1、酸性蝕刻製程工藝介紹教 育 訓 練 教 材惠州联宏化工有限公司 唐青山 13609611662 一、酸性蝕刻的應用：酸性蝕刻，也叫氯化銅酸性蝕刻系統，通常使用於單面板蝕刻、多層板的內層蝕刻或Tenting流程的外層蝕刻上，因這些製程都用幹膜或液態感光油墨作為蝕刻阻劑，而這幾種感光材料相對而言均為耐酸不耐鹼性的特性，故選用酸性蝕刻。二、酸性蝕刻的種類：1、H2O2/HCl系列。 2、NaClO3/HCl系列。三、酸性蝕刻製作流程：1、單面板：銅面前處理印刷線路烘烤固化酸性蝕刻去墨2、內層和外層（ Tenting流程）：銅面前處理壓膜 曝光顯影 酸性蝕刻 去膜Tenting1 2 2/ Cl 2
2、a l 3/ Cl12 Tenting酸 性 蝕 刻 製 程 簡 介 基 板 壓 膜 壓膜後曝 光 顯 影 蝕 銅 去 膜 內 層 製 作 流 程 簡 介 1.下料裁板(Panel Size) COPPER FOILEpoxy GlassPhoto Resist2.內層板壓乾膜(光阻劑) PCB 內 層 製 作 流 程 3.曝光 4.曝光後 Artwork(底片)Artwork(底片)Photo Resist光源PCB 內 層 製 作 流 程 5.內層板顯影 Photo Resist6.酸性蝕刻(Power/Ground或Signal) Photo ResistPCB 內 層 製 作 流 程
3、7.去乾膜 ( Strip Resist) PCB 內 層 製 作 流 程 PCB 內 層 製 作 流 程 铜箔基材干/湿膜铜箔基材1、基板2、塗布/壓膜PCB 內 層 製 作 流 程 基材3、曝光底片铜箔干/湿膜4、顯影後PCB 內 層 製 作 流 程 5、蝕刻6、蝕刻後蚀刻液蝕刻阻劑線路7、去膜後一、顯影的目的：顯影就是通過化學反應原理，將先前已經曝光好的板子上沒有發生聚合反應區域的幹膜（或油墨）用顯影液沖洗掉，以得到所需要的線路雛形。而已感光聚合的部分則沖洗不掉，仍留在板面上成為蝕刻之阻劑膜。二、顯影的作業條件：顯 影 （Developing） evelo i g1.52.5kg/cm2
4、顯影段噴灑壓力1.52.5kg/cm2水洗段噴灑壓力2030水洗水溫度5060%顯影點10.510.7顯影液pH30 2 顯影溫度12%之碳酸鈉（重量比）顯影液濃度操作範圍操作參數三、顯影液的濃度：目前業界常用的顯影液是以無水碳酸鈉（Na2CO3）加純水配製而成，濃度一般為12%（質量比），但為了細線路的製作，緩和反應速度，降低Under-cut，現在顯影液的濃度多控制在1.0%0.2%。較高藥液濃度可容許較高幹膜負荷量，但不容易清洗乾淨，且操作範圍較小；反之，過低的藥液濃度所能承受的幹膜負荷量較小。因此，正確的藥液濃度應與幹膜廠商研究，依照其幹膜特性來配製。而藥液濃度的檢驗可利用酸鹼滴定來分
5、析。重點是：為維持槽液濃度的穩定性，確保顯影品質，必須設置自動添加，一般以偵控槽液的pH值作自動添加，或計片、計面積添加。四、顯影溫度：顯影液溫度是影響顯影速度的最大變數，一般都控制在302，需依幹膜種類而定。由於操作時藥液因泵浦的壓縮作用產生大量的熱能會促使溫度升高，致使有顯影過度的可能，因此顯影槽需加裝冷卻水管來保持適當的溫度；而溫度過低時，又可能會造成顯影不潔，因此需加裝加熱器使溫度能達到操作範圍，而得到最佳的顯影效果。a2C 312nder-cut 1.0 0.2p302顯 影 （Developing） evelo i g五、顯影壓力：幹膜與顯影液發生化學反應時會產生膨脹現象（Swel
