1、1晶体二极管及整流电路试题（一）姓名 学号 一、填空1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的 价元素，可形成 P 型半导体，又称 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。2、在本征半导体中掺入 价元素，可形成 N 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 ，它的导电能力比本征半导体 。3、如图，这是 材料的二极管的_曲线，在正向电压超过 V后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约为 V。当反向电压增大到 V 时，即称为 电压时，反向电流会急剧增大，该现象为 。若反向电压继续增大，容易发生 现象。其中稳压管一般工作在 区。4、二极管
2、的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 _后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 5、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。6、PN 结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。7、二极管的主要参数有 _、_ _、 _和 ，二极管的主要特性是 。8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。9、整流是指_，单相整流电路分 、 和 电路
3、。10、有一直流负载 RL=9，需要直流电压 VL=45V,现有2CP21(IFM=3000mA,VRM=100V)和 2CP33B(IFM=500mA, VRM=50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路，应选用 型二极管 只。I(mA)V(v)0 0.5-50211、稳压二极管的稳压特性指 ，动态电阻 rZ越大，说明稳压性能越 。12、滤波器的作用是将整流电路输出的 中的 成分滤去，获得比较 的直流电,通常接在 电路的后面。它一般分为 、 和 三类，其中 的滤波效果较好。13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_ ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_
4、 。14、如图，V 1、V 2为理想二极管。V 1状态 ，V 2状态 。V AB= V 15、如图，V 为理想二极管。V 状态 ，V AB= V 16、图中，V 为硅二极管。1)S 与 A 接通时，V 的状态 ，V MN= V 2)S 与 B 接通时，V 的状态 ，V MN= V17、如图，V 1、V 2为硅稳压二极管，若 Vi足够大，则输出电压 VO= V 二、判断题 1、( )将 P 型半导体和 N 型半导体简单的接触并连在一起，就会形成 PN结。 2、 （ ）P 型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。 3、 （ ）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 4、 （ ）硅二极管门坎
5、电压是 0.3V，正向压降是 0.6V。 5、 （ ）硅的导通电压为 0.3V，锗的导通电压为 0.7V 。 36、 （ ）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。 7、 （ ）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。 8、 （ ）二极管正向使用时不能稳压。 9、 （ ）变压器中心抽头式全波整流电路， 二极管承受的反向峰值电压为 V2 。 10、 （ ）电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。 11、 （ ）电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器，常选用于负载电流较小的场合。 12、 （ ）稳压二极管一般工作在反向击穿区。 13、 （ ）稳压管的动态电阻越小，稳压性能越好
6、。 14、 （ ）稳压二极管正向使用时，和普通二极管的特性相同。 15、 （ ）单相桥式整流电路属于单相全波整流电路。 16、 （ ）选择整流二极管主要考虑两个参数：反向击穿电压和正向平均电流。17、 （ ）单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。18、 （ ）单相桥式整流电路输出的直流电压平均值是半波整流电路输出的直流电压平均值的 2 倍。 19、 （ ）直流稳压电源只能在电网电压变化时使输出电压基本不变，而当负载电流变化时不能起稳压作用。 三、单项选择题 1、 （ ）关于晶体二极管的正确叙述是： A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使 PN 结温度迅速升高而烧坏。
