国外集成电路命名方法.doc

1、国外集成电路命名方法 器件型号举例说明 ( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美） )AM 29L509 P C BAMD 首标 器件编号 封装形式 温度范围 分类“L“：低功耗； D：铜焊双列直插 C：商用温度， 没有标志的“S“：肖特基； （多层陶瓷）； （0-70）或 为标准加工“LS“：低功耗肖特基； L：无引线芯片载体： （0-75）； 产品，标有21：MOS 存储器； P：塑料双列直插； M：军用温度， “B“的为已25：中规范（MSI）； E：扁平封装（陶瓷扁平）； （-55-125）； 老化产品。26：计算机接口； X：管芯； H：商用， 27：双极存储器或 EPROM

2、； A：塑料球栅阵列； （0-110）； 28：MOS 存储器理； B：塑料芯片载体 I：工业用， 29：双极微处理器； C、D：密封双列； （-4085 ）； 54/74：同 25； E：薄的小引线封装； N：工业用， 60、61、66：模拟，双极； G：陶瓷针栅陈列； （-2585）； 79：电信； Z、Y 、U、K、H：塑料 K：特殊军用， 80：MOS 微处理器； 四面引线扁平； （-30125）； 81、82：MOS 和双极处围电路； J：塑料芯片载体（PLCC）； L：限制军用， 90：MOS； L：陶瓷芯片载体（LCC）； （-55-85） 91：MOS RAM： V、M ：薄的

3、四面 125。 92：MOS； 引线扁平； 93：双极逻辑存储器 P、R：塑料双列； 94：MOS； S：塑料小引线封装； 95：MOS 外围电路； W：晶片； 1004：ECL 存储器； 也用别的厂家的符号： 104：ECL 存储器； P：塑料双列； PAL：可编程逻辑陈列； NS、 N：塑料双列； 98：EEPROM； JS、J：密封双列； 99：CMOS 存储器。 W：扁平； R：陶瓷芯片载体； A：陶瓷针栅陈列； NG：塑料四面引线扁平； Q、QS ：器件型号举例说明( 缩写字符：ANA 译名：模拟器件公司（美）)AD 644 A S H /883BANA 首标 器件 附加说明 温度范

4、围 封装形式 筛选水平AD：模拟器件 编号 A：第二代产品； I、J、K、L、M： D：陶瓷或金属气 MIL-STD-HA：混合 DI：介质隔离产 （0-70）； 密双列封装 883B 级。A/D； 品； A、B、C： （多层陶瓷）； HD：混合 Z：工作在+12V （-25-85）； E：芯片载体； D/A。 的产品。（E：ECL） S、T、U： F：陶瓷扁平； （-55-125）。 G：PGA 封装 （针栅阵列）； H：金属圆壳气 密封装； M：金属壳双列 密封计算机部件； N：塑料双列直插； Q：陶瓷浸渍双列 （黑陶瓷）； CHIPS：单片的芯片。 同时采用其它厂家编号出厂产品。通用器件

5、型号举例说明(缩字字符： BUB 译名：布尔-布朗公司（美）)ADC 803 X X X X首标 器件编号 通用资料 温度范围 封装 筛选水平A：:改进参数性能； J、K 、L： M：铜焊的金属壳封装； Q：高可L：自销型； （0-70）； L：陶瓷芯片载体； 靠产品；Z：+ 12V 电源工作； A、B、C： N：塑料芯片载体； /QM：HT：宽温度范围。 （-25-85）； P：塑封（双列）； MILR、S、T、V： H：铜焊的陶瓷封装 STD（-55-125）。 （双列）； 883 产品。G：普通陶瓷（双列）； U：小引线封装。模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符： BUB 译名：布尔-布

6、朗公司（美）)- - X X X 首标 器件编号 温度范围 封装 筛选水平 H、J、K、L： M：铜焊金属壳封装； Q：高可靠产品； （0-70）； P：塑封； /QM：MIL-STD- A、B、C：（-25-85）； G：陶瓷。 883 产品。 R、S、T、V： （-55-125）。 军用器件产品型号举例说明（放大器/多路转换器/ADC/VFC）OPA 105 X M /XXX 首标 器件编号 温度范围 封装 高可靠性等级 V：（-55-125）； M：金属的； MIL-STD-883B。 U：（-25-85）； L：芯片载体。 W：（ -55-125）。 DAC 的型号举例说明DAC 87