6、ling），因此需要適當的壓力沖刷掉表面已作用過的浮層，使乾淨之顯影液能繼續與幹膜產生化學反應，而至於發生水池效應。而針對細線路而言，顯影時適當的噴灑壓力應在1.52.5kg/cm2之間。六、水質硬度：一般自水或地下水因含有礦物質及污垢，長期使用容易與幹膜結合形成硬垢，造成噴嘴或噴管阻，影響噴灑面積，最後導致顯影潔。因此建議使用純水搭配碳酸鈉配製成顯影液，會是最佳選。而水洗水一般也選用經過處理的軟水。七、過濾：顯影槽的噴灑系統加裝過濾裝置的主要目的在於避免幹膜殘渣堵塞噴嘴而造成顯影不潔；另也是防止膜屑、膜渣經過噴灑反沾到板面上，造成後續的蝕刻不淨或星點狀殘銅，致使生產品質不良，增加AOI檢測的
7、工作量。 S elling1.52.5kg/c 2I 顯 影 （Developing） evelo i g八、噴灑系統：1、搖擺方式：有噴盤來回鋸動式搖擺，及噴管定點自轉式搖擺。噴灑系統設計搖擺的目的是使藥液能夠均勻、迅速地噴灑到板面，加快藥液的交換與反應速度，從而得到良好的均勻性與反應速率。2、噴管間距與噴嘴間距：噴管與噴管的間距是否合理，主要是看噴嘴的噴灑面積是否能夠完全，此會影響顯影的均勻性；而噴嘴與噴嘴的間距是否合理，則會影響顯影的速度。3、噴嘴的選用：水平線的噴嘴一般可分為兩種類型，即圓錐型（Cone Type）和扇型（Fan Type）。圓錐型噴嘴的特點是噴灑面積廣，可得到較佳的均
8、勻性，但衝擊力小，容易造成顯影不潔。而扇型噴嘴噴灑面積雖小，但衝擊力較大，顯影效果較佳。因此針對細線路或內層板，以選擇使用扇型噴嘴較適合，因密集線路區需較高的藥液衝擊力來清除線路間的殘渣；而內層板因未鑽孔，上板面容易產生水池效應（Pudding），若噴灑壓力不夠會造成上板面顯影不潔，易導致蝕刻不淨等異常。4、不論用何種類型的噴嘴，最重要的是兩個噴嘴的噴灑面積是否能夠重疊（Overlapping），以達到均勻且乾淨的顯影效果。123 Cone TypeFan TypePudding4verlapping顯 影 （Developing） evelo i g九、顯影點（Break-Point）的控制
9、：1、由於顯影速度受到很多因素影響，例如：藥液濃度、噴灑壓力、溫度等，因此我們通常用顯影點的位置來控制正確的顯影速度。2、顯影點是指在顯影過程中，未經曝光聚合的幹膜在與顯影液反應後被沖刷掉，而顯露出銅面時的位置，而称之。現場生產時，顯影點一般控制在顯影槽的50%60%之間。3、顯影點及均勻性的測試：為瞭解顯影點和顯影均勻性的情形，則可用下列方法來測試：取幾片較大尺寸（如2024）的銅箔基板以正常流程壓好幹膜，撕掉保護膜後連續放置（無間距），以正常速度輸送進顯影槽，當第一片板子即將出顯影槽時關閉噴灑，待板子經過水洗後取出，以顯影槽有效噴灑長度為基準依次擺放，檢視板面顯影均勻性。Break-Poi
10、nt1250 60320 24顯 影 （Developing） evelo i g顯影點及均勻性顯 影 （Developing） evelo i g十、顯影的注意事項：1、注意在顯影前不可忘記把表面玻璃紙撕掉。2、顯影點（Break point）應落於5060%間。不足，銅面有scun殘留；太過， 則線邊有膜屑或 undercut過大。最好有自動添加系統（auto-dosing）。另外噴灑系統設計良否也會影響顯影點。3、顯影良好的側壁應為直壁式者，顯像不足時容易發生膜渣（Scum）造成蝕刻板的短路、銅碎、及鋸齒突出之線邊，顯影機噴液系統之過濾不良時也會造成此種缺點。若要檢查是否有Scum殘留時
11、，則可用5%之氯化銅溶液（Cupric Chloride CuCl 2) 或氯化銨溶液浸泡， 若銅面上仍有鮮亮的銅色時，即可判斷有 Scum殘留。4、必須有自動添加（Auto Dosing），以確保槽液濃度穩定在操作範圍內。5、顯像完成板子切記不可疊放，須用Rack插立。6、顯影槽一定要定期作徹底清潔保養，否則槽壁、槽底、管道內都易有膜渣 和其他雜質、沉澱物沉積，若長期累積，則勢必會堵塞噴嘴、濾芯，更會影響生產品質。12 Break point 5060 scun undercut auto-dosing3 ScuScu 5Cupric Chloride CuCl 2) Scu4 uto os