7、B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。D 以上说法都不对。 2、 （ ）关于滤波器，正确叙述是： A 电容滤波器电路的电容量越大，负载越重，输出直流越平滑。B 电容量越小，负载越重，输出电压越接近脉动电压峰值。C 电感滤波器是利用电感具有反抗电流变化的作用，使负载电流的脉动程度减小，从而使输出电压平滑。D 电感量越大，产生的自感电动势越大，滤波效果越差。3、 （ ）如图，电源接通后，正确说法为 A H1、H 2、H 可能亮。 B H 1、H 2、H 都不亮。C H1可能亮，H 2、H 不亮。 D H 1不亮，H 2、H 可能亮。
8、44、 （ ）如图，V 为理想二极管 A V 导通，V AB=0V。 B V 导通，V AB=15V。C V 截止，V AB=12V。 D V 截止，V AB=3V。5、 （ ）如图，V 为理想二极管 A V 截止，V AB=12V。 B V 导通，V AB=6V。C V 导通，V AB=18V。 D V 截止，V AB=0V。6、 （ ）二极管两端加上正向电压时 A 一定导通 B 超过死区电压才能导通 B 超过 0.7 伏才能导通 D 超过 0.3 伏才能导通 7、 （ ）在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会：A 变大 B 变小 C 不变化 D 不能确定四、分析判断题 1、
9、硅稳压二极管，稳定电压如图所示，当 VI足够大时，计算各 VO值。VO=_ VO=_ VoR8V7.5VVI+ +- -VoR8V7.5VVI+ +- -VoR8V7.5VVI+ +- -VoR8V7.5VVI+ +- -5VO=_ VO=_ 2、如图，V 1、V 2为理想二极管。VAB= S 合上时，V P= S 断开时，V P= 五、计算分析题 1、变压器中心抽头式全波整流电路中，已知 VL=54V，I L=2A。求：1）电源变压器次级半个绕组电压 V2；2）整流二极管承受的最大反向电压 VRM；3）流过二极管的平均电流 IV。2、在桥式整流电路中，已知 VL=9V，I L=1A。求：1）
10、电源变压器次级电压 V2；2）整流二极管承受的最大反向电压 VRM；3）流过二极管的平均电流 IV。3、桥式整流电路中，若:1）V 1内部短路，会出现什么现象？3VRV112VAB+12V +3VR V2 S P62）V 1虚焊，会出现什么现象？3）V 1方向接反，会出现什么现象？4）若四只二极管的极性全部接反，对输出有何影响？4、画出带有滤波及稳压电路的桥式整流电路，并说明：1）负载变化，使 VO时，电路的稳压过程。2）当电网电压变化，引起图中整流、滤波后的电压 VI时，电路的稳压过程。5、在桥式整流电路中，若要求输出电压为 18V，负载电流为 2A，试求：1）电源变压器次级电压 V2；2）
11、整流二极管承受的最大反向电压 VRM；3）流过二极管的平均电流 IV。4）若 V1管内部短路，整流电路会出现什么现象？7晶体二极管及整流电路试题（二）姓名 学号 一、 填空题1、把 P 型半导体 N 型半导体结合在一起，就形成 。 2、半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。3、利用二极管的 可将交流电变成 。4、根据二极管的 性，可使用万用表的R1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ，死区电压是 。6、硅二极管的工作电压为 ，锗二极管的工作电压为 。7、整流二极管的正向电阻越 ，反向电阻越 ，表明二极管的单向导电
12、性能越好。8、杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。9、半导体二极管的主要参数有 、 ，此外还有 、 、 等参数，选用二极管的时候也应注意。10、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为 现象。11、发光二极管是把 能转变为 能，它工作于 状态；光电二极管是把 能转变为 能，它工作于 状态。12、整流是把 转变为 。滤波是将 转变为 。电容滤波器适用于 的场合，电感滤波器适用于 的场合。13、设整流电路输入交流电压有效值为 U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压 UL（AV） = ，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压UL（ AV） = ，单相桥式整流电
13、感滤波器的输出直流电压 UL（AV） = 。14、除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出 2 种用于其他功能的二极管： ， 。15、常用的整流电路有 和 。 16、为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有 ， ，复合滤波电路。17、整流电路后无电容滤波的输出电压为 ，有电容滤波的输出电压8为 。18、桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程 （延长，缩短） ，因此输出电压更为 （平滑，多毛刺） ，输出的直流电压幅度也更 （高，低） 。19、滤波电路中，负载电阻 RL 的阻值越_ 、滤波电容 C 的容量越_,电容滤波效果更好20、单相全波
