酸性蚀刻教育训练教材.txt

1、酸性蝕刻的應用： 酸性蝕刻，也叫氯化銅酸性蝕刻系統，通常使用於單面板蝕刻、多層 板的內層蝕刻或Tenting流程的外層蝕刻上，因這些製程都用幹膜或液態感 光油墨作為蝕刻阻劑，而這幾種感光材料相對而言均為耐酸不耐鹼性的特 性，故選用酸性蝕刻。 二、酸性蝕刻的種類： 1、H2O2/HCl系列。 2、NaClO3/HCl系列。三、酸性蝕刻製作流程：1、單面板： 銅面前處理印刷線路烘烤固化酸性蝕刻去墨 2、內層和外層（ Tenting流程）： 銅面前處理壓膜 曝光顯影 酸性蝕刻 去膜內層製作流程簡介基板壓膜壓膜後曝光顯影蝕銅去膜PCB 內 層 製 作 流 程 1.下料裁板( 1.下料裁板(Panel

2、Size) 下料裁板COPPER FOILEpoxy Glass2.內層板壓乾膜(光阻劑) 2.內層板壓乾膜(光阻劑) 內層板壓乾膜Photo ResistPCB 內 層 製 作 流 程 3.曝光 3.曝光光源Artwork 底片) (底片) Artwork 底片) (底片)4.曝光後 4.曝光後Photo ResistPCB 內 層 製 作 流 程 5.內層板顯影 5.內層板顯影Photo Resist6.酸性蝕刻(Power/Ground或 6.酸性蝕刻(Power/Ground或Signal) 酸性蝕刻Photo ResistPCB 內 層 製 作 流 程 7.去乾膜 7.去乾膜 ( S

3、trip Resist)PCB 內 層 製 作 流 程1、基板铜箔 基材2、塗布/壓膜干/湿膜铜箔基材PCB 內 層 製 作 流 程3、曝光底片铜箔 干/湿膜 基材4、顯影後PCB 內 層 製 作 流 程蚀刻液5、蝕刻蝕刻阻劑6、蝕刻後7、去膜後線路顯 影 （Developing） ）一、顯影的目的： 顯影就是通過化學反應原理，將先前已經曝光好的板子上沒有發生聚 合反應區 的幹膜（或油墨）用顯影液 ， 的線路 。 而已感光聚合的 不 ， 板面上 為蝕刻 阻劑膜。二、顯影的作 ：作 顯影液 顯影 顯影液pH 顯影 壓 顯影 壓 作 12% 酸（currency1） 30 2 10.510.7 1

4、.52.5kg/cm2 5060% 2030 1.52.5kg/cm2顯 影 （Developing） ）三、顯影液的 ： 目前 “常用的顯影液是 酸（Na2CO3）fi製而 ， 一fl為12%（ currency1），為線路的製作，和反應 ， Under-cut， 顯影液的 多” 1.0%0.2%。液 幹膜currency1，不 乾， 作反 ，過的液 的幹膜currency1。因 ，的液 應幹膜 ， 幹膜特性 fi製。而液 的 用酸鹼 。 是：為 液 的 性， ， ， 一fl 液的pH作 ，或片、面 。 、顯影 ： 顯影液是影 顯影 的 ，一fl都” 302， 幹膜種類而 。 於 作 液因

5、的壓 作用 生 currency1的 使 ， 使有顯影過 的 ，因 顯影 管 保 適當的 而 過 ，又 造 顯影不潔，因 器 使 達 作，而 佳的顯影效果。顯 影 （Developing） ）五、顯影壓 ： 幹膜顯影液發生化學反應 生膨脹象（Swelling），因 適 當的壓 刷表面已作用過的浮層，使乾 顯影液 繼續幹膜 生 化學反應，而 至於發生池效應。而針對線路而言，顯影 適當的 壓 應 1.52.5kg/cm2 間。 六、 硬 ： 一fl 或地下因含有礦物 及污垢， 長期使用幹膜結合 硬垢，造 嘴或 管阻 ，影 面 ， 後導 顯影 潔。因 建議使用搭fi酸fi製 顯影液，是 佳選。而 一