12、ing5 Rack6 顯 影 （Developing） evelo i g酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g一、蝕刻之定義：蝕刻也叫蝕銅，就是在PCB製作過程中，我們利用化學反應原理，將PCB板面上不要或多餘的銅腐蝕掉，得到我們所需要的線路回路圖形或銅面，這個過程即稱之為“蝕刻”。二、蝕刻液的種類：1、微蝕液：一般以Na2S2O8/H2SO4或H2O2/H2SO4配置而成，因其咬蝕量相對較小，只能咬蝕2070，故通常使用於相關製程的銅表面前處理上。2、酸性蝕刻液：即氯化銅酸性蝕刻系列，目前業界一般使用的是H2O2/HCl系列和NaClO3/HCl系列。通常使用於單面板蝕刻、多層板的
13、內層蝕刻或Tenting流程的外層蝕刻上，因這些製程都用幹膜或液態感光油墨作為蝕刻阻劑，而這幾種感光材料相對而言均為耐酸不耐鹼性的特性，故選用酸性蝕刻。3、鹼性蝕刻液：其主要成份為NH4Cl和NH3H20，攪拌配製後，溶液呈現鹼性性狀，故稱之為鹼性蝕刻液。它通常使用於圖形電鍍製程（採取電鍍Sn/Pb作為蝕刻阻劑）的外層蝕刻上，但也有少數雙面板生產廠家，在製作過程中，是印刷一層相對耐鹼性的油墨作蝕刻阻劑的 ，也會使用鹼性蝕刻液。PCB PCB“ ”1 a2S2 8/ 2S 4 2 2/ 2S 420702 2 2/ ClaCl 3/ Cl Tenting3 4Cl 3 20Sn/Pb三、酸性蝕刻
14、液的種類： 目前酸性蝕刻液大致有四種，分別如下：1、氯化鐵鹽酸： FeCl3 w/w約40%，HCl約5%，能蝕銅約70克/公升FeCl3 + 3H2O Fe(OH)3 + 3HCl 補充HCl防止沉澱蝕刻原理： FeCl3 + Cu FeCl2 + CuCl -（1）FeCl3 + CuCl FeCl2 + CuCl2-（2）CuCl2 + Cu 2CuCl-（3）（3）式取代（1）式進行蝕銅反應若發生下列反應則會發生沉澱物4CuCl2 + FeCl2 + O2 2CuCl Cu O + FeCl3（黑綠色）目前多使用於鐵/鎳合金蝕刻，如導線架業，PCB廠甚少使用。1 FeCl3 / 40
15、Cl 5 70 /FeCl3 + 3 2 Fe( )3 + 3 l lFe l3 + Cu Fe l2 + CuCl - 1Fe l3 + CuCl Fe l2 + CuCl2- 2CuCl2 + u 2CuCl- 33 14CuCl2 + FeCl2 + 2 2CuCl Cu + FeCl3/ PCB酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g2、氯氣鹽酸：最高可蝕刻銅約180克/公升。Cu + CuCl2 2CuCl 加入13N HCl使反應加快，但鹽酸不參予反應，祇有帶出消耗。2CuCl + Cl2 2CuCl2淨反應：Cu + Cl2 CuCl2因氯氣管理比較困難，目前祇有在美國大P
16、CB廠使用。3、雙氧水鹽酸：最高可蝕刻銅約160克/公升。Cu + CuCl2 2CuCl HCl之酸值控制23N2CuCl + H2O2 + 2HCl 2CuCl2 + 2H2O淨反應：Cu + H2O2 + 2HCl CuCl2 + 2H2O雙氧水儲存/穩定性較困難，而且實際消耗鹽酸，比用氯氣法成本較高。2 180 /Cu + CuCl2 2CuCl 1 3 Cl2 u l + l2 2CuCl2Cu + Cl2 CuCl2PC3 160 /Cu + CuCl2 2 uCl Cl 2 32CuCl + 2 2 + 2 Cl 2CuCl2 + 2 2Cu + 2 2 + 2 l Cu l2