14、整流电路中,若负载电流为 10mA,则流过每个二极管的电流是_。二、 选择题1、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将 。A、变好 B、变差 C、不变 D、无法确定2、P 型半导体是指在本征半导体中掺入微量的 。A、硅元素 B、硼元素 C、磷元素 D、锂元素3、N 型半导体是指在本征半导体中掺入微量的 。A、硅元素 B、硼元素 C、磷元素 D、锂元素4、PN结加正向电压时，空间电荷区将 。A、 变窄 B、 基本不变 C、变宽 D、无法确定5、二极管正向电阻比反向电阻 。A、大 B、小 C、一样大 D、无法确定6、二极管的导通条件 。A、uD0 B、uD 死区电压 C 、 uD 击穿
15、电压 D、以上都不对7、晶体二极管内阻是 。A、常数 B、不是常数 C、不一定 D、没有电阻8、电路如图所示，输出电压U O应为 。A、0.7V B、3.7V C、10V D、0.3V9、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该二极管。A、击穿 B、电流为零 C、电流正常 D、电流过大使管子烧坏10、下面列出的几条曲线中，哪条表示的理想二极管的伏安特性曲线 。911、二极管的反向饱和电流在室温20 oC时是5 A，温度每升高 10oC，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为30 oC时，反向饱和电流值为 。 A、5 A B、10 A C、20 A D、30 A12、将交流
16、电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo 的关系是 。 A、Uo=Ui B、Uo=0.45Ui C、Uo=0.5Ui D、Uo= Ui213、三极管三个极的对地电位分别是-6 V、-3 V、-3.2 V，则该管是 。 A、PNP硅管 B、NPN锗管 C、NPN硅管 D、PNP锗管14、NPN型三极管，三个电极的电位分别有VC=3.3 V，VE=3 V，VB=3.7 V，则该管工作在 。 A、饱和区 B、截止区 C、放大区 D、击穿区15、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到 。A、R100或 R1K B、R1 C、R10 D、R10016、当环境温度升高时，二极管的
17、反向电流将 。A、减少 B、增大 C、不变 D、缓慢减少17、如图所示，设二极管为理想状态，则电压V AB为 。A、3V B、6V C、-3V D、-6V18、如图所示的电路中，理想二极管D1、D2的工作状态为 。A、D1、D2均导通 B、D1截止，D2导通 C、D1、D2均截止 D、D1导通，D2截止19、将交流220V经单相半波整流电路转换为直流电压的值为 。10A、110V B、0.45220V C、 220V D、220V220、问以下哪种情况中，二极管会导通 。A、 B、 C、 D、 21、用万用表测量小功率二极管极性时，应选用 。A、直流电压挡量程5V B、直流电流挡量程100mA
18、 C、交流电压挡量程10V D、电阻挡量程R10022、当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为 。A、该管已坏 B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变 D、二极管的伏安特性是非线性23、二极管在反向截止区的反向电流 。A、随反向电压升高而升高 B、随反向电压升高而急剧升高C、基本保持不变 D、随反向电压升高而减少24、某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管 。A、正常 B、已被击穿 C、内部短路 D、内部开路25、已知输入正弦波Ui，欲获取图示输出波形Uo，应选取的合适电路是 。26、两只相同的灯泡L1、L2接在如图所示的电路中，则 。A、L1
19、 比L2 亮 B、L2比L1亮 C、L1、L2一样亮 D、以上答案都不对1127、在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是 。A、四只 B、三只 C、二只 D、一只28、在整流电路中 ， 设整流电流平均值为I O， 则流过每只二极管的电流平 均值I D=IO的电路是 。A、单相桥式整流电路 B、单相半波整流电路C、单相全波整流电路 D、以上都不行29、设整流变压器副边电压 uUt22sin，欲使负载上得到图示整流电压 的波形， 则需要采用的整流电路 。A、 单相桥式整流电路 B、单相全波整流电路C、 单相半波整流电路 D、以上都不行题29图 题30图30、整流滤波电路如图所示，负载电阻 R
20、L不变，电容C愈大，则输出电压平 均 值 UO应 。A、不变 B、愈大 C、愈小 D、无法确定三、计算题1、电路如图1.1所示，试确定二极管是正偏还是反偏。设二极管正偏时的正向压降为0.7V，估算U AB、U CD。 2 3uOt20 u2RL+CuO+-+-122、写出图各电路的输出电压值，设二极管导通电压 UD0.7V。3、整流滤波电路如图所示，二极管是理想元件，电容 C=500uF，负载电阻RL=5K， 开关 S1闭合、S 2断开时，直流电压表 ()V的读数为 14.，求：(1)开关 S1闭合、S 2断开时，直流电流表（A）的读数 ;(2)开关 S1 断开、S 2闭合时，直流电流表（A）的读数 ;(3)开关 S1、S 2均闭合时， 直流电流表（A）的读数 (设电流表内阻为零，电压表内阻为无穷 大)。
