1、1西 安 应 用 材 料 创 新基 金 管 理 办 公 室 文 件西应办20073 号西安应用材料创新基金管理办公室关于下达 2007 年度西安应用材料创新基金项目的通知各高等院校：经自主申报、专家评审，西安应用材料创新基金（简称西安 AM基金）管理委员会综合决策，本年度西安 AM 基金项目计划安排 17项，资 助经费 176 万元，其中应用材料公司出资 126 万元，西安市科技局以 2007 年度西安市科技创新支撑计划西安应用材料创新基金配套（项目编号 YF07080）提供配套 经费 50 万元。现将 2007 年度西安 AM 基金项目有关事 项通知如下：1、西安 AM 基金经费按照 西 安
2、 应 用 材 料 创 新 基 金 管 理 办 法 2的 要 求 进 行 管理， 并 将 根 据 项 目 进 展 情 况 和 实 施 进 度 ，实 行 分 期 拨款 ，首 期 拨 付 70%，待 项 目 验 收 合 格 后 ，拨 付 其 余 30%。2、西安 AM 基金管 理 办 公 室 委 派 项目跟踪责任人，并依据 西安 应 用 材 料 创 新 基 金 管 理 办 法 的 要 求 ，负 责 对 项 目 实 施 过 程 进 行跟 踪 管 理 ，组 织 专 家 进 行 实 地 检 查 与 指 导 ，实 施 中 期 检 查 与 结 题 验收 等 ，确 保 项 目 达 到 合 同 规 定 的 目 标
3、 。3、各 项 目 承 担 单 位 要 与 西安 AM 基金管 理 办 公 室 （设 在 西 安 市集 成 电 路 产 业 发 展 中 心 ）签 定 合 同 书 ，落 实 项 目 相 关 保 障 条 件 ，同 时 ，要 按 照 有 关 规 定 切 实 做 好 项 目 管 理 与 科 研 经 费 使 用 ；项 目 负 责 人 要按 照 相 关 要 求 及 时 上 报 项 目 研 究 进 度 、出 现 的 重 大 问 题 、取 得 的 重大 成 果 以 及 中 英 文 材 料 等 ，并 主 动 配 合 项 目 跟 踪 责 任 人 的 工 作 。附 件 ：2007 年 度 西 安 应 用 材 料 创
4、 新 基 金 项 目 表西安市集成电路产业发展中心（代章）二七年八月六日主题词：应用材料 创新基金 项目 通知西安应用材料创新基金管理办公室 2007 年 8 月 6 日印发3附 件 ： 2007 年度西安应用材料创新基金项目表资助经费（万元）序号 编 号 项目名称 主 要 研 究 内 容 承担单位及项目负责人 起止时间合计 配套经费 创新基金1 XA-AM-20070145-65nm CMOS器件中新型HfO2 栅介质的可靠性（1）研究先进技术生产出的 HfO2 栅介质薄膜的工艺、性质和电特性，建立纳米 CMOS 结构的器件参数和电子结构的微观机制之间的联系，提出纳米 CMOS 器件中，导致
5、 HfO2 栅介质退化和不稳定性的理论机制；（2）研究 HfO2 栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿，分析 HfO2 栅介质的漏电、击穿及寿命；（3）研究新型栅介质的可靠性评估方法，建立新型 HfO2 栅介质纳米 CMOS 器件的寿命模型；（4）进行新型 HfO2 栅介质的应用基础研究，解决金属栅/高 k 介质的可靠性问题。西安电子科技大学刘红侠88204085130875687182007.7.1-2009.6.3111 4 72 XA-AM-200702新型碳化硅大功率整流器的研究（1）碳化硅 MPS 器件特性研究；（2）碳化硅 MPS 器件关键工艺研究；（3）碳化硅 MPS 的测试和
6、结构优化；（4）碳化硅 PiN 外延材料的生长技术研究。西安电子科技大学吕红亮882016442007.7.1-2009.6.3111 3 83 XA-AM-200703AlInGaN/GaN HFET 结构设计与生长(1) 研究 AlInGaN/GaN 异质结层结构设计和能带工程；(2) 研究高质量GaN 缓冲层生长技术；(3) 研究 AlInGaN/GaN 异质结场效应管（HFET）结构的生长技术。西安电子科技大学张金风137725487642007.7.1-2009.6.3111 3 84 XA-AM-200704碳化硅材料高功率光导开关研究（1）SiC 光导开关（PCSSs- Opti