17、+ 2 2/酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g4、氯酸鈉鹽酸：最高可蝕銅達180克/公升3Cu + 3CuCl2 6CuCl HCl之酸值控制在2.5N以下。6CuCl + NaClO3 + 6HCl 6CuCl2 + 3H2O + NaCl淨反應：3Cu + NaClO3 + 6HCl 3CuCl2 + 3H2O + NaCl優點：A、與雙氧水法比較，鹽酸的反應量相同，但鹽酸帶出量則因濃度為2.5N以下而大量減少。B、氯酸鈉氧化當量為雙氧水的三倍，所以雙氧水使用量為氯酸鈉的三倍。C、目前國外大量使用成本約低於雙氧水法1015%，而且適用小於4mil細線生產fine line製作。
18、目前業界最常用的即為H2O2/HCl系統和NaClO3/HCl系統這兩種酸性蝕刻液。4 180 /3Cu + 3CuCl2 6CuCl Cl 2.56CuCl + aCl 3 + 6 Cl 6CuCl2 + 3 2 + aCl3 u + aCl 3 + 6 Cl 3CuCl2 + 3 2 + aCl2.5B10 154mil fine line2 2/ Cl aCl 3/ Cl酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g四、氯酸鈉與雙氧水的運輸及儲存成本比較：1、因NaClO3氧化當量為H2O2的三倍，故H2O2的使用量為NaClO3的三倍，其運輸成本也大約增加三倍，並且對儲存桶容積需求量大
19、，添置儲存桶之費用一併增加。故使用NaClO3成本會比使用H2O2的成本約低本约低1015%，而且適合小於4mil細線路生產製作。2、 NaClO3較H2O2穩定，不會自我分解，在運輸或儲存過程中相對安全，不會發生氣爆危險。 3、NaClO3系統酸性蝕刻液在生產時，以高銅低酸進行操作，其酸當量一般控制在2.0N左右；而H2O2系統蝕刻液在生產時，其酸當量需求較高，一般控制在2.53.5N。故這二者相比較，雖然說HCL的反應需求量同，但HCL的帶出量與溢流量則因濃度低而大大減少。4、而且因NaClO3系统蚀刻液在低酸条件下操作，与H2O2系统蚀刻液在高酸条件下操作比较，可降低对设备的侵蚀能力，延
20、长设备的使用寿命。1 aCl 3 2 2 2 2 aCl 3a l 3 2 2 10154mil2 aCl 3 2 23 aCl 32.0 2 22.53.5 L L4 aCl 3 2 2酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g五、氯酸鈉與雙氧水的生產品質比較：1、NaClO3系統蝕刻液與H2O2系統蝕刻液相比較，藥液穩定不易分解，蝕刻速率均衡。2、NaClO3系統蝕刻液與H2O2系統蝕刻液相比較，因在低酸作業條件下操作，不會攻擊幹膜，或使幹膜溶出物增多。3、NaClO3系統蝕刻液與H2O2系統蝕刻液相比較，因在低酸作業條件下操作，可降低側蝕，蝕刻因子可相對得以提高。 1 a lO3 2
21、 22 a lO3 2 23 a lO3 2 2酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g六、公司酸性蝕刻液簡介：1、目前公司生產的酸性蝕刻液再生劑主要為CS-350，係以氯酸鈉為主，且加入特殊配方的濃縮蝕刻液，生產作業時，係以低酸當量進行操作，將得到較優良的蝕刻因子。CS-350能取代雙氧水應用在大多數氯化銅酸性蝕刻上，免除雙氧水穩定性控制問題，且較雙氧水安全，再搭配自動添加系統，將成為最具經濟效益和操作安全的氯化銅蝕刻再生系統。2、產品特色:（1）、控制簡單，操作安全。（2）、低酸操作，藥性穩定。（3）、側蝕低。（4）、水洗性良好。（5）、再生利用，成本低。1 S-350S-3502