6、fl也選用 經過處理的軟。 七、過濾： 顯影 的 系統 過濾 的主 目的 於避免幹膜殘渣堵塞 嘴 而造 顯影不潔另也是防止膜屑、膜渣經過 反沾 板面上，造 後續 的蝕刻不或星狀殘銅， 使生 品 不良，增AOI 測的工作currency1。顯 影 （Developing） ）八、 系統： 1、搖擺方式：有 盤 回鋸 式搖擺，及 管 轉式搖擺。 系統 搖擺的目的是使液 夠均勻、迅 地板面，快液的交換 反應 ，從而 良好的均勻性反應 率。 2、 管間距 嘴間距：管 管的間距是否合理，主 是看 嘴的 面 是否 夠完全， 影 顯影的均勻性而 嘴 嘴的間距是否合 理， 影 顯影的 。 3、 嘴的選用：平線

7、的 嘴一fl 為兩種類型，即圓錐型（Cone Type） 和扇型（Fan Type）。圓錐型 嘴的特是 面 廣， 佳的均 勻性，衝擊，造 顯影不潔。而扇型 嘴 面 雖，衝 擊 ，顯影效果佳。因 針對線路或內層板， 選擇使用扇型 嘴適合，因密集線路區 的液衝擊 除線路間的殘渣而內 層板因未鑽孔，上板面 生池效應（Pudding），若 壓 不夠 造 上板面顯影不潔，導 蝕刻不等異常。 4、不論用何種類型的 嘴， 的是兩個 嘴的 面 是否 夠疊 （Overlapping）， 達 均勻乾的顯影效果。顯 影 （Developing） ）九、 reak-Point）的”： 1、 於顯影 很多因素影 ，例如

8、：液 、 壓 、 等， 因 我們通常用顯影的位 ”的顯影 。 2、顯影是指 顯影過程中，未經曝光聚合的幹膜 顯影液反應後被 刷 ，而顯露出銅面 的位 ，而称 。場生 ，顯影一fl” 顯 影 的50%60% 間。 3、顯影及均勻性的測試： 為瞭 顯影和顯影均勻性的 ， 用下列方 測試：幾片 （如2024）的銅箔基板 常流程壓好幹膜， 保 膜 後 續 （間距）， 常 顯影 ，當 一片板子即將出 顯影 ， 板子經過 後 出， 顯影 有效 長 為基 擺 ， 板面顯影均勻性。顯 影 （Developing） ）顯影及均勻性顯 影 （Developing） ）、顯影的 ： 1、 顯影前不 表面 。 2、顯

9、影（Break point）應 於5060%間。不 ，銅面有scun殘 過， 線有膜屑或 undercut過 。 好有 系統（auto-dosing）。另外 系統 良否也影 顯影。 3、顯影良好的應為式，顯不發生膜渣（Scum）造 蝕 刻板的currency1路、銅、及鋸“出 線，顯影 液系統 過濾不良 也造 種。若 fi是否有Scum殘 ， 用5% 氯化銅fl液 （Cupric Chloride CuCl 2) 或氯化 fl液， 若銅面上 有的銅 ，即 有 Scum殘 。 4、 有 （Auto Dosing）， 保 液 作內。 5、顯完 板子 不 疊 ，用Rack”。 6、顯影 一 期作底潔

10、保，否 、 底、管內都有膜渣 和 、 物 ，若長期 ， 堵塞 嘴、濾， 影 生 品 。酸 性 蝕 刻（Etching） ）一、蝕刻 ： 蝕刻也叫蝕銅，就是 PCB製作過程中，我們 用化學反應原理，將PCB 板面上不 或多的銅蝕 ， 我們 的線路回路 或銅面，這 個過程即 為蝕刻 。 二、蝕刻液的種類：1、蝕液：一fl Na2S2O8/H2SO4或H2O2/H2SO4fi 而 ，因 蝕currency1相對 ， 蝕2070，故通常使用於相 製程的銅表面前處理上。 2、酸性蝕刻液：即氯化銅酸性蝕刻系列，目前 “一fl使用的是H2O2/HCl系列 和NaClO3/HCl系列。通常使用於單面板蝕刻、多

11、層板的內層蝕刻或Tenting流 程的外層蝕刻上，因這些製程都用幹膜或液態感光油墨作為蝕刻阻劑，而這 幾種感光材料相對而言均為耐酸不耐鹼性的特性，故選用酸性蝕刻。 3、鹼性蝕 NH4Cl和NH3H20， fi製後，fl液 鹼性性 狀，故 為鹼性蝕刻液。 通常使用於 製程（ Sn/Pb作為 蝕刻阻劑）的外層蝕刻上，也有 面板生 ， 製作過程中，是 印刷一層相對耐鹼性的油墨作蝕刻阻劑的 ，也使用鹼性蝕刻液。酸 性 蝕 刻（Etching） ）三、酸性蝕刻液的種類： 目前酸性蝕刻液 有 種， 如下： 1、氯化 酸： FeCl3 w/w 40%，HCl 5%， 蝕銅 70 / FeCl3 + 3H2O