7、cally Controlled Photoconductive Semiconductor Switches）的工作基本原理、基本器件结构研究，以及用于 SiC 光导开关的材料特性研究；（2）形成用于光导开关的半绝缘碳化硅的理论和技术研究；（3）在高阻 SiC 材料上制作良好欧姆接触及相关工艺的研究；（4）SiC 材料光导开关的器件及应用研究。西安电子科技大学郭 辉88204429137599505552007.7.1-2009.6.3111 3 845 XA-AM-200705多芯片模块芯片布局优化设计技术研究（1）研究一定数量芯片的自动布局优化设计技术，建立芯片热生成率载荷的分布与几何位
8、置设计变量的依赖关系与数学模型；（2）研究因芯片布局的改变、热生成率载荷引起的结构散热性能、温度场分布、热应力等物理响应的变化规律与相对芯片几何位置的灵敏度，建立相应的计算格式；（3）采用 ANSYS 有限元分析工具、自主开发优化平台及软件集成框架与数据接口，建立预防温度过高、热应力集中导致器件失效的 MCM芯片布局优化设计软件系统。西北工业大学张卫红88495774131933014922007.7.1-2009.6.3111 3 86 XA-AM-200706用于 GaN 高频器件的绝缘衬底 AlN 单晶的生长探索（1）利用自制改进的物理气相传输法（PVT） ，研究快速生长高质量 AlN体
9、单晶；（2）建立合适温度场分布，研究生长参数对晶体质量、结晶习性、多型性、极性、发光、电学性质的影响；（3）研究较大尺寸晶体生长过程中位错开裂及防止措施；（4）确定最佳工艺，生长出高质量的尺寸达 10-15mm 的 AlN 体单晶。西北工业大学曹永革139591166892007.7.1-2009.6.3111 3 87 XA-AM-200707硅微磁通门器件关键技术研究（1）研究高灵敏度、高分辨率和低功耗的硅微磁通门器件；（2）研究在硅基底上淀积高导磁材料（坡莫合金）的工艺方法，解决因基底材料和铁芯薄膜材料热胀系数不同而产生的内应力使铁芯材料性能发生改变的问题；（3）研究对硅基铁芯薄膜材料的
10、磁特性进行测试的方法（4）研究提高磁通门灵敏度的方法，获得灵敏度与磁通门各参数的关系并通过实验验证；（4）进行降低噪声与提高分辨力的实验研究，设计有利于降低噪声、放大被测磁场的磁通门结构。西北工业大学刘诗斌133592921652007.7.1-2009.6.3111 3 88 XA-AM-200708难溶金属（Ge，Si）N 扩散阻挡层制备及其实效机理研究（1）开发阻挡性能优异的难熔金属-Si(Ge)-N 三元扩散阻挡层，了解扩散阻挡层结构与阻挡性能的关系，分析不同难熔金属三元化合物的失效机理，确定可形成具有较优异阻挡性能扩散阻挡层的难熔金属；（2）用Cu/扩散阻挡层结构的热稳定性评价阻挡层
11、的失效机理，综合分析退火气氛和 Cu 膜微观结构对热稳定性的影响，全面分析扩散阻挡层的失效机理。西安交通大学宋忠孝82668614130889995072007.7.1-2009.6.3111 3 859 XA-AM-200709无机纳米晶/聚合物光电池异质结微结构设计及其微接触印刷工艺研究（1）提出一种聚合物异质结与纳米晶离散岛异质结阵列并联的新型光电池结构及其光电转换原理；（2）优化纳米晶离散岛异质结结构以增加光诱导载流子密度及电荷迁移率；（3）研究微接触印刷成形纳米晶异质结岛阵列工艺及辊压模具；（4）研究聚合物异质结复合纳米晶离散岛异质结阵列的组装工艺；（5）完成微接触印刷、微喷印刷、化
12、学机械抛光等多工艺集成制造具有三维微结构异质结的无机纳米晶/聚合物光电池器件的方法。西安交通大学连芩82666838135722890162007.7.1-2009.6.3111 3 810 XA-AM-200710MWCNT/ZnO 纳米线复合敏感膜气敏特征的研究（1）在 ZnO 纳米线生长的同时，在其表面生长多壁碳纳米管（MWCNT） ，构成 MWCNT/ZnO 纳米线复合结构，作为气敏传感薄膜；（2）建立MWCNT/ZnO 纳米线/气隙多重界面等效电路模型，研究结构参数与复合敏感膜输出灵敏度的关系，确定工艺参数范围；（3）研究该复合结构表面吸附气体后界面能带/功函数的变化对界面电子输运的