22、:12345酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g3、物理性質：4、操作條件：3458PH值1.240.05比重安定穩定性透明澄清，輕微琥珀色外觀液體形態規格範圍物理性狀酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g1313噴灑壓力（kg/cm2）50550Temp（）154025 CAP212 HCl（N）14030140 Cu2+（g/L）1.3000.031.300 比重操作範圍最適條件操作參數七、酸性蝕刻反應原理分析：1、反應原理（以NaClO3/HCl系統為例）：1.1、蝕銅反應：銅可以三種氧化狀態存在，板面上的金屬銅Cu0，蝕刻槽液中的 藍色離子Cu2+ ，以及較不常見的亞
23、銅離子Cu+ 。金屬銅Cu0可在蝕刻槽液中被Cu2+氧化而溶解，見下面反應式（1）3Cu + 3CuCl2 6CuCl - （1）1.2、再生反應：金屬銅Cu0被蝕刻槽液中的Cu2+氧化而溶解，所生成的2Cu+又被自動添加進蝕刻槽液中的氧化劑和HCl經過系列反應氧化成Cu2+，而這些Cu2+又繼續跟板面上的金屬銅Cu0發生反應，因此使蝕刻液能將更多的金屬銅Cu0咬蝕掉。這就是蝕刻液的循環再生反應，見下面反應式（2）6CuCl + NaClO3 + 6HCl 6CuCl2 + 3H2O + NaCl - （2）1.3、淨反應：3Cu + NaClO3 + 6HCl 3CuCl2 + 3H2O +
24、 NaCl - （3）1 a l 3/ l1.1 Cu0 Cu2+ Cu+ u0Cu2+ 13Cu + 3CuCl2 6CuCl - 11.2 Cu0 Cu2+ 2Cu+Cl Cu2+u2+ u0Cu0 26 u l + a l 3 + 6 l 6Cu l2 + 3 2 + a l - 21.33 u + aCl 3 + 6 l 3CuCl2 + 3 2 + aCl - 3酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g2、從上述化學反應機制可看出，有四個物質參數在控制氯化銅蝕刻及再生反應。2.1、氧化劑（OXIDIZER）：如氯酸鈉（NaClO3）、雙氧水（H2O2）、氯氣（Cl2）等，這些均
25、為氧化劑，其作用為將氯化亞銅氧化成氯化銅。如下所示：6CuCl + NaClO3 + 6HCl 6CuCl2 + 3H2O + NaCl （在13N的酸性液中） 2CuCl + H2O2 + 2HCl 2CuCl2 + 2H2O （在2.53.5N酸性液中）2CuCl + Cl2 2CuCl2 （在13N酸性液中）2.2、 鹽酸：其作用是防止副產物如氧化銅（CuO），氫氧化銅Cu(OH)2產生，及提高氧化速度。如下所示：CuCl2 + 2H2O Cu(OH)2 + 2HCl （在中性溶液）CuCl2 + H2O CuO + 2HCl （在中性溶液）雖然增加HCl的濃度往往可加快蝕刻速度，但亦可
26、能發生下述的缺點。（1）、側蝕 （undercut ）增大，或者Etching Factor降低。（2）、若補充藥液是使用氯酸鈉，則有可能產生氯氣，對人體有害。 （3）、有可能因此補充過多的氧化劑 （ H2O2 ），而攻擊鈦金屬。 22.1 I IZERaCl 3 2 2 Cl26CuCl + aCl 3 + 6 Cl 6CuCl2 + 3 2 + aCl 13 2CuCl + 2 2 + 2 Cl 2CuCl2 + 2 2 2.5 3.52Cu l + l2 2CuCl2 1 32.2 Cu Cu( )2CuCl2 + 2 2 Cu( )2 + 2 Cl CuCl2 + 2 Cu + 2 l