7、 X XXX X /XXX首标 器件编号 温度范围 输入代码 输出 MIL-STD-883B 表示V:(-55-125)； CBI：互补二进制 V：电压输出； U：（-25-85）。 输入； I：电流输出。 COB：互补余码补偿 二进制输入； CSB：互补直接二进制 输入； CTC：互补的两余码 输入。 首标的意义：ADC：A/D 转换器；OPA：运算放大器； ADS：有采样/保持的 A/D 转换器；INA：仪用放大器； DAC：D/A 转换器；PGA：可编程控增益放大器； MPC：多路转换器；放大器ISO：隔离放大器。转换器PCM：音频和数字信号处理的A/D 和 D/A 转换器。MFC：多功

8、能转换器； SDM：系统数据模块；MPY：乘法器； SHC：采样/保持电路。DIV：除法器； LOG：对数放大器。 PWS：电源（DC/DC 转换器）；模拟函数PWR：电源（同上）；VFC：电压-频率转换器； REF：基准电压源；UAF：通用有源滤波器。 XTR：发射机；频率产品混杂电路RCV：接收机。器件型号举例说明( 缩写字符：CYSC 译名：丝柏（CYPRESS）半导体有限公司 )CY 7C128 -45 C M B首标 系列及 速度 封装 温度范围 加工器件编号 B：塑料针栅阵列； C：（0-70）； B：高可靠。D：陶瓷双列； L：（ -40-85） ； F：扁平； M：（ -55-

9、125）。 G：针栅阵列（PGA）； H：密封的 LCC（芯片载体）； J：PLCC（密封芯片载体）； K：CERPAK； L：LCC； P：塑封； Q：LCC； R：PGA ； S：小引线封装（SOIC ）； T：CERPAK； V：SOJ ； W： CERDIP（陶瓷双列）； X：小方块（dice）； HD：密封双列； HV：密封直立双列； PF：塑料扁平单列(SIP) ； PS：塑料单列（SIP ）； PZ：塑料 ZIP。 缩写字符：FSC 译名：仙童公司（美）A 741 T CFSC 首标 器件 封装形式 温度范围F：仙童（快捷）电路 编号 D：密封陶瓷双列封装 C：商用温度（0-70

10、/75）；SH：混合电路； （多层陶瓷双列）； CMOS：（-40-85）A：线性电路。 E：塑料圆壳； M：军用温度（-55-125）F：密封扁平封装（陶瓷扁平）； L：MOS 电路（-55-85）；H：金属圆壳封装； 混合电路（-20-85）；J：铜焊双列封装（TO-66）； V：工业用温度（-20-85），K：金属功率封装（TO-3） （-40-85） 。（金属菱形）； P：塑料双列直插封装； R：密封陶瓷 8 线双列封装； S：混合电路金属封装（陶瓷 双列，F6800 系列）； T：塑料 8 线双列直插封装； U：塑料功率封装（TO-220）； U1：塑料功率封装； W：塑封（TO-9

11、2）； SP：细长的塑料双列； SD：细长的陶瓷双列； L：陶瓷芯片载体； Q：塑料芯片载体； S：小引线封装（SOIC ）。 该公司与 NSC 合作，专门生产数字集成电路。除原有的54/74TTL、HTTL、STTL、LSTTL、ASTTL、ALSTTL、FAST 等外，还有 CMOS 的 FACT，内含54/74AC、ACT、ACQ、ACTQ、FCT 等系列。缩写字符： HAS 译名：哈里斯公司（美）H M 1 6508 B 2HAS 系列 封装 器件 种类/产品 温度范围音标 A：模拟电路； 0：芯片 编号 等级种类: 1:(-55-200)；C：通信电路； 1：陶瓷双列; COMS:

12、2:(-55-125) ；D：数字电路； 1B：铜焊的陶瓷双列； A:10V 类; 4:（-25-85）；F：滤波器； 2：金属圆壳(TO-5); B:高速-低功耗; 5：（0-75）；I：接口电路； 3：环氧树脂双列; D:商用的; 没标 6：100%25抽测M：存储器； 4：芯片载体; 的为一般产品。 （小批）；V：高压模拟电路； 4P：塑料芯片载体； 双极: 7：表示“5“温度范围PL：可编程逻辑； 5：LCC 混合电路 A:再设计,双金属的 的高可靠产品；Y：多片组合电路。 (陶瓷衬底); P:有功率降额选择的; 8：MIL-STD-883B 产品；7：小型陶瓷双列； R:锁定输出的;