12、 Fe(OH)3 + 3HCl HCl防止 蝕刻原理： FeCl3 + Cu FeCl2 + CuCl -（1） FeCl3 + CuCl FeCl2 + CuCl2-（2） CuCl2 + Cu 2CuCl-（3） （3）式 （1）式 蝕銅反應 若發生下列反應 發生 物 4CuCl2 + FeCl2 + O2 2CuCl Cu O + FeCl3 （ ） 目前多使用於 /合蝕刻，如導線 ，PCB 使用。酸 性 蝕 刻（Etching） ）2、氯 酸： 蝕刻銅 180 / 。 Cu + CuCl2 2CuCl 2CuCl + Cl2 2CuCl2 反應：Cu + Cl2 CuCl2 因氯 管理

13、 ，目前 有 PCB使用。 3、 酸： 蝕刻銅 160 / 。 Cu + CuCl2 2CuCl HCl 酸”2 3N 1 3N HCl使反應快， 酸不 反應， 有 出 。2CuCl + H2O2 + 2HCl 2CuCl2 + 2H2O 反應：Cu + H2O2 + 2HCl CuCl2 + 2H2O / 性 ，而 酸，用氯 。酸 性 蝕 刻（Etching） ）4、氯酸 酸： 蝕銅達180 / 3Cu + 3CuCl2 6CuCl HCl 酸” 2.5N 下。6CuCl + NaClO3 + 6HCl 6CuCl2 + 3H2O + NaCl 反應：3Cu + NaClO3 + 6HCl

14、3CuCl2+ 3H2O + NaCl ：A、 ， 酸的反應currency1相 ， 酸 出currency1 因 為 2.5N 下而 currency1減 。 B、氯酸 化當currency1為 的三倍， 使用currency1為氯酸的 三倍。 C、目前外 currency1使用於 10 15%，而適用於 4mil線生 fine line製作。 目前 “ 常用的即為H2O2/HCl系統和NaClO3/HCl系統這兩種酸性蝕刻液。酸 性 蝕 刻（Etching） ）、氯酸 的運 及 ： 1、因NaClO3 化當currency1為H2O2的三倍，故H2O2的使用currency1為NaClO3

15、的三倍， 運 也 增三倍，並對桶 求currency1 ， 桶 費用一併 增。故使用NaClO3 使用H2O2的 约1015%，而適合 於4mil線路生 製作。 2 2、 NaClO3H2O2 ，不 我 ， 運 或過程中相對安全，不發 H 生 爆危險。 3、NaClO3系統酸性蝕刻液 生 ， 銅酸 作， 酸當currency1一fl” 2.0N左右而H2O2系統 求，一fl” 2.53.5N。故這二相，雖然說HCL的反應 求currency1 ，HCL的 出currency1 溢流currency1 因 而 減 。 4、而因NaClO3系统蚀刻液 酸条 下 作，与H2O2系统蚀刻液 酸条 下

16、作较， 对设备的侵蚀 ，延长设备的使用寿命。酸 性 蝕 刻（Etching） ）五、氯酸 的生 品 ： 1、NaClO3系統蝕刻液H2O2系統蝕刻液相，液 不 ， 蝕刻 率均衡。 2、NaClO3系統蝕刻液H2O2系統蝕刻液相，因 酸作 下 作，不攻擊幹膜，或使幹膜fl出物增多。 3、NaClO3系統蝕刻液H2O2系統蝕刻液相，因 酸作 下作， 蝕，蝕刻因子 相對 提。酸 性 蝕 刻（Etching） ）六、 司酸性蝕刻液簡介： 1、目前 司生 的酸性蝕刻液再生劑主 為CS-350，係 氯酸為主， 特殊fi方的蝕刻液，生 作 ，係 酸當currency1 作，將 良的蝕刻因子。CS-350 應

17、用多 氯 化銅酸性蝕刻上，免除 性”問題， 安全，再 搭fi 系統，將 為具經濟效益和 作安全的氯化銅蝕刻再 生系統。 2、 品特 : （1）、”簡單， 作安全。 （2）、酸 作，性 。 （3）、蝕。 （4）、 性良好。 （5）、再生 用， 。酸 性 蝕 刻（Etching） ）3、物理性 ：物理性狀 態 外觀 性 PH 規格 液體 透明澄，輕琥珀 安 1.240.05 584、 作 ：作 Cu2+（g/L） HCl（N） CAP Temp（） 壓 （kg/cm2） 適 1.300 140 225 50 13 作 1.3000.03 14030 21 1540 505 13酸 性 蝕 刻（Et

