1、第一章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路,电力电子器件的分类,按照器件能够被控制信号所控制的程度，分为以下三类：,半控型器件,绝缘栅双极晶体管（Insulated-Gate Bipolar TransistorIGBT） 电力场效应晶体管（电力MOSFET） 门极可关断晶闸管（GTO）等,不可控器件,只有两个端子，器件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电 流决定的。 电力二极管（Power Diode）,通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。,器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定 晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件,全控型器件,通过控制信号可以控制
2、其导通而不能控制其关断。,不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。,电力电子器件的分类,按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类：,按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：,1) 电流驱动型,1) 单极型器件,2) 电压驱动型,通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制,仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制,2) 双极型器件,3) 复合型器件,由一种载流子参与导电的器件,由电子和空穴两种载流子参与导电的器件,由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件,晶闸管及派生器件、晶体管（GTR）,MOSFET、I
3、GBT、MCT、IGCT、SIT、SITH,MOSFET、SIT,晶闸管及派生器件、GTR、SITH,IGBT、MCT、IGCT,1 基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样 2 以半导体PN结为基础, PN结具有单向导电性。二极管是一个正方向导电、反方向阻断的电力电子器件。 3 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的 4 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装,电力二极管的外形、结构和电气图形符号a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号,5 功率二极管的伏安特性 当外加正向电压大于UTO （门槛电压）即克服PN结内电场后管子才开始导通，正向导通后其压降基本不随电流变化。反向
4、工作时，当反向电压增大到UB（击穿电压），使PN结内电场达到雪崩击穿强度时，反向漏电流剧增，导致二极管击穿损坏。,用于工频整流的功率二极管亦称整流管，国产型号为P，主要参数说明如下：,（1）额定正向平均电流F（额定电流）指管子长期运行在规定散热条件下，允许流过正弦半波时的最大平均电流，将此电流值配规定系列的电流等级。,6 功率二极管的主要参数,F受发热限制，因此在使用中按有效值相等的原则来选取管子电流定额，并应留有一定的裕量。对应额定电流F，其有效值为1.57F。,（2）反向重复峰值电压（额定电压）指管子反向能重复施加的最高峰值电压，此值通常为击穿电压B的23。,（3）正向平均电压F在规定条件
5、下，管子流过额定正弦半波电流时，管子两端的正向平均电压亦称管压降，此值比直流压降小。,（4）反向漏电流对应于反向重复峰值电压时的漏电流。,使用时，往往按照电路中电力二极管可能承受的反向最高峰值电压的两倍来选定,晶闸管的优点：1.功率放大倍数高：达104以上2.快速响应好： ms级 3.功耗小，效率高：晶闸管的正向压降为1V，功耗14.无磨损，无噪音，体积小，费用低。,晶闸管的缺点：1. 过载能力小2. 晶闸管工作在深调速（较大）时，产生较大的无功功率，使装置cos降低，并产生高次谐波，引起电网波形畸变。,关于晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，也称可控硅（Silicon Controll