13、 9：（-40-85）；9：扁平封装。 RP:有功率降额限 9+：（-40-85），制的锁定输出 已老化产品；没标的为一般产品. RH：抗辐射产品。产品等级: A:高速; B:甚高速; 没标的为一般速度. 部分器件编号：0：二极管矩阵； 61：微处理器； 63：CMOS ROM； 64：CMOS 接口；65：CMOS RAM； 66；CMOS PROM； 67：COMS EPROM； 76；双极 PROM；77：可编程逻辑。 80C86 系列型号举例说明M D 82C59A S /B温度 封装 器件 速度（MHz） 高可靠产品C：商用（0-70）； P：塑封； 编号 外围电路： B：已老化，8

14、 次冲击的I：工业用（-40-85）； D：陶瓷双列； 5：5MHz； +：已老化，M：军用（-55-125）； X：芯片； 空白：8MHz； 工业温度等级；X：25 。 R：芯片载体（陶瓷）； CPU 电路： /883：（-55-125）；S ：塑料芯片载体。 空白：5MHz； MIL-STD-883 产品。2：8MHz。 微波电路产品的通用符号系列：系列： 封装：A：放大器（GaAsFET）； 1：32 线金属密封扁平封装；D:数字电路（GaAs）； 2：16 线金属密封扁平封装；F:FET(GaAs)； 3：48 线金属密封扁平封装M:单片微波集成电路； P：高功率 FET（ GaAs）

15、； R：模拟电路（GaAs）； 同时生产其它厂家相同型号的产品。缩写字符： INL 译名：英特希尔公司（美）器件型号举例说明ICL 8038 C C P D器件系列 器件编号 电 温度范围 封装 外引线数符号D：混合驱动器； 存储器件 特 （除 D、DG、G 外） A：TO-237； A：8；G：混合多路 FET； 命名法 性 M：（ -55125） B：塑料扁平封装 B：10；ICL：线性电路； 首位数表示： I：（-2085）； C：TO-220； C：12；ICM：钟表电路； 6：CMOS 工艺； C：（070） 。 D：陶瓷双列； D：14；IH：混合/模拟门； 7：MOS 工艺； D

16、、DG、G 的温度 E：小型 TO-8； E：16 ；IM：存储器； 第二位数表示： 范围： F：陶瓷扁平封装 F：22 ；AD：模拟器件； 1：处理单元； A：（-55125 ） H：TO66 ；I ：16 G：24；DG：模拟开关； 3：ROM ； B：（-2085）； 线（跨距为0.6“X0.7“) H：42；DGM：单片模拟开关； 4：接口单元； C：（070）。 密封混合双列； I：28；ICH：混合电路； 5：RAM ； J：陶瓷浸渍双列 J：32 ；LH：混合 IC； 6：PROM ； （黑瓷）； K；35；LM：线性 IC； 第三、四位数表 K：TO-3； L：40 ；MM：高

17、压开关； 示： L：无引线陶瓷载体； M： 48；NE：SIC 产品； 芯片型号。 P：塑料双列； N：18；SE： SIC 产品。 S：TO-52； P：20 ；T：TO-5（亦是 Q：2；TO-78,TO-99 R：3；TO-100） S：4 ；U：TO-72（亦是 T：6 ；TO-18,TO-71） U：7；V：TO-39； V：8（引线径 0.2“）；Z：TO-92； W： 10（引线径0.23“）/W：大圆片； Y：8（引线径/D：芯片。 0.2“，4 端与壳接 )；z：10 （引线径 0.23“，5 端与壳接）。该公司已并入 HAS 公司。缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美

18、）器件型号举例说明MC 1458 P首标 器件编号 封装MC：有封装的 IC； 15001599； L：陶瓷双列直插（14 或 16 线）；MCC：IC 芯片； （-55125 ）军用线性 U：陶瓷封装；MFC：低价塑封功能电路； 电路； G：金属壳 TO-5 型；MCBC：梁式引线的 IC 芯片； 14001499、34003499： R：金属功率型封装 TO-66 型；MCB：扁平封装的梁式引线IC； （070）线性电路； K：金属功率型 TO-3 封装；MCCF：倒装的线性电路； 13001399、33003399： F：陶瓷扁平封装；MLM：与 NSC 线性电路 消费工业线性电路。 T

