的 50， RcR L4k，VCC21V，Ic1.262mA，计算所示电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。(8分),2019/2/11,模拟电
29、子技术总复习,104,2019/2/11,模拟电子技术总复习,105,2019/2/11,模拟电子技术总复习,106,112. 如图13所示，假设VI24V，VZ6V，R3R4Rp300，试计算该电路的输出电压调整范围。(6分),2019/2/11,模拟电子技术总复习,107,2019/2/11,模拟电子技术总复习,108,2019/2/11,模拟电子技术总复习,109,当Rp0时，VoVZ(R3+R4+Rp)/R 4VoVomax6(300300300)/30018V 当Rp Rp 300时，VoVominVZ(R3+R4+Rp)/(R 4+Rp) 6(300+300+300)/(300+3
30、00)9V,2019/2/11,模拟电子技术总复习,110,113. 如图14所示，假设VI 24V，VZ6V，R1R2Rp200，试计算该电路的输出电压调整范围。(6分),2019/2/11,模拟电子技术总复习,111,2019/2/11,模拟电子技术总复习,112,解：由VNVP可得：VFVREFVZ，又所以，VoVZ(R1+R2+R p)/(R2+Rp),2019/2/11,模拟电子技术总复习,113,当Rp0时，VoVZ(R1+R2+Rp)/R2VoVomax6(200200200)/20018V 当Rp200时，VoVomin6(200+200+200)/(200+200)9V,2019/2/11,模拟电子技术总复习,114,114.计算集成运放电路的输出电压。 115.射极输出器放大倍数、输入、输出电阻的计算。,2019/2/11,模拟电子技术总复习,115,116.根据所给条件和要求，设计放大电路。(10分) a.定基流偏置电路 b.分压式电流负反馈偏置电路 c.串联型稳压电路 d.集成运放电路,