6、ed RectifierSCR） 1956年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司（GE）开发出第一只晶闸管产品 1958年商业化，开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代 20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位 晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型普通晶闸管，广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件,晶闸管是电力电子器件，工作时发热大，必须安装散热器。图a为小电流塑封式，电流稍大时也需紧固在散热板上，图b、c为螺栓式，使用时必须紧栓在散热器上，图d为平板式，使用时由两个彼
7、此绝缘的散热器把其紧夹在中间。,一、晶闸管的结构与工作原理,晶闸管是一种功率四层半导体器件，有三个引出极，阳极（A）、阴极（K）、门极（G），常用的有螺栓式与平板式。,平板式普通晶闸管属于双面散热，适用于大功率场合；螺栓式普通晶闸管属于单面散热，适用于中、小功率场合。,平板式普通晶闸管和螺 栓式普通晶闸管的区别,晶闸管散热器，图a适用于螺栓式，图b、c用于平板式。平板式两面散热效果好，电流在200以上的管子都采用平板式结构。,自冷式,风冷式,水冷式,集成化的晶闸管模块,集成化的晶闸管模块,晶闸管导通关断实验原理图,晶闸管的工作条件,实验结论,1.晶闸管在反向阳极电压作用下，不论门极为何种电压，
8、都处于关断状态。 2.晶闸管同时在正向阳极电压与正向门极电压作用下，才能导通。 3.已导通的晶闸管在正向阳极电压作用下，门极失去控制作用。 4.晶闸管在导通状态时，当Ea减小到接近零时，晶闸管关断。,管芯由四层半导体（P1 N1 P2 N2）组成,形成三个PN结（1、2、3）。,晶闸管内部结构,晶闸管由四层半导体交替叠成，可等效看成两个晶体管1（112）与V2（N122）的组成。,一、晶闸管的结构与工作原理,晶闸管的工作原理 IGIb2IC2(Ib1)IC1,晶闸管的双晶体管模型与工作电路图,Ic1=1 IA + ICBO1 （1.1） Ic2=2 IK + ICBO2 （1.2）IK=IA+
9、IG （1.3） IA=Ic1+Ic2 （1.4） 式中1和2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式（1.1）（1.4）可得 （1.5）,晶体管的特性是：在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立起来之后， 迅速增大。 阻断状态：IG=0，1+20。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 开通（门极触发）：注入触发电流IG使晶体管的发射极电流增大以致1+21的话，流过晶闸管的电流IA（阳极电流）将，实现饱和导通。IA实际由外电路决定，即IA=EA / R。且IG失去作用。 关断：逐渐减小IA，实际使1+20， IA=I
10、CBO1+ ICBO2,晶闸管的导通条件 阳极正向，门极正向。（触发导通）,晶闸管的关断条件 电流过零，电压过零。,其他几种可能导通的情况： 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光直接照射硅片，即光触发 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT）。 其它都因不易控制而难以应用于实践， 只有门极触发（包括光触发）是最精确、迅速而可靠的控制手段,返回,总结前面介绍的工作原理，可以简单归纳晶闸管正常工作时的特性如下： 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，
11、晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值（维持电流）以下 。,1）Ig=0时，当阳极电压足够大 时，晶闸管会“硬开通”，此电压称 为正向转折电压。,正向导通,Ig0=0,Ia,Ua,A,B,IH,URO,2）Ig增加时，正向转折电压减小。,3）晶闸管一旦导通，门极失去控制作用，晶闸管相当于二极管。,1、晶闸管阳极伏安特性：,4）当晶闸管加反向电压 而且此电压足够大时，晶闸 管反向击穿。,UBO,Ig1,Ig2,二、晶闸管的伏安特性与主要参数,2.晶闸管的门极伏安
12、特性,IGFM ：门极正向峰电流 UGFM ：门极正向峰电压PGM ：门极峰值功率 PG ：门极平均功率,确保触发：Ig IGT, Ug UGT加反压 10，防止误触发,三个区： 可靠触发区：不可靠触发区：不触发区：,1. 电压参数,晶闸管的主要参数,在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的 正向峰值电压。,通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压UTN。选用时，额定电压要留有一定裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压23倍。, 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。,晶闸管通以正弦半波的额定电流平均值和额定结温时，阳极和阴