19、：塑封 TO-220 型；引线一致的电路； P：塑封双列；MCH：密封的混合电路； P1： 8 线性塑封双列直插；MHP：塑封的混合电路； P2： 14 线塑料封双列直插；MCM：集成存储器； PQ：参差引线塑封双列MMS：存储器系统。 （仅消费类器件）封装；SOIC：小引线双列封装。与封装标志一起的尚有：C：表示温度或性能的符号；A：表示改进型的符号。缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明MP 4136 C YMPS 器件编号 分档和温度范围 D：陶瓷及陶瓷浸渍双列； R：SOIC（8 线）首标 （用文字和 J、K 、L：商用/工业用 N：塑封双列及 TO-92； S：

20、SOIC；数字表示） 温度； Y：14 线陶瓷双列； L：LCC；S、T、U：军用温度。 Z：8 线陶瓷双列； G：PGA；J：TO-99 封装； Q：QFP ；T：TO-52 封装； CHIP：芯片或小片。P：8 线塑封双列及 PLCC； K、H、M：TO-100 型封装。同时生产其它厂家相同型号的产品。缩写字符：NECJ 译名：日本电气公司（日）NECE 日本电气公司美国电子公司（美） 器件型号举例说明P D 7220 DNEC 首标 系列 器件编号 封装A：混合元件； A：金属壳类似 TO-5 型封装；B：双极数字电路； B：陶瓷扁平封装；C：双极模拟电路； C：塑封双列； D：单极型数

21、字电路 D：陶瓷双列；（MOS）。 G：塑封扁平；H：塑封单列直插；J：塑封类似 TO-92 型；M：芯片载体；0 V：立式的双列直插封装；L：塑料芯片载体；K：陶瓷芯片载体；E：陶瓷背的双列直插。缩写字符：NSC 译名：国家半导体公司（美）器件型号举例说明LM 101A F系列 器件编号 封装AD：模拟对数字； （用 3、4 或 5 位数字符号表示） D：玻璃/金属双列直插；AH：模拟混合； A：表示改进规范的； F：玻璃/金属扁平；AM：模拟单片； C：表示商业用的温度范围。 H：TO-5（TO99，TO-100 ，TO-46 ）；CD： CMOS 数字； 其中线性电路的 1、2、3 J：

22、低温玻璃双列直插（黑陶瓷）；DA：数字对模拟； 表示三种温度，分别为： K：TO-3（钢的）；DM：数字单片； （-55125 ） KC： TO-3（铝的）；LF：线性 FET； （-2585 ） N：塑封双列直插；LH：线性混合； （070）。 P：TO-202（D-40，耐热的）；LM：线性单片； S：“SGS“型功率双列直插；LP：线性低功耗； T：TO-220 型；LMC：CMOS 线性； W：低温玻璃扁平封装（黑瓷扁平）；LX：传感器； Z：TO-92 型；MM：MOS 单片； E：陶瓷芯片载体；TBA：线性单片； Q：塑料芯片载体；NMC：MOS 存储器。 M：小引线封装；L：陶瓷

23、芯片载体。该公司同时生产其它厂家相同型号的产品。缩写字符：PHIN 译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明MA B 8400 -A -DP系列 温度范围 器件 表示两层意义 封装（用两位符号表示） A：没规定范围 编号 第一层表示改进型； （用两位符号表示）1.数字电路用两 B：（070） 第二层表示封装； 第一位表示封装形式：符号区别系列。 C：（-55125） C：圆壳； C：圆壳封装；2 .单片电路用两 D：（-2570 ） D：陶瓷双列； D：双列直插；符号表示。 E：（ -2585） F：扁平封装； E：功率双列（带散热片）；第一符号： F：（ -4085） P：塑料双列； F：扁

24、平（两边引线）；S：数字电路； G：（-5585 ） Q：四列封装； G：扁平（四边引线）；T：模拟电路； 如果器件是在别 U：芯片。 K：菱形（TO-3 系列）；U：模拟/数字混合电路。 的温度范围，可 M：多列引线（双、三、四第二符号： 不标，亦可标“A“ 列除外）；除“H“表示混合电路 Q：四列直插；外，其它无规定； R：功率四列（外散热片）；3.微机电路用两位符号 S：单列直插；表示。 T：三列直插。MA：微计算机和 CPU； 第二位表示封装材料：MB：位片式处理器； C：金属-陶瓷；MD：存储器有关电路； G：玻璃-陶瓷（陶瓷浸渍）；ME：其它有关电路（接 M：金属；口，时钟，外围控