13、影响；（4）研究敏感膜电阻随气体浓度而变的关系曲线。西安交通大学李昕82663343139913306532007.7.1-2009.6.3111 3 811 XA-AM-200711微机电系统用一维薄膜若干关键性能的研究（1）基于 MEMS 及 NEMS 用金属膜基系统，采用纳米压痕技术并辅以其它一些先进测试方法，研究随线宽的变化，一维薄膜力学性能所体现出的尺寸效应、表面效应及与之对应的内在变形和物理机制；（2）分析传统纳米压痕分析体系在试样外形尺寸与压痕尺寸相近时的无约束变形机理，提炼控制表征参量，研究应变梯度存在与否对一维薄膜由线宽等外形尺寸引起的尺寸效应的贡献；（3）建立屈服强度、硬度
14、及内应力等力性与西安交通大学黄平82663869136192635882007.7.1-2009.6.3111 3 86线宽及其微结构的内在关联，提出一维薄膜力学性能的表征方法，并给出实验验证。12 XA-AM-200712大面积ZnOSnO2 包覆透明导电薄膜的制备工艺及其性能研究（1）研究沉淀剂、回溶剂的种类、剂量与成胶状态、成胶质量的关系，以及喷涂温度、喷涂流量、喷涂厚度、均匀度、保护气氛的种类和流量与薄膜光电性能间的关系，优化工艺参数，制备出高性能的 ZnOSnO2 透明导电薄膜，形成大面积制备 ZnOSnO2 透明导电薄膜的新工艺；（2）结合 ZnOSnO2 的计算机模拟，提出与实验
15、数据相吻合的光电性能解释。西北大学闫军锋88308119136292809822007.7.1-2009.6.3111 3 813 XA-AM-200713新型光致变色薄膜材料的合成及性质研究基于性能最优异的二芳基乙烯(Diarylethene)，通过合理设计并合成光致变色分子，采用合适的方法制备薄膜材料，研究其光致变色、热稳定性、磁性性质及无损读取等。西安理工大学韩 晶132792075622007.7.1-2009.6.3110 3 714 XA-AM-200714高性能实时图像压缩芯片设计方法的研究（1）研究基于硬件实现的、可以满足图像实时传输需要的高性能图像实时压缩解码系统；(2)提出
16、以矢量量化为基本,以自适应压缩比图像块动态划分、单方向码书的提取、小波变换码书的生成和使用、使用 MOS 管神经网络搜索匹配单元的数模混合计算电路 IP 核设计、基于矢量量化的视频运动估计等技术为核心的图像压缩解码体系。西安理工大学余宁梅82312155139918104132007.7.1-2009.6.3110 3 715 XA-AM-200715微位移驱动器用无铅压电材料基础研究(1)采用机械化学湿式高能球磨、等静压成型和细密化烧结工艺,获得具有微晶结构无铅压电陶瓷；(2)分析微晶陶瓷的材料组成和晶相结构对其宏观压电和铁电性能的影响；(3)通过材料组成优化，着力提高压电常数，并使其居里温
17、度系列化；(4)探讨 NBT 基无铅压电材料的弛豫扩散相变机制与电畴结构。西安科技大学杜慧玲85587373132017115802007.7.1-2009.6.3110 3 716 XA-AM-200716大规模集成电路用低介电常数多孔 SiO2 薄膜的研究用有机模板法制备介电常数约 2.5 的高热稳定性的多孔 SiO2 薄膜，探索其集成兼容性，开发具有自主知识产权的高速集成电路用低 k 互连介质薄膜材料。西安交通大学吴小清82668679136302803272007.7.1-2009.6.317 2 5717 XA-AM-200717片上网络高性能互连技术研究采用反应磁控溅射与准分子脉冲激光沉积技术进行 HfO2-TiO2 体系薄膜材料的制备，同时在薄膜生长过程中进行原位掺 N 以实现材料的改性，研究相应的制备技术、材料微结构、介电特性及其与半导体工艺和器件的兼容性，发展新一代亚纳米高 k 栅介质材料。西安交通大学陈晓峰131524911102007.7.1-2009.6.317 2 5合计 / / / / 176 50 126
