1、IGBT 门极驱动的要求及电路设计绝缘栅双极晶体管 IGBT 是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管 GTR 和功率场效应管 MOSFET 的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz)的特点，是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS 及逆变焊机当中。IGBT 的驱动和保护是其应用中的关键技术。在此根据长期使用 IGBT 的经验并参考有关文献对 IGBT 的门极驱动问题做了一些总结，希望对广大 IGBT 应用人员有一定的帮助。1 IGBT 门极驱动要求1.1 栅极驱动电压因 IGBT 栅极-发射极
2、阻抗大，故可使用 MOSFET 驱动技术进行驱动，但 IGBT 的输入电容较MOSFET 大，所以 IGBT 的驱动偏压应比 MOSFET 驱动所需偏压强。图 1 是一个典型的例子。在+20情况下，实测 60 A，1200 V 以下的 IGBT 开通电压阀值为 56 V，在实际使用时，为获得最小导通压降，应选取 Ugc(1.53)Uge(th)，当 Uge 增加时，导通时集射电压 Uce 将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中 Uge 增加，集电极电流 Ic 也将随之增加，使得 IGBT能承受短路损坏的脉宽变窄，因此 Ugc 的选择不应太大，这足以使 IGBT 完全饱和，同时也限制了短路
3、电流及其所带来的应力(在具有短路工作过程的设备中，如在电机中使用 IGBT 时，+Uge在满足要求的情况下尽量选取最小值，以提高其耐短路能力)。1.2 对电源的要求对于全桥或半桥电路来说，上下管的驱动电源要相互隔离，由于 IGBT 是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，要求能提供较大的瞬时电流，要使 IGBT 迅速关断，应尽量减小电源的内阻，并且为防止 IGBT 关断时产生的du/dt 误使 IGBT 导通，应加上一个-5 V 的关栅电压，以确保其完全可靠的关断(过大的反向电压会造成 IGBT 栅射反向击穿，一般为-210 V 之间)。1.3 对
4、驱动波形的要求从减小损耗角度讲，门极驱动电压脉冲的上升沿和下降沿要尽量陡峭，前沿很陡的门极电压使 IGBT 快速开通，达到饱和的时间很短，因此可以降低开通损耗，同理，在 IGBT 关断时，陡峭的下降沿可以缩短关断时间，从而减小了关断损耗，发热量降低。但在实际使用中，过快的开通和关断在大电感负载情况下反而是不利的。因为在这种情况下，IGBT 过快的开通与关断将在电路中产生频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压 Ldi/dt，并且这种尖峰很难被吸收掉。此电压有可能会造成 IGBT 或其他元器件被过压击穿而损坏。所以在选择驱动波形的上升和下降速度时，应根据电路中元件的耐压能力及 du/dt 吸收电路
5、性能综合考虑。1.4 对驱动功率的要求由于 IGBT 的开关过程需要消耗一定的电源功率，最小峰值电流可由下式求出：IGP=U ge/RG+Rg；式中Uge=+Uge+|Uge|；RG 是 IGBT 内部电阻；Rg 是栅极电阻。驱动电源的平均功率为：PAV=CgeUge 2f,式中f 为开关频率；Cge 为栅极电容。1.5 栅极电阻为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡，减小 IGBT 集电极的电压尖峰，应在 IGBT 栅极串上合适的电阻 Rg。当 Rg 增大时，IGBT 导通时间延长，损耗发热加剧；Rg 减小时，di/dt 增高，可能产生误导通，使 IGBT 损坏。应根据 IGBT 的电流容量和