25、 P：塑料。制，传感器等）。 （半字符以防与前符号混淆）该公司同时生产与其它厂家相同型号的产品。缩写字符：PMI 译名：精密单片公司（美）器件型号举例说明DAC 08 E X器件系列 器件 电特性等级 封装ADC：A/D 转换器； 编号 H：6 线圆壳 TO-78；AMP：测量放大器； J：8 线圆壳 TO-99；BUF： 缓冲器（电压跟随器）； K：10 线圆壳 TO-100；CMP：电压比较器； P：环氧树脂双列直插；DAC：D/A 转换器； Q：16 线陶瓷双列；DMX：信号分离器； R：20 线陶瓷双列；FLT：滤波器； RC：20 线芯片载体；GAP：通用模拟信息处理器； T：28

26、线陶瓷双列；JAN：M38510 产品； TC：28 线芯片载体；MAT：对管； V：24 线陶瓷双列；MLT：乘法器； X：18 线陶瓷双列；MUX：多路转换器； Y：14 线陶瓷双列；OP：精密运算放大器； Z：8 线陶瓷双列；PKD：峰值检波器； W： 40 线陶瓷双列；PM：仿制的工业规范产品； L：10 线密封扁平；REF：电压基准； M： 14 线密封扁平；RPT：PCM 线转发器； N：24 线密封扁平。SMP：采样/保持放大器； SLC：用户线接口电路； SW：模拟开关； SSS：优良的仿制提高规范产品。 该公司并入 ANA 公司。缩写字符：PRSC 译名：特性半导体有限公司器

27、件型号举例说明P 74 FCT XXX X X首标 温度 产品系列 器件 封装 温度范围P：performance ； 74：（0-70）； 编号 P：塑料双列； C：（0-70）；P4C：静态存储器； 54：（-55125 ） J：J 型小引线塑料 M：（ -55125）；9：适于特殊SRAM。 。 双列（SOJ）； MB： 883C 的 B 级。D：陶瓷双列； C：侧面铜焊双列； L：芯片载体； S：小引线塑料双 列（SOIC ）； DW：600mil 陶瓷 双列。 缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司器件型号举例说明QS 8XXX XXX XX X首标 器件编号 速度 封装 加工8XX

28、X：SRAM ； （存取时间） P：塑料双列； 没标：标准工业用7XXX：FIFO。 D：陶瓷双列； （0-70）；L：陶瓷芯片载体； B：883 的SO：小引线封装双列； （-55125 ）；Z：塑料单列( 双线 )(ZIP)； M：工业用Q：四面引线封装(QSOP)； （-55125 ）。V：(SOJ)J 型小引线双列。 QS XX FCT XX XX X首标 温度 系列 器件 封装 加工54：（-55 FCT：快 编号 P：塑料双列； 没标：标准工业用125）； 捷CMOS； D：陶瓷双列； （070）；74：（070）。 QST：快 L：陶瓷芯片载体； B：883 的速开关。 SO：小

29、引线双列封装； （-55125 ）；Z：塑料 ZIP； M：工业用Q：QSOP 。 （-55125 ）。缩写字符：ZIL 译名：吉劳格公司（美）器件型号举例说明Z 8400 B P S首标 器件编号 速度 封装 温度范围空白： C：陶瓷； E：（ -4085）；2.5MHz； D：陶瓷浸渍； M：（ -55125）A：40MHz； P：塑料； S：（ 070）。B：6.0MHz； Q：陶瓷四列； H：8.0MHz； R：陶瓷背的。 L：低功耗的。 缩写字符：RCA 译名：美国无线电公司（现为 GERCA 公司）器件型号举例说明CD 4070A D类型 器件编号 封装CA：线性电路； A：改型，

30、代替原型； D：陶瓷双列（多层陶瓷）；CD： CMOS 数字电路； B：改型，代替 A 或 E：塑料双列；COM：CMOS LSI； 原型； EM：变形的塑料双列（有散热板）；COP：CMOS LSI； C：改型； F：陶瓷双列，烧接密封；CMM：CMOS LSI； UB：不带缓冲。 H：芯片；MWS：CMOS LSI； J：三层陶瓷芯片载体；LM：线性电路； K：陶瓷扁平封装；PA：门阵。 L：单层陶瓷芯片载体；M： TO-220 封装（有散热板）；P：有散热板的塑料双列封装；Q：四列塑料封装；QM：变形的四列封装S：TO-5 封装（双列型）；T：TO-5 封装（标准型）；V1：TO-5 封