18、ching） ）七、酸性蝕刻反應原理 ： 1、反應原理（ NaClO3/HCl系統為例）： 1.1、蝕銅反應：銅 三種 化狀態 ，板面上的屬銅Cu0，蝕刻 液中的 藍 離子Cu2+ ， 及不常見的亞銅離子Cu+ 。屬銅Cu0 蝕刻 液中 被Cu2+ 化而fl ，見下面反應式（1） 3Cu + 3CuCl2 6CuCl - （1） 1.2、再生反應：屬銅Cu0被蝕刻 液中的Cu2+ 化而fl ， 生 的2Cu+又被 蝕刻 液中的 化劑和HCl經過系列反應 化 Cu2+，而這 些Cu2+又繼續跟板面上的屬銅Cu0發生反應，因 使蝕刻液 將多的 屬銅Cu0蝕 。這就是蝕刻液的循環再生反應，見下面反應

19、式（2） 6CuCl + NaClO3 + 6HCl 6CuCl2 + 3H2O + NaCl - （2） 1.3、反應：3Cu + NaClO3 + 6HCl 3CuCl2 + 3H2O + NaCl - （3）酸 性 蝕 刻（Etching） ）2、從上述化學反應” 有 個物 ”氯化銅蝕刻及再生反應。 2.1、 化劑（OXIDIZER）： 如氯酸（NaClO3）、 （H2O2）、氯 （Cl2）等，這些均為 化 劑， 作用為將氯化亞銅 化 氯化銅。如下 示： 6CuCl + NaClO3 + 6HCl 6CuCl2 + 3H2O + NaCl （ 13N的酸性液中） 2CuCl + H2O2

20、 + 2HCl 2CuCl2 + 2H2O （ 2.5 3.5N酸性液中） 2CuCl + Cl2 2CuCl2 （ 1 3N酸性液中） 2.2、 酸： 作用是防止副 物如 化銅（CuO），氫 化銅Cu(OH)2 生， 及提 化 。如下 示： CuCl2 + 2H2O Cu(OH)2 + 2HCl （ 中性fl液） CuCl2 + H2O CuO + 2HCl （ 中性fl液） 雖然增HCl的 往往 快蝕刻 ，亦 發生下述的。 （1）、蝕 （undercut ）增 ，或Etching Factor。 （2）、若 液是使用氯酸， 有 生氯，對人體有害。 （3）、有因 過多的 化劑 （ H2O2

21、），而攻擊鈦屬。酸 性 蝕 刻（Etching） ）2.3、氯離子： 氯離子 不fl於的氯化亞銅 錯合物，而fl 於中，而增蝕銅 ，氯離子 源（過currency1）如 酸、氯化。 CuCl + NaCl Na CuCl2 （ 有 過currency1Cl- 才 ） 2.4、：液蝕銅currency1有 ，亦影 蝕刻 率及蝕狀況， 用”器 測， 便稀釋達 。3、CuCl2系列酸性蝕刻液反應構： 3.1、通過上述反應式（1），我們覺的聯想 ： 氯化銅酸性蝕刻液中， Cu2+ 及Cu+應是 CuCl2 及CuCl 才對，是 並非如 ，兩 上 是 和HCl 的一龐 錯化物 的： Cu0 + H2Cu

22、Cl4 + 2HCl 2H2CuCl3 - （4） 屬銅 銅離子 亞銅離子 中 H2CuCl4 是 CuCl2 + 2HCl 2H2CuCl3 是 CuCl + 2HCl酸 性 蝕 刻（Etching） ）3.2、 反應式（4）中 知HCl是 品。即使（4）式已有些複， 是 下兩個反應式的簡式而已。Cu0 + H2CuCl4 2H2CuCl3 + CuCl （不fl）- （5） CuCl + 2HCl 2H2CuCl3 （ fl） - （6） 式中因 生CuCl沈，阻止蝕刻反應繼續發生，因HCl的 fl CuCl， 蝕刻的 。 看出HCl是氯化銅蝕刻中的 品，而 是蝕刻 ”的 化學品。3.3、

