1、Dr. Jian Fang . UESTC,模拟集成电路,9.恒流源和有源负载,Dr. Jian Fang . UESTC,1. 镜像电流源,基准电流：,无论Rc的值如何， IC2的电流值将保持不变。,恒流源和有源负载,一 电流源电路,因为：,所以：,Dr. Jian Fang . UESTC,Dr. Jian Fang . UESTC,2. 微电流源,所以IC2也很小,Dr. Jian Fang . UESTC,Dr. Jian Fang . UESTC,3. 多路电流源,Dr. Jian Fang . UESTC,3. 电流源的改进,带缓冲恒流源,Dr. Jian Fang . UESTC
2、,Dr. Jian Fang . UESTC,具有基极电流补偿的恒流源,Dr. Jian Fang . UESTC,MOS恒流源,Dr. Jian Fang . UESTC,Wilso恒流源,Dr. Jian Fang . UESTC,4.电流源作有源负载,交流电阻大 直流电阻小 电压范围宽 工艺容易实现,Dr. Jian Fang . UESTC,4. 电流源作有源负载,共射电路的电压增益为：,对于此电路Rc就是镜像电流源的交流电阻，,因此增益比用电阻Rc作负载时大大提高了。,放大管,Dr. Jian Fang . UESTC,恒流源电路,精密匹配电流镜,Dr. Jian Fang . UE
3、STC,PNP基本恒流源及其改进电路,Dr. Jian Fang . UESTC,模拟集成电路,.基准源电路,Dr. Jian Fang . UESTC,基准源电路,稳定的电压输出 不随温度变化 低的输出电阻, 不随负载变化,Dr. Jian Fang . UESTC,(1) BE结二极管的正向压降VBE, VBE=0.60.8V, 他的温度系数,;(2)由NPN管反向击穿BE结构成的齐纳二极管的击穿电压Vz， Vz=69V，它的温度系数：,(3)等效热电压Vt26mV，温度系数,Dr. Jian Fang . UESTC,正向二极管基准电路 齐纳二极管基准电路 具有温度补偿的齐纳基准电路 负
4、反馈基准源电路 参考电压源,Dr. Jian Fang . UESTC,正向二极管基准电路,温度系数大 内阻较大 芯片面积大,Vref,Dr. Jian Fang . UESTC,解决了大Vref的问题,(1) BE结二极管的正向压降VBE, VBE=0.60.8V, 他的温度系数,Dr. Jian Fang . UESTC,齐纳二极管基准电路,Vref,(2)由NPN管反向击穿BE结构成的齐纳二极管的击穿电压Vz， Vz=69V，它的温度系数：,Dr. Jian Fang . UESTC,(1) BE结二极管的正向压降VBE, VBE=0.60.8V, 他的温度系数,;(2)由NPN管反向击
5、穿BE结构成的齐纳二极管的击穿电压Vz， Vz=69V，它的温度系数：,(3)等效热电压Vt26mV，温度系数,Dr. Jian Fang . UESTC,具有温度补偿的齐纳基准电路,Vref,Dr. Jian Fang . UESTC,负反馈基准源电路,Dr. Jian Fang . UESTC,偏置电压源和基准电压源电路,双极型三管能隙基准源 双极型二管能隙基准源 EDNMOS基准电压源 CMOS基准电压源,Dr. Jian Fang . UESTC,1.双极型三管能隙基准源,Dr. Jian Fang . UESTC,只要适当设计R2R3和J1J2，即可使在该温度下基准电压的温度系数接近
6、零,Dr. Jian Fang . UESTC,输出接近为5V的能隙基准源,Dr. Jian Fang . UESTC,2.双极型二管能隙基准源,Dr. Jian Fang . UESTC,可以通过控制有效发射结面积比AElAE2或AE3AE4及电阻比R2R1来获得接近零温度系数的基准源,Dr. Jian Fang . UESTC,3. EDNMOS基准电压源,Dr. Jian Fang . UESTC,耗尽型和增强型MOS的阈值,耗尽型,增强型,Dr. Jian Fang . UESTC,Dr. Jian Fang . UESTC,Dr. Jian Fang . UESTC,Dr. Jian
7、 Fang . UESTC,Dr. Jian Fang . UESTC,其温度系数决定于三个因素,M1，M2的开启电压之差的温度系数， M1，M2漏极电流IDEIDDID的温度系数 沟道电子迁移率的温度系数。,Dr. Jian Fang . UESTC,Dr. Jian Fang . UESTC,Dr. Jian Fang . UESTC,4. CMOS基准电压源,Dr. Jian Fang . UESTC,根据MOS晶体管次开启区电特性的理论分析, 当N沟MOSFET工作在次开启区时, 若其源极电压不为零, 则其漏电流可表示为次开启区的饱和区,Dr. Jian Fang . UESTC,零温度系数的条件为,