31、装（射线型引线）；W：参差四列塑料封装。该公司并入 Harris 公司。缩写符号：SGL 译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明SG 108 A TSGL 器件编号 说明 封装首标 A：改进性能； F：扁平封装；C：缩小温度范围。 J：陶瓷双列（14、16、18 线）；K：菱形 TO-3；L：芯片载体；M： 8 线小型塑料双列； N：塑料双列（14、16 线）；P：TO-220 封装；R：TO-66（2 线、9 线金属壳）；T：TO-型（5、39 、96、99、100、101 型）；W： 16 线带散热片的陶瓷双列；Y：8 线陶瓷双列；S：大于 15W 的功率封装。缩写字符：SGSI 译名：意

32、大利国家半导体公司器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON 的符号）TDA 1200 XX (X/X)首标 器件编号 封装及封装材料 质量等级首位字母表示： 封装： T：模拟电路； 单字母表示： U：模拟/数字混合电路； C：圆壳； 第二位字母表示： D：双列直插； 没规定含义。 E：功率双列； 双字母表示： F：扁平封装。 FAFZ、 两字母表示： GAGZ：数字电路，系列有别。 首位（表示封装）： 单字母表示： C：圆壳； S：单片数字电路。 D：双列直插； 另外的首标含义： E：功率双列（带散热板）； H：高电平逻辑； F：扁平封装； HB、 HC：CMOSIC； G：

33、四边引线扁平封装； L、LS：线性电路； K：菱形（TO-3 型）； M： MOS 电路； M：多列直插； TAA、TBA、TCA、TDA： Q：四列直插； 线性控制电路。 R：功率四列（带散热板）； 第二位字母表示温度范围： S：单列直插； A：没规定范围，或非下列温度范围； T：三列直插。 B：（070）； 第二位（表示封装材料）； C：（-55125）； C：金属-陶瓷； D：（-2570 ）； G：玻璃-陶瓷（双列）； E：（ -2585）； M：金属； F：（ -4085）； P：塑料。 G：（-5585 ）。 该公司与法国 THOMSON 公司联合组成 SGS-THOMSON 公司

34、，产品型号有所变化。除采用 ST 首标外，还生产与别的厂家型号完全相同的产品。缩写符号：SANYO（TSAJ） 译名：三洋公司（日）器件型号举例说明LA 1230 首标 器件编号 LA：双极线性电路； LB：双极数字电路； LC：CMOS 电路； LE： MNMOS 电路； LM：PMOS、NMOS 电路； STK：厚腊电路； LD：薄膜电路。 缩写符号：SIC 译名：西格尼蒂克公司（美）器件型号举例说明NE 5534 N首标 器件编号 封装 当有第二位字母时表示温度范围： CK：芯片； 表示引线数75、N、NE：（070） D：微型（SO）塑料； B：3；（075）； E：金属壳（TO-46

35、 ，TO-72） C：4；55、S 、 SE： 4 线封装； E：8 ；（-55125 ）； F：陶瓷浸渍扁平； F：10 ；SA：（ -4085）； G：芯片载体； H：14；SU：（ -2585）。 H：金属壳（TO-5） J：16 ；8、10 线封装； K：18I：多层陶瓷双列； L：20 ；K：TO-3 型； M： 22；N：塑料双列； N：24；P：有接地端的微型封装； Q：28；Q：多层陶瓷扁平； W： 40；R：氧化铍多层陶瓷扁平； X：44；S：功率单列塑封； Y：48；W：陶瓷扁平。 Z：50 。同时生产与其它公司相同型号的产品。该公司并入 PHIN 公司。缩写符号： SIE

36、G 译名：西门子公司（德）器件型号举例说明（与欧共体相一致）TB B 1458 A GG首标 温度范围 器件编号 改进型 封装第一字母表示： A：没规定范围； 首位字母表示封装形式：S：单片数字电路； B：（070）； C：圆壳；T：模拟电路； C：（-55125） D：双列直插；U：模拟/数字混合 D：（-2570 ）； E：功率双列（带散热片）；电路。 E：（ -2585）； F：扁平（两边引线）；第二字母，除“H“ F：（ -4085）。 G：扁平（四边引线）；表示混合电路外， K：菱形（TO-3）；其它没明确含义。 M：多列引线（双、三、四列电路系列由两字母加以 除外）；区分。 Q：四