23、 （1）式蝕銅後 生的CuCL中的銅為铜为Cu+ ，是 一種fl性不佳的 物 ，附著 板面上 ，造 蝕銅 劣化，因而使 蝕銅 慢。 而一fl 蝕刻 內的化學反應多為 續性的，相當複。3.4、上述各反應將 蝕刻 內 續地 ，而各副反應也 生。 反應 過程中，當 過currency1 ， 酸接發生化學反應而产生氯气 （CL2），造 酸 。不如 ，也還 蝕銅的損傷， 板子上的耐酸油墨的fl ， 及蝕銅效率的等煩惱。有，還 導 銅箔接著材料的fl ，或已fl 油墨 液中的再聚集 塊體， 而 阻塞 嘴或 的濾網等 多麻煩。酸 性 蝕 刻（Etching） ）八、氯化銅蝕刻再生反應 ： 屬銅（ Cu0 ）

24、 CuCl2（ Cu2+ ）Cu0跟液的Cu2+ 反應生 Cu+ ， 完 蝕銅反應。 CuCl（ Cu+ ）.Cu+不fl於， 使蝕銅反應 。 是瞬間 。 HCl或NaCl HCuCl2或NaCuCl2錯合物.Cu+ 酸性 液中HCl或NaCl 錯合物。 化劑（H2O2或NaClO3或Cl2） 化劑將Cu+錯合物 化 Cu2+ 過currency1 （ CuCl2 ），完 再生反應。 CuCl2 + NaCl + H2O 或CuCl2+ H2O 或CuCl2 副反應 2HCl + H2O2 Cl2 + H2O 6HCl + NaClO3 3Cl2 + 3H2O + NaCl酸性蝕刻 管一、蝕刻

25、 液的 性： 1、蝕刻 液的 性指的是 液各 份 的 性，有將 液 一個 的 、的 作內，才 的蝕刻 率和生 品 。 2、而 保蝕刻 液的 性， 藉助精 的測 ，而非 靠 場作 人員隨 的主觀 念或 謂的生 經 作手 方式，否 保證 液的 性，造 生 品 異常。再若過currency1， 導 備 被侵蝕， 引發工安 ，有礙場作 人員的身體健康，至危 及生命安全。 ，良好的循環系統 方 及位 也尤為 。 3、酸性蝕刻 的種類： 3.1、日 AQUA株式社生 的AQUA系列氯化銅酸性蝕刻液”系統。 3.2、 ：ORP + 酸 + ”器。 3.3、 上 司 的氯化銅酸性蝕刻液”系統。 3.4、日 9

26、552N系列氯化銅酸性蝕刻液”系統。 “目前使用 多的 就是AQUA系列氯化銅酸性蝕刻液”系統。而後三 的”原理”方式都跟AQUA相 ，精 AQUA 。 這 主 介 AQUA”器。酸性蝕刻 管4、AQUA系列氯化銅酸性蝕刻液”系統介 ： 目前 “ 使用的日 AQUA 株式社 發的AQUA 系列氯化銅酸性蝕 刻液”系統， 對 液中各 份 作 ” ，個 及 再生 將 理論的 和 的效用，從而 達 及 管理的目 使 種接蝕刻具線化、 化、及 化的效果。 5、AQUA”器的特： （1）、 液不 稀釋 接測 。 （2）、各感 器 ”即顯示 耐用。 （3）、液個 測及 液用currency1。 （4）、

27、化。 （5）、蝕刻不良率 減 。 （6）、蝕刻 固 提品 。 （7）、安 簡 故簡單。酸性蝕刻 管6、AQUA系列”系統 示： ”系統 作面板 測系統（ ）酸性蝕刻 管7、AQUA系列”系統” 目及原理： （1）、：是 用一個 感的 浮 ， 及 達的化而測 。測 液的主 是”的， 稀釋 液。一fl當測 於 0.001 即 ，至測於 即止。 （2）、 酸：是 用場酸 間 例的原理， 的感 器。 測 液中 酸的 ， 子的干，也不 浮渣影 。一fl當 測於 即 ，至測於 0.04 即止。 （3）、CAP：測CAP即類 於測ORP（ 化還原 位），測系統 currency1銅currency1 ，當铜