13、极之间电压降的平均值。简称管压降。,1) 断态重复峰值电压UDRM,2) 反向重复峰值电压URRM,3) 通态平均电压UT（AV）,2. 电流参数,晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。,使用时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管。应留一定的裕量，一般取1.52倍。,1) 通态平均电流 IT(AV),通态平均电流（额定电流）IT(AV)单相、工频、正弦半波、角度170,IT(AV)=,I =,f/ IT(AV) =/2 = 1.57,选择元件：实际电流有效值 =实际波形系数 I平均值
14、额定电流有效值 = 1.57IT(AV)两者应相等,波形系数f有效值/ I平均值,不同电流波形有不同的波形系数，表1-2中列出了四种常用电流波形的波形系数f值与额定电流为100A晶闸管在流过表中波形时允许通过的平均值。,使晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安，与结温有关。结温越高，则IH越小。,晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的24倍。,指在室温下，晶闸管施加正向阳极电压时，使元件由断态转入通态所必须的最小门极电流 。一般为毫安级。,4) 门极触发电流IGT,3) 擎住电流 IL,2) 维持电流 IH,3. 动
15、态参数,指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。,如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏 。,(2) 通态电流临界上升率di/dt,在阻断的晶闸管两端施加的电压具有正向的上升率时，相当于一个电容的J2结会有充电电流流过，被称为位移电流。此电流流经J3结时，起到类似门极触发电流的作用。如果电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通 。,(1) 断态电压临界上升率du/dt,除开通时间tgt和关断时间tq外，还有：,指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。
16、,返回,三、国产晶闸管的型号,按国家有关部门规定，晶闸管的型号及其含义如下：,如KP10012G表示额定电流为100A，额定电压为1200V，管压降（通态平均电压）为1V的普通型晶闸管。,有的制造厂采用老型号3CT。如3CT100800表示额定电流为100A，额定电压为800V的可控硅整流元件，即现在定名的晶闸管。3CTK为快速管，3CTS为双向管。,一、单相半波相控整流电路,（一）电阻性负载,单相半波相控整流电路，整流变压器二次电压、电流有效值下标用2表示，电路输出电压电流平均值下标均用d表示。交流正弦电压波形的横坐标为电角度 t，正弦变化一周为2rad或3600电角度，也可用时间表示，50
17、Hz的交流电一个周期为20ms。,概 述,整流电路：出现最早的电力电子电路，将交流电变为直流电。 整流电路的分类： 按组成的器件可分为不可控、半控、全控三种 按电路结构可分为桥式电路和半波电路 按交流输入相数分为单相电路和多相电路,概 述,负载性质的分类： 电阻性负载 电流与电压的波形形状相同 电感性负载 负载电流波形连续，并接近于直线 电容性负载 电流波形呈尖峰状 反电势负载 电流波形也呈较大的脉动,概 述,可控整流电路,整流电路,单相,单相半波 单相全波 单相桥式,三相,三相半波 三相桥式 双反星形 大功率多相电路,负载性质：电阻性电感性反电势性,单相半波可控整流电路,交流侧接单相电源 几
18、种典型的单相可控整流电路 单相半波整流电路 带电阻负载的工作情况 带阻感负载的工作情况 单相桥式全控整流电路 带电阻负载的工作情况 带阻感负载的工作情况 带反电动势负载时的工作情况 单相全波整流电路（双半波整流） 单相桥式半控整流电路 重点注意：工作原理（波形分析）、 定量计算、不同负载的影响。,单相半波可控整流电路,（一）电阻性负载变压器T起变换电压幅值和隔离的作用 电阻负载的特点：输出电压与电流成正比，两者波形相同 。,单相半波可控 整流电路及波形,电力电子电路的一种基本分析方法通过器件的理想化，将电路简化为分段线性电路，分段进行分析计算。 对单相半波电路的分析可基于上述方法进行： 当VT
19、处于断态时，相当于电路在VT处断开，id=0。 当VT处于通态时，相当于VT短路。,单相半波可控整流电路,单相半波可控整流电路,VT导通时，ud= u2, 截止时ud= 0,工作原理,ud,u2,基本数量关系 触发延迟角：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用a表示,也称触发角或控制角。 导通角：晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度，用表示 。 移相：改变的大小，即改变触发脉冲出现的时刻。 直流输出电压平均值为VT的a 移相范围为180。 这种通过控制触发相位来控制输出电压大小的方式称为相位控制方式，简称相控方式。,单相半波可控整流电路,（1-5）,单相半波可控整流电路,