37、列直插；R：功率四列（带散热片）；S：单片直插；T：三列直插。第二位字母表示封装材料：C：金属-陶瓷；G：玻璃-陶瓷（陶瓷浸渍）；M：金属；P：塑料。（半字符以防前后符号混淆）缩写符号：THEF 译名：汤姆逊公司（法）器件型号举例说明（与欧共体相一致）TD B 0155 A DP XX/XX首标 温度范围 器件 改 封装 附加资料第一字母表示： A：没规定范围； 编号 进 第一字母表示封装形式： S：数字电路； B：（070）； 型 C：圆形； T：模拟电路； C：（-55125）； D：双列； U：模拟/数字混 D：（-2570 ）； E：功率双列； 合电路。 E：（ -2585）； F：扁

38、平（两边引线）； 第二字母有 A、 F：（ -4085）。 G：扁平（四边引线）； B、C 或 H。 K：TO-3 型； M：多列引线（多于四排） Q：四列引线； R：功率四列引线； S：单列引线； T：三列引线； 第二字母表示封装材料； B：氧化铍-陶瓷； C：陶瓷； G：玻璃-陶瓷（陶瓷浸渍） M：金属； P：塑料； X：其它。 该公司与意大利 SGS 公司组成 SGS-THOMSON 公司。产品型号有变化，除 ST 首标的产品外，还生产与别的厂家型号完全相同的产品。老产品型号举例说明SFC 2 101 A P MTHEF/CSF 的首标 系列 器件 改 封装 温度范围2：线性电路； 编号

39、 进 D：塑料小型双列（少于 10 线）； C：（070）；9：微机系列。 型 E：塑料双列（多于 10 线）； T：（ -2585）；G：陶瓷小型双列（小于 10 线）； M：（ -55125）。J：陶瓷浸渍双列（多于 10 线）； K：陶瓷双列； P：扁平金属封装； R：菱形金属封装； U：塑料小型扁平封装； 没标者为金属圆壳封装。 汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明EF - 68008 V P D 10 C首标 工艺 器件 温度范围 封装 质量水平 频率 用户： 编号 L：（ 070）； P：塑料双列； ：标准的； 范围 密码NMOS 或HMOS； V： PN：塑料芯片载体； D：D

40、级（STD L：NMOS （-4085 ）。 FP：小引线封装； 加老化）。 低功耗； R：陶瓷 PGA 封装； C：CMOS； E：陶瓷芯片载体； HC： HCMOS。 J：陶瓷浸渍双列； C：陶瓷双列。 ET C 2716 Q 55 M B/B首标 工艺 器件 封装 响应时间 温度范围 质量水平 ： C：陶瓷双列； ：（070）； ：标准的NMOS； J：陶瓷浸渍双列 E：（ -2585） ； B/B：883B 的.C：CMOS； N：塑料双列； V：（-4085 ） ； L：低功耗。 Q：紫外线窗口陶 M：（ -55125）。 瓷浸渍双列。 MK 68901 P 00首标 器件编号 封装

41、 仪表板编号MK：标准产品； P：镀金铜焊陶瓷双列； MKB：军用高可靠筛选 J：陶瓷浸渍双列； 883B 产品； N：塑料双列； MKI：工业用高可靠筛选 K：镀锡铜焊陶瓷双列； （-4085 ）产品。 T：有透明盖的陶瓷双列； E：陶瓷芯片载体； D：双密度 RAM/PAC； F：扁平封装。 ET - 68A00 C M B/B首标 工艺 器件编号 封装 温度范围 质量水平A：NMOS； C：陶瓷双列； L：（ 070）； B：CMOS/大部分； E：陶瓷芯片载体； V：（-4085 ）； G：GMOS/Si gate J：陶瓷浸渍双列； M：（ -55125）。 （硅栅）； FN：塑料芯

42、片载体； X：（样品）原型。 P：塑料双列； R：RGA。 J LM108A 1 V芯片 器件编号 硅片背面 质量水平大片 加工： V：芯片封装前按 MIL-STD-883 方法 20101：硅； 进行 100%目检；2：镀金； N：V 水平的加上批量抽样（55 封装的 IC）；3：Si-Ni-Ag。 T：N 水平的加上批量抽样老化（55 封装 IC）；W： T 水平的加上 1000 小时批量抽样寿命试验（55封装 IC）；Z：W 水平的接着试验。同时有与欧共体相同的编号。缩写符号：TII 译名：得克萨斯公司（美）器件型号举例说明TL 0728 E JG 首标 器件编号 温度范围 封装 LS