28、currency1 蝕刻液中反應、fl ， 液的 和蝕刻 （蝕刻 ） 生 currency1的化。測器 測出 發生的 currency1 （出 ），並 AQUA”器。AQUA”器再將再生 和蝕刻 等的相 “料 ，後再生感測器 的出 ”器上並 顯示。測CAP（或ORP）主 是” 化劑（再生劑）的，一fl當 測於 即 ，當測於 0.4 即止。 備：CAP的單位不是MOL/L（ ），CAP是沒有單位的 。 （4）、 ：是 用 感應式(Thermistor)測出液。AQUA 測的 是 用 ”各液的，當測 的 於 下 ，不作fi何 。而 液的fl 是 的另一 器 ” 或 的。酸性蝕刻 管8、AQUA系列

29、”系統的 方 ： 8.1、的 ： （1）、因為隨著 的 而 ， 測currency1 將 品 至蝕刻 液 等的 後，再 刻 。也 從 後迅 測currency1，或 ，接將 內， 刻 。 當 的顯示。 （2）、當 測currency1AQUA顯示 異5/1000 不 。 （3）、 測currency1 ， 先出顯示測currency1的 異，再 的顯示，上或減去 異即 。 （4）、 內 的刻 ：先等3 5 ，等顯示安 後，再 至 的刻 即 。 8.2、HCl的 ： （1）、從 ，並 當 的顯示，然後先出顯示 的 異，再 的顯示，上或減去 2 後再 一 ，如 3 。 （2）、當 顯示 異0.1M

30、/L 不 。酸性蝕刻 管8.3、CAP的 ： （1）、因CAP為AQUA 司的 單位， 表的 為液的蝕刻 ，而 非 化劑（H2O2、NaClO3、FeCl3等）的 ，故不 。 （2）、原 上日 AQUA 司”都指 各 ，對AQUA”系統 作一 內 程式的 fi ， 中當然也CAP這一 。 8.4、Temp的 ： （1）、 用 於 內 測 的 液的 ，或 上另一 fl 的 器上的顯示 ，使 一 即 。 （2）、當 測currency1顯示 異1 不 。 AQUA 的： （1）、 將AQUA”器換為測 式方 作 。 （2）、SG、HCl、CAP和Temp的SPAN一fl均不 ，否 影 AQUA的

31、精 。有當使用5g 0 5g ，方 SG的SPAN。 （3）、 為SG、HCl、CAP和Temp。 （4）、 好從 ，這 很。 （5）、 後，”即 AQUA的顯示，因為AQUA”器是 顯 示的 異 的。酸性蝕刻 管9、循環系統： 9.1、些 ， 於 品的 求 ， PCB生 於 壓 ，故 蝕刻 的 長，使 蝕刻 體 也隨 ，一fl已達2000L 至 上。而 體 的蝕刻 液， 靠系統 作液交換，已 保 證 液的 性。 ，良好的循環系統 是使 液迅 合均勻，液 性的有 保 。 9.2 9.2、循環方 ：的循環方 是 後至前，即 循環 從蝕刻 的後 出 液，經過過濾Tank，再 蝕刻 的前， 方式作一

32、個平式 液 循環、 合。因蝕刻前 蝕刻銅currency1後 ，故理論上前 的蝕刻 液 後 的 ，這 的循環方式即是 的、的 液 稀釋 的 液，使液 用， 作 。 9.3、循環流currency1： 求循環流currency1達4Turn 上，即 求循環 ”個 的 currency1 至 達 蝕刻 體 的4倍。這 才 使蝕刻 液 合均勻， 液的 性。 9.4、是因為循環系統 使 液 合均勻， AQUA等測”系統的 才 接 循環管上， 接fl的測， ”。酸性蝕刻 管10、方式和溢流位 ： 10.1、原 ： 靠精 的測”系統作 currency1多 ，並 離溢流。這個原 液 一個 的 作內， 作

33、， 避免 發的工安 。 10.2、方式： 化劑、 酸、 ” ，管從 的 面 液位底 ，保 一 距離，尤 是 化劑和 酸一 ， 否 這二迅 合 一 ， 生副反應，引發工安 。 10.3、位 ： 化劑 蝕刻 的後， 便快 循環管再至 ，測系統迅 感應 ，這 不至於過currency1， 作 ，避免 發生工安 。 酸 蝕刻前，因 液中 相對， 流currency1合理，基 過currency1 。 蝕刻 的中 ， 亦 險。若蝕刻 有三 上， 體 的，為保 液 性， 況” 都 作 化劑和 酸的，原 方 式 上。 10.4、溢流位 ：一fl都 蝕刻 一 ，這 將銅含currency1的 液 溢流出去，而