20、（二） 电感性负载 阻感负载的工作特点：电感对电流变化有抗拒作用，使得流过电感的电流不发生突变。 输出电压与电流波形不相同，且输出电压出现负半波。,整流电路直流负载的感抗Ld 和电阻Rd的大小相比不可忽略时， 这种负载称为电感性负载。,工作原理,u2,带电感负载的工作情况,负载阻抗角j、触发角a、晶闸管导通角的关系,若j为定值，a 越大，在u2正半周L储能越少，维持导电的能力就越弱，越小 若a为定值，j 越大，则L贮能越多，越大；且j 越大，在u2负半周L维持晶闸管导通的时间就越接近晶闸管在u2正半周导通的时间，ud中负的部分越接近正的部分，平均值Ud越接近零，输出的直流电流平均值也越小。,单
21、相半波可控整流电路,为提高输出电压Ud，可在负载两端并联续流二极管DR当u2过零变负时，VDR导通，ud为零。此时为负的u2通过VDR向VT施加反压使其关断，L储存的能量保证了电流id在L-R-VDR回路中流通，此过程通常称为续流。续流期间ud为零，ud中不再出现负的部分，即ud波形同电阻负载。,（三）续流二极管的作用,数量关系:输出电压Ud同电阻负载 。输出电流Id=Ud/R。只要L足够大，可近似认为id为一条水平线，恒为Id，则有；VT的a 移相范围为180。,单相半波可控整流电路,单相半波可控整流电路,单相半波可控整流电路的特点： 简单，但输出脉动大，变压器二次侧电流中含直流分量，造成变
22、压器铁芯直流磁化。实际上很少应用此种电路。分析该电路的主要目的在于利用其简单易学的特点，建立起整流电路的基本概念。,二、单相全控桥式相控整流电路,（一）非正弦电路分析,从上面分析可见，整流电路输出的直流电压都是周期性有直流成分的非正弦时间函数，不能像正弦量那样直接计算。但是任何周期性函数都可依靠数学方法，用傅氏级数的形式分解成一系列不同频率的正弦或余弦函数。,如负载是线性的，应用叠加原理对应不同频率的正弦电压，在负载中产生相应的各次谐波电流，负载电流id便是各次谐波电流的合成。,单相正弦半波（a00）整流电压波形分解成傅氏级数的形式为,单相正弦全波与桥式（a00）整流电压波形分解成傅氏级数的形
23、式为,非正弦电压ud的有效值为,由上式可见，任何非正弦电压的有效值是其直流平均电压平方与各次谐波有效值电压平方之和的开方，有效值总是大于平均值d，只有纯粹的直流电压，才有=d。输出直流电压ud的波形是由直流分量d与交流分量u d的叠加，即,从示波器中观察，u d的波形与u d相同，只是将u d波形的横轴坐标上移d值，使u d波形中一周期内剖面线部分正负面积相等，直流分量等于0。,（二）单相桥式全控整流电路电阻负载,全波相控整流与单相桥式全控整流电路，全波电路只需两个晶闸管，但变压器二次侧需有中间抽头，晶闸管承受变压器二次侧全部电压。桥式整流需四只晶闸管，变压器不需抽头，两种电路输出直流电压都是
24、全波相控电压，现以桥式电路进行分析。,桥式整流电阻负载时的电压、电流波形，负载d上得到全波相控直流电压，整流变压器二次电流i2为正负缺角正弦波形，平均电流为零无直流分量，变压器不会直流磁化。,二、单相全控桥式相控整流电路,单相桥式全控整流电路,带电阻负载的工作情况 工作原理及波形分析 VT1和VT4组成一对桥臂，在u2正半周时承受正向电压，得到触发脉冲即导通，当u2过零时关断。 VT2和VT3组成另一对桥臂，在u2负半周时承受正向电压，得到触发脉冲即导通，当u2过零时关断。,VT1.VT4导通,VT2.VT3导通,电阻性负载,单相桥式全控整流电路,单相全控桥式电阻负载时的波形,波形特点： 1.
25、 ud 在一个电源周期中有两个波头。 2. i2的波形正负面积相等。 3. uVT的波形有1/2电源段。,数量关系（1-16） 角的移相范围为180。 向负载输出的平均电流值为：流过晶闸管的电流平均值只有输出直流平均值的一半，即：,单相桥式全控整流电路,（2-8）,图2-2,单相桥式全控整流电路,流过晶闸管的电流有效值：变压器二次测电流有效值I2与输出直流电流IR有效值相等：由上式不考虑变压器的损耗时，要求变压器的容量 S=U2I2。,（1-18）,图2-2,单相桥式全控整流电路,（三）大电感负载 为便于讨论，假设电路已工作于稳态，id的平均值不变。 假设负载电感很大，负载电流id连续且波形近
26、似为一水平线。 u2过零变负时，由于电感的作用晶闸管VT1和VT4中仍流过电流id，并不关断。 至t=+a 时刻，给VT2和VT3加触发脉冲，因VT2和VT3本已承受正电压，故两管导通。 VT2和VT3导通后，u2通过VT2和VT3分别向VT1和VT4施加反压使VT1和VT4关断，流过VT1和VT4的电流迅速转移到VT2和VT3上，此过程称换相，亦称换流。,单相全控桥电感负载时的波形,返回,波形特点： 1. ud 连续，且出现负波。 2. Id的波形为一直线。 3. uVT的波形中直线段为。 4. i2的波形为方波，且正负面积相等。,感性负载,数量关系（1-20）晶闸管移相范围为90。晶闸管承