43、183 J 首标 温度范围 系列 器件编号 封装 首标符号意义AC：改进的双极电路； SN：标准的数字电路； TL： TII 的线性控制电路；TIEF：跨导放大器； TIES：红外光源； TAL：LSTTL 逻辑阵列；JANB：军用 B 级 IC； TAT：STTL 逻辑阵列； JAN38510：军用产品；TMS：MOS 存储器/微处理器； JBP：双极 PMOS 883C 产品； TM：微处理器组件；SNC：IV 马赫 3 级双极电路； TBP：双极存储器； SNJ：MIL-STD-883B 双极电路；TC：CCD 摄像器件； SNM：IV 马赫 1 级电路； TCM：通信集成电路；RSN：

44、抗辐射电路； TIED：经外探测器； SBP：双极微机电路；TIL：光电电路； SMJ：MIL-STD-883B MOS 电路； VM：语音存储器电路；TAC：CMOS 逻辑阵列； TIFPLA：双极扫描编程逻辑阵列； TLC：线性 CMOS 电路；TIBPAL：双极可编程阵列逻辑。 同时采用仿制厂家的首标。封装符号J、JT 、JW、JG：陶瓷双列； PH、 PQ、RC：塑料四列扁平封装； T：金属扁平封装；LP：塑料三线； D、DW：小引线封装； DB、 DL：缩小的小引线封装；DBB、DGV ：薄的超小型封装； DBV：小引线封装； GB：陶瓷针栅阵列；RA：陶瓷扁平封装； KA、KC、K

45、D、KF：塑料功率封装； U：陶瓷扁平封装；P：塑料双列； JD：黄铜引线框陶瓷双列； W、 WA、WC、WD：陶瓷扁平封装；N、NT、NW、NE、NF：塑封双列； MC：芯片； DGG、PW：薄的再缩小的小引线封装；PAG、PAH、PCA、PCB、PM、PN 、PZ：塑料薄型四列扁平封装；FH、 FN、FK、FC、FD、FE、FG、FM 、FP ：芯片载体。数字电路系列符号GTL：Gunning Transceiver Logic； SSTL：Seris-Stub Terminated Logic；CBT：Crossbar Technology； CDC：Clock-Distribution

46、 Circuits；ABTE：先进 BiCMOS 技术/增强收发逻辑； FB：Backplane Transceiver Logic/Futurebust；没标者为标准系列； L：低功耗系列； AC/ACT：先进 CMOS 逻辑；H：高速系列； AHC/AHCT：先进高速 CMOS 逻辑； ALVC：先时低压 CMOS 技术；S：肖特基二极管箝位系列； LS：低功耗肖特基系列； BCT：BiCMOS 总线-接口技术;AS：先进肖特基系列； F：F 系列（ FAST）； CBT：Crossbar Technology；ALS：先进低功耗肖特基系列； HC/HCT：高速 CMOS 逻辑； LV：低

47、压 HCMOS 技术；ABT：先时 BiCMOS 技术。 速度标志（MOS 电路用）15：150ns MAX 取数； 17：170 ns MAX 取数； 20：200 ns MAX 取数；25：250 ns MAX 取数； 35：350 ns MAX 取数； 45：450 ns MAX 取数；2：200 ns MAX 取数； 3：350 ns MAX 取数； 4：450 ns MAX 取数。温度范围数字和接口电路系列： 双极线性电路： MOS 电路：55、54：（-55125）； M：（ -55125）； M：（ -55125）；75、74：（070）； E：（ -4085）； R：（-558

48、5）；CMOS 电路 74 表示（ -4085）； I：（-2585）； L：（ 070）；76：（-4085 ）。 C：（070）。 C：（-2585）；E：（ -4085）；S：（ -55100）；H：（055）。缩写符号：VTC 译名：VTC 公司器件型号举例说明CMOS 集成电路V B 74 ACT 240 P首标 附加处理 温度 系列 器件编号 封装(辅助程序) 74：商用（-4085）； P：塑料双列；B：168 小时， 54：军用（-55125）； PS：塑料双列（细线）；Tj=150 ； S：陶瓷双列；老化或等效处理； DS：陶瓷双列（细线）；J：833B 级筛选； PL：塑料芯片载体（PLCC）；R：抗辐照。 DL：陶瓷芯片载体（LCC）；PO：塑料 SOIC。注：没有不附加处理的。双极电路V B 空位 705 D J首标 附加处理 系列 部分编号 封装 温度和特性B：168 小时， P：塑料双列； AI：工业用（-2585）；Tj=150 ， PS：塑料双列 JR：商用（070）；老化或等效处理； （细线）； SZ：军用（-55125）。J：833