34、有效 份（ 化劑、 酸）的、 的 液保 下 ， 繼續蝕刻反應用。酸性蝕刻 管二、蝕刻（Break Point）： 1、蝕刻就是 蝕刻反應過程中，板子 至 個位 板面上的銅好被 蝕刻 ，而顯露出基材，這個位 即為蝕刻。 刻，90%的銅已經被 蝕刻 ， 線路兩還有一些 （Foot），或因 均勻性不佳，板子 還有一些銅 。而”蝕刻的目的是為 一這些殘 的 （Foot）和銅， 保線路的蝕刻品 。 3、蝕刻”基 ：一fl” 705%的位 。 4、蝕刻的方 ：（蝕刻 一 嘴至蝕刻的有效 長 蝕刻 的有效 長 ）100%。 5、蝕刻測試方 ： 5.1、 備好一些1OZ基板， 為1824， 場 完前處理後 用

35、。 5.2、 蝕刻 ， 於常生 20%的 蝕刻，將測試板 續間距 蝕刻 ，當 一片測試板出蝕刻 ”即 ， 完 後將板子 出，並 板的 從蝕刻 出處 列 一。觀 有蝕刻不處，並currency1出長 ，再 上述方 出蝕刻。 6、測試蝕刻主 是 蝕刻 ， 便 良好的蝕刻品 。酸性蝕刻 管蝕刻 片處 明顯看出上下蝕 刻相距 。處 明顯看出單 壓過 。酸性蝕刻 管三、蝕刻均勻性（Etching Uniformity）： 1、蝕刻均勻性是指蝕刻 各 管和各 嘴對於板面相應 處蝕銅currency1的均勻 。 這是衡currency1蝕刻 系統 是否合理、 的一 指 。 2、蝕刻均勻性是否 夠達 期目 ，

36、將 影 蝕刻生 尤 是 線路的製作的品 求，故 “也 發 蝕刻均勻性。 3、蝕刻均勻性的 求：上下 面均 90%。 4、蝕刻均勻性的測試方 ： 4.1、 一PP間 ，將 裁 1824 ， 對應的管的位 ， PP上 1.51.5cm的，” 管對應處”列 均等距離 5個。 4.2、 備 片2OZ基板， 為1824 ，上先 好的PP， CMIcurrency1測currency1測”一區 的銅， 为A1、A2、A3。 4.3、 測currency1好銅的測試板 常蝕刻条 蚀刻， 、烘乾後再 上方 currency1測”一區 蝕刻後的殘銅 ， 为B1、B2、B3。 4.4、 出各的蚀铜currency

37、1为C1、C2、C3，並 蝕銅currency1的 、 及平均， 後出蝕刻均勻性， 式如下： U% =1- （CMAX-CMIN）/ （ 2CAVE） 100% 4.5、未達 ， 備 的測試板上複上述 ，至达 90% 上為止。酸性蝕刻 管5、影 蝕刻均勻性的因素：（主 為 系統） 5.1、 管的列方式： （ 方 平 、一 ），蝕刻均勻性橫 （ 方 垂）， 蝕刻均勻性。當然目前也有蝕刻 的 管全 是橫 的，有蝕刻 或後蝕刻 作償，蝕刻均勻性也很好。 5.2、 嘴的列方式：棋格式平 列，保 嘴的 面 夠很好的疊 （ Overlapping ），這 的列方式蝕刻均勻性好交叉式列，如果 不當，或 使

38、嘴的 面 很好的疊，蝕刻均勻性就 。 。 5.3、 嘴的間距：橫 間距 ， 導 嘴的 面 很好的疊， 蝕刻均勻性 豎 嘴間距 ，液的有效交換， 池 效應，蝕刻均勻性 ，也蝕刻 率。池效應（Pudding）一fl是 指上板面中間 位或密集線路間，因液 快 流 ，而囤 間，影 液的有效、快 交換，使蝕刻 率。 5.4、 壓 ： 壓 夠，尤 是壓，否 嘴角 達 。 5.5、 的搖擺頻率：主 是指搖擺頻率 的搭fi。 ”體空間思 ， 不 的 ，應該有相應的搖擺頻率 相匹fi，否 即引 及液交換的紊亂。目前人 給出 答案。酸性蝕刻 管、蝕刻 率（Etching Rate）： 1、蝕刻 率是衡curren