6、电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。通常在几欧至几十欧之间(在具体应用中，还应根据实际情况予以适当调整)。另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏 IGBT，建议在栅射间加入一电阻 Rge，阻值为10 k 左右。1.6 栅极布线要求合理的栅极布线对防止潜在震荡，减小噪声干扰，保护 IGBT 正常工作有很大帮助。a布线时须将驱动器的输出级和 lGBT 之间的寄生电感减至最低(把驱动回路包围的面积减到最小)；b正确放置栅极驱动板或屏蔽驱动电路，防止功率电路和控制电路之间的耦合；c应使用辅助发射极端子连接驱动电路；d驱动电路输出不能和 IGBT 栅极直接相连时，应使用双绞线连接(2 转c
7、m)；e栅极保护，箝位元件要尽量靠近栅射极。1.7 隔离问题由于功率 IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离，主要的途径及其优缺点如表 1 所示。表 1 驱动电路与控制电路隔离的途径及优缺点优点 缺点利用光电耦合器进行隔离体积小、结构简单、应用方便、输出脉宽不受限制，适用于 PWM 控制器1、共模干扰抑制不理想2、响应速度慢，在高频状态下应用受限制3、需要相互隔离的辅助电源利用脉冲变压器进行隔离响应速度快，共模干扰抑制效果好1、信号传送的最大脉冲宽度受磁芯饱和特性的限制，通常不大于50，最小脉宽受磁化电流限制2、受漏感及集肤影响，加工工艺复杂2
8、 典型的门极驱动电路介绍2.1 脉冲变压器驱动电路脉冲变压器驱动电路如图 2 所示，V1V4 组成脉冲变压器一次侧驱动电路，通过控制V1、V4 和 V2、V3 的轮流导通，将驱动脉冲加至变压器的一次侧，二次侧通过电阻 R1 与 IGBT5栅极相连，R1、R2 防止 IGBT5 栅极开路并提供充放电回路，R1 上并联的二极管为加速二极管，用以提高 IGBT5 的开关速度，稳压二极管 VS1、VS2 的作用是限制加在 IGBT5g-e 端的电压，避免过高的栅射电压击穿栅极。栅射电压一般不应超过 20 V。图 2 脉冲变压器驱动电路2.2 光耦隔离驱动电路光耦隔离驱动电路如图 3 所示。由于 IGB
9、T 是高速器件，所选用的光耦必须是小延时的高速型光耦，由 PWM 控制器输出的方波信号加在三极管 V1 的基极，V1 驱动光耦将脉冲传递至整形放大电路 IC1，经 IC1 放大后驱动由 V2、V3 组成的对管(V2、V3 应选择 100 的开关管)。对管的输出经电阻 R1 驱动 IGBT4，R3 为栅射结保护电阻，R2 与稳压管 VS1 构成负偏压产生电路，VS1 通常选用 1 W/5.1 V 的稳压管。此电路的特点是只用 1 组供电就能输出正负驱动脉冲，使电路比较简洁。图 3 光耦隔离驱动电路2.3 驱动模块构成的驱动电路应用成品驱动模块电路来驱动 IGBT，可以大大提高设备的可靠性，目前市
10、场上可以买到的驱动模块主要有：富士的 EXB840、841，三菱的 M57962L，惠普的 HCPL316J、3120 等。这类模块均具备过流软关断、高速光耦隔离、欠压锁定、故障信号输出功能。由于这类模块具有保护功能完善、免调试、可靠性高的优点，所以应用这类模块驱动 IGBT 可以缩短产品开发周期，提高产品可靠性。EXB840 和 M57962 很多资料都有介绍，这里就简要介绍一下惠普公司的HCPL316J。典型电路如图 4 所示。图 4 由驱动模块构成的驱动电路HCPL316J 可以驱动 150 A/1200 V 的 IGBT，光耦隔离，COMS/TTL 电平兼容，过流软关断，最大开关速度
11、500 ns，工作电压 1530 V，欠压保护。输出部分为三重复合达林顿管，集电极开路输出。采用标准 SOL-16 表面贴装。HCPL316J 输入、输出部分各自排列在集成电路的两边，由 PWM 电路产生的控制信号加在316j 的第 1 脚，输入部分需要 1 个 5 V 电源，RESET 脚低电平有效，故障信号输出由第 6 脚送至 PWM 的关闭端，在发生过流情况时及时关闭 PWM 输出。输出部分采用+15 V 和-5 V 双电源供电，用于产生正负脉冲输出，14 脚为过流检测端，通过二极管 VDDESAT 检测 IGBT 集电极电压，在 IGBT 导通时，如果集电极电压超过 7 V，则认为是发生了过流现象，HCPL316J 慢速关断IGBT，同时由第 6 脚送出过流信号。
