1、第一章：Wafer制程的概要1.1 Wafer制程的基本工程1.2 photo工程1.3 蚀刻工程1.4 膜形成工程1.5 不纯物导入工程1.6 清洁工程,Wafer制程，是在高纯度的silicon wafer的上面，累加薄膜的电路元素和配线，制成memory&logic等复杂构造的半导体结构。,Wafer制程，是以photo工程为中心，以及膜形成、不纯物导入、清洁和蚀刻工程反复操作来制成半导体结构。在每个工程中，由于dust而引起的pattern不良的结构不同，让我们按顺序来看吧！,Photo工程，简单地说就是制作光刻图案的工程。由光刻胶涂布、曝光、显像工序来形成光刻图案。,首先，是在sil
2、icon wafer的上面涂布一层称为photo regist 的感光性高分子膜。然后利用和照片同样的方法透过光罩来进行曝光。,显像后，就形成了电路光刻图案。,曝光的时候，如果在wafer上面有dust的话，那么光线被遮挡，就不能形成正确的图案。,如果光罩上面有dust的话，那么事态就更加严重了。因为光罩的电路图案在wafer上面一边移动一边将dust的图案也copy到了每一个chip上面。,蚀刻工程，就是将薄膜中不需要的部分除去，在wafer上面形成电路 图案。,以regist图案为基准，除去底衬薄膜的不需要的部分。然后，再将上面的regist除去，在wafer上面形成电路图案。,此时，如果
3、wafer上面有dust的话，就会引起蚀刻不良，短路和断线等等pattern不良。,膜形成工程，是指通过化学反应或物理堆积，在wafer的表面形成绝缘膜或导电膜等的薄膜。膜的厚度非常薄，只有数纳米，相当于几十个原子重叠的厚度。在wafer的表面形成薄膜的方法分为热反应、CVD（化学气相沉淀）、PVD（物理气相沉淀），涂布四种。,所谓热反应，是指将wafer在高温的氧气或者氮气中加热，使硅和氧气或氮气发生反应，形成氧化膜或者氮化膜的方法。,是指使化合物气体发生化学反应，制作薄膜的方法。分为高温反应的方法和使用等离子的方法。比如，制作出如左图所列的绝缘膜和导电膜。,在半导体制造制程中，一般用于制作
4、配线用的金属膜。在真空中，撞击膜的原始材料（这里称为掩膜板），溅击出原子，堆积到wafer上面。,旋转regist、polyamide,SOG等高粘度的液体，涂布之后，进行热处理，形成薄膜。,膜形成过程中，如果有dust的话，就不能形成均匀的薄膜了，因此就会造成断线等pattern不良。还有，如果导电膜与导电膜之间夹杂dust的话，就会引起接触不良。在氧化膜或者绝缘膜的形成前后，如果wafer上面有dust的话，就会引起特性不良。,再有，如果小的dust残留在底层，那么它有可能成长到上一层而变大。比如说上图中，氧化膜上面附着了dust，其上生长一层铝，然后再重叠一层绝缘膜，此时dust就变成了
5、很大的鼓包。会造成和上一层的短路，或者和邻近的配线的短路。,不纯物导入工程，是指在silicon wafer上面添加不纯物原子，形成不纯物层。为了控制半导体结构的电子性质，要正确地控制不纯物导入的量以及位置就需要高度的技术。在wafer上面添加不纯物的方法分为热扩散法和离子注入法两种。,热扩散，是指将不纯物蒸汽在silicon中进行热扩散，形成不纯物层。一般，需要长时间的高温加热。,离子注入是指将被数十到数百伏的电流加速后的离子注入到wafer上面。注入大量的离子，就需要大型的电流装置。离子注入也需要进行高温热处理，使注入的离子电子活性化。,如果wafer上面有dust的话，那么那部分就不能形
6、成正确的不纯物层，就会破坏电子特性。,清洁wafer后，一定要将表面的水分充分地干燥。我们在wafer process的每个重点工程进行清洁作业，这样做如果能去除掉所有的dust当然是我们所希望的，但事实上却很难彻底的清除掉。,问题-1使用silicon的wafer制程，是指反复进行膜形成、不纯物导入，清洁，蚀刻以及（ ）工程。：photo ：组装 ：chip处理 ：测定,问题-2在wafer表面形成薄膜的方法分为热反应、CVD、PVD以及（ ）四种。：蚀刻 ：涂布 ：不纯物导入 ：涂装,问题-3在photo工程中，如果光罩上面附着dust的话，在wafer上面结像的结果是wafer的（ ）的chip上面有dust的图形。：中央 ：周边 ：特定 ：全部,问题-4 如果底片regist上面有dust的话，显像后会造成regist pattern ( )。：短路 ：断线 ：错位 ：反转,问题-5在蚀刻工程中，如果wafer上面有dust的话，就会引起（ ），所以注意不能附着dust。：patter short ：接触不良 ：上下膜之间的接触不良 ：绝缘不良,