39、cy1蝕刻液 臺蝕刻相搭fi ，於 的 作 下單位 間內的蝕銅 。一fl单位为mil/min 或m/min。 2、蝕刻 率的测试方 : 2.1、准备好片2OZ基板， 為1515cm ，並烘乾（120 10min ）。 測試基板 後， currency1為 W1（ 求精 後 位 字）。 2.3、 後的測試基板 常1OZ板的生 作蝕刻， 不露基材為基 ， 再經 後烘乾（120 10min ）。 後， currency1為W2 。 2.4、 ：单位（mil/min） E.R =（W1-W2）* 线 *1000/（2*2.54*8.932*15*15*有效 长） = 0.097972 *（W1-W2）

40、* 线 /有效 长 2.5、因考慮 蝕刻的 壓 不一 ，尤 是上 面，因 破除池效應， 是中間幾 管壓 ，而兩幾 管的壓 ，故我們一fl一 性 三片測試基板， 面的左、中、右位 ， 後 這三片板 結果的平均為蝕刻 率 考。酸性蝕刻 管3、影 蝕刻 率的因素： 。 3.1、蝕刻 液 ：有 的 作內 測 的蝕刻 率才是fl有效的。 否 ，若 液 過或過，均不 fl反應出和蝕刻 的性 ， 測 均為效 。3.2、蝕刻 液 ：蝕刻 液的 對蝕刻 率影 ， 允 的內， ，蝕刻 率就快。 ”提1 ，蝕刻 率快0.2mil/min。 3.3、蝕刻 的 ： 對蝕刻 率的 影 就類 對蝕刻均勻性的 影 ， 嘴的橫

41、 和豎 間距，及 嘴 板面 間的距離。間距 面 很好的疊，不 於液的有效、快 交換，導 蝕刻 率 。而 嘴距板面， 保 壓 ， 不 於液的交換。 3.4、 嘴 式： 嘴一fl 為圓錐型（Cone Type）和扇型（Fan Type）。圓 錐型 嘴的特是 面 廣， 佳的均勻性，衝擊 ，造 蝕刻不潔。而扇型 嘴 面 雖，衝擊 ，蝕刻效果佳。因 針對線路或內層板， 選擇使用扇型 嘴適合，因上 面中間 位和 密集線路區 的液衝擊 破除池效應。 3.5、 壓 ： 壓 夠，尤 是壓，否 嘴角 達 。酸性蝕刻 管五、蝕刻因子（Etching Factor）： 1、名詞 釋： 蝕刻過程中，蝕刻液除垂 下的蝕銅

42、作用，也攻 擊線路兩保 的銅面，我們 為蝕（Undercut），因而造 如香菇 fl的陷。蝕刻因子（Etching Factor）即是用 衡currency1、這種蚀刻品质的 一种指标，通常酸性蚀刻 求蚀刻因子 于3。酸性蝕刻 管2、蝕刻因子方 ：E.F = 2*1.201/(5.094-4.655) = 5.58酸性蝕刻 管3、影 蝕刻因子 因素：（1）、曝光品 （2）、顯影品 1、前製程生 品 影 （3）、板面 刻 液的影 液各 份 是否 規格內 （1）、循環系統：流currency14Turn/h或 上 A、 嘴的 式和列方 （2）、 系統 3、蝕刻 備的影 C、 壓 及均勻性 （3）、

43、 系統 （4）、 系統 B、搖擺頻率酸性蝕刻 簡 示系統酸子液板子前 方 1溢流1、 5.5KW 2、循環 5.5KW 3、子液 3-4L/min 4、 酸 6-7.2L/min酸性蝕刻對 備的 求 酸性蝕刻對 備的 求目 體 器 管 系統 過濾系統 系統 循環系統 求 PVC或CPVC 石英， 氟龍 PP鈦材 酸性蝕刻 保潔方 1、將蝕刻 液 至 ，然後 AQUA”器 源，並將 样 內CAP和 酸的測感應器拿 ，於另外一個 有 液或的燒杯中。 2、 滿， 循環和 ， 一 後 。 3、 ，並fi 35%體 的NaOH， 循環和 ， 4550 的 狀態下， 23 後 。 4、滿， 循環和 ， 一 後 。 5 5、 ，並fi 35%體 的HCl， 循環和 ， 4550 的狀 35% HCl 4550 態下， 12 後 。 6、 滿， 循環和， 30 後 。 觀 嘴、 管及 接 頭處是否有堵塞、脫 、鬆 、洩漏。 7、 蝕刻 門窗， 一 fi 嘴及 管狀況，並個 復 ，然後再 滿 ， 循環和 ， 30 後 。 8、將蝕刻 液 回蝕刻