27、受的最大正反向电压均为 U2 。晶闸管导通角与无关，均为180和变压器二次侧电流i2的波形为正负各180的矩形波，其相位由角决定，因此有效值I2=Id。,单相桥式全控整流电路,单相桥式全控整流电路,（四）带反电动势负载时的工作情况 在|u2|E时，才有晶闸管承受正电压，有导通的可能。 导通之后，ud=u2， ，直至|u2|=E，id即降至0使得晶闸管关断，此后ud=E 。 与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度停止导电，称为停止导电角。在 角相同时，整流输出电压比电阻负载时大。,负载为直流电动机时， 如果出现电流断续则电动机的机械特性将很软 。 为了克服此缺点，一般在主电路中直流输出侧串联一个平
28、波电抗器，用来减少电流的脉动和延长晶闸管导通的时间。 这时整流电压ud的波形和负载电流id的波形与电感负载电流连续时的波形相同，ud的计算公式亦一样。 为保证电流连续所需的电感量L可由下式求出,单相桥式全控整流电路,三、单相桥式半控整流电路,单相全控桥中，将晶闸管VT2、VT4换成二极管VD2、VD4，即成为单相桥式半控整流电路（先不考虑VDR）。 半控电路与全控电路在电阻负载时的工作情况相同。,共阳极连接的二极管,电路图,共阴极连接的晶闸管,VT1、VT2具有单向可控导电性， VD1、VD2具有单向导电性，不 具有可控性，因此将此电路称为 单相半控桥。,当突然把控制角增大到180或突然切断触
29、发电路时，会发生正在导通的晶闸管一直导通而两个二极管轮流导通的现象。,失控现象,续流二极管的作用 若无续流二极管，则当a 突然增大至180或触发脉冲丢失时，会发生一个晶闸管持续导通而两个二极管轮流导通的情况，这使ud成为不可控的正弦半波波形，称为失控。 有续流二极管VDR时，续流过程由VDR完成，晶闸管关断，避免了某一个晶闸管持续导通从而导致失控的现象。,单相桥式半控整流电路,单相桥式半控整流电路 有续流二极管，电感负载时的电路及波形,返回,波形特点： 1. ud 同电阻负载。 2. Id的波形为一直线。 3. iVT的波形为矩形波，宽度为。 4. i2的波形为方波，且正负面积相等，但不连续。
30、,一、对晶闸管触发电路的要求,（一）触发信号应有足够的功率（电压与电流）由于触发信号是脉冲形式，只要触发功率不超过规定值，触发电压、电流的幅值短时间内可大大超过铭牌规定值。,（二）对触发信号的波形要求对于电阻负载脉宽大于2050s，电感负载脉宽大于lms，对于三相桥式全控电路脉宽要大于600或采用双窄脉冲。,为了快速而可靠地触发大功率晶闸管，常在脉冲的前沿叠加一个强触发脉冲，波形，前沿电流上升率不小于0.5A/s，强脉冲宽度t2应大于50s，脉冲持续时间t3应大于550s。,（三）触发脉冲的同步及移相范围为使晶闸管在每个周期都在相同的控制角触发导通，触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压也就是电源同步
31、，并与电源波形保持固定的相位关系。为使电路在给定范围内工作，应保证脉冲能在相应范围内进行移相。,（四）防止干扰与误触发晶闸管的误导通往往是由于干扰信号进入门极电路而引起，因此需要对触发电路进行屏蔽、隔离等抗干扰措施。,二、单结晶体管触发电路,1结构单结晶体管示意性结构，在一块高电阻率的N型硅半导体基片上，引出两个电极，第一基极b1与第二基极b2，这两个基极之间的电阻Rbb即是基片的电阻约212k。在两基极之间，靠近b2极处设法掺入P型杂质引出电极称为发射极e。所以它是一种特殊的半导体器件，有三个引出端，只有一个PN结故称单结晶体管，其等效电路、符号与管脚，Rb1、Rb2分别为e极与b1、b2之
32、间基片电阻。,2特性与单结晶体管振荡电路将管子接成试验电路，Q断开时基极电压bb由Rb1、Rb2分压，管子内部A点电压为,式中单结晶体管的分压比，由内部结构决定，通常在0.30.9之间。,触发电路中希望选用分压比较大、谷点电压v小以及v大的管子，这样可使输出脉冲幅值大、调节电阻范围宽，常用的单相晶体管的主要参数。,（二）单结晶体管自激振荡电路利用单结晶体管的负阻特性与RC电路的充放电可组成自激振荡电路，产生频率可变的脉冲。当加上直流电压后，一路经2、l在单结晶体管两个基极之间按分压比分压；另一路通过e对电容C充电，发射极电压ue为电容两端电压uc，按指数曲线渐渐上升。,（三）单结晶体管触发电路
33、单相半控桥单结晶体管触发电路，同步变压器、整流桥及稳压管组成同步电路，保证在每个正半周以相同的控制角时刻触发晶闸管，得到稳定的直流电压。稳压管上得到的梯形波电压u作为触发电路电源，波形。每当电源波形过零时bb=0，单结晶体管内部A点电压UA0，保证电容电荷很快放完，在下半周开始时能从零开始充电，以使各半周控制角一致。,单结晶体管的实用电路，图a为单相交流调压电路，可用作调光、电熨斗、电烙铁、电炉等调温，也可用在单相交流电机的调压调速，30k电位器RP为调压旋钮，R5、R6用作范围调整，晶闸管宜选维持电流大的管子，有利关断。图b为单结晶体管组成的用小晶闸管放大脉冲功率的触发电路，脉冲放大后再输出去触发大电流晶闸管。,