27、 Cl1 undercut Etching Factor2 3 2 2 酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g2.3、氯離子：氯離子可與不溶於水的氯化亞銅形成錯合物，而溶解於水中，而且增加蝕銅速度，氯離子來源（過量）如鹽酸、氯化鈉。CuCl + NaCl NaCuCl2 （祇有在過量Cl-時才穩定存在）2.4、比重：槽液比重與蝕銅量有關，亦會影響蝕刻速率及側蝕狀況，利用比重控制器偵測，以便加水稀釋達到設定值。3、CuCl2系列酸性蝕刻液反應機構：3.1、通過上述反應式（1），我們會直覺的聯想到：在氯化銅酸性蝕刻液中，Cu2+ 及Cu+應是以CuCl2 及CuCl存在才對，但是事實並非如
28、此，兩者實際上是以和HCl形成的一龐大錯化物存在的：Cu0 + H2CuCl4 + 2HCl 2H2CuCl3 - （4）金屬銅 銅離子 亞銅離子其中 H2CuCl4 實際是 CuCl2 + 2HCl 2H2CuCl3 實際是 CuCl + 2HCl 2.3CuCl + aCl a CuCl2 Cl-2.43 CuCl23.1 1Cu2+ Cu+ CuCl2 CuClClCu0 + 2Cu l4 + 2 l 2 2 uCl3 - 42CuCl4 CuCl2 + 2 Cl 2 2CuCl3 CuCl + 2 Cl 酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g3.2、在反應式（4）中可知HCl是
29、消耗品。即使（4）式已有些複雜，但它仍是以下兩個反應式的簡式而已。Cu0 + H2CuCl4 2H2CuCl3 + CuCl （不溶）- （5） CuCl + 2HCl 2H2CuCl3 （可溶） - （6）式中因產生CuCl沈澱，會阻止蝕刻反應繼續發生，但因HCl的存在溶解了CuCl，維持了蝕刻的進行。由此可看出HCl是氯化銅蝕刻中的消耗品，而且且是蝕刻速度控制的重要化學品。3.3、由（1）式蝕銅後所產生的CuCL中的銅為铜为Cu+ ，是 一種水溶性不佳的物質，附著在板面上時，會造成蝕銅能力之劣化，因而使得蝕銅速度變慢。而一般在蝕刻槽內的化學反應多為連續性的，且相當複雜。3.4、上述各反應將
30、在蝕刻槽內持續地進行，而各副反應也會同時產生。在反應過程中，當雙氧水過量時，則會與鹽酸直接發生化學反應而产生氯气（CL2），造成鹽酸濃度降低。不但如此，也還會另外引起蝕銅機的損傷，板子上的耐酸油墨的溶解，以及蝕銅效率的降低等煩惱。更有甚者，還會導致銅箔接著材料的溶解，或已溶解油墨在槽液中的再聚集成塊體，進而阻塞噴嘴或泵浦的濾網等許多麻煩。3.2 4 Cl 4Cu0 + 2Cu l4 2 2 u l3 + CuCl - 5 CuCl + 2 Cl 2 2CuCl3 - 6u l ClCuCl Cl3.3 1 CuCL Cu+ 3.4L2酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g八、氯化銅蝕刻
31、再生反應之實際情形：金屬銅（ Cu0 ）CuCl2（ Cu2+ ）Cu0跟槽液的Cu2+ 反應生成Cu+ ， 完成蝕銅反應。CuCl（ Cu+ ）.Cu+不溶於水，它會使蝕銅反應速度降低。但它只是瞬間存在。加HCl或NaClHCuCl2或NaCuCl2錯合物.Cu+在酸性槽液中與HCl或NaCl形成錯合物。加氧化劑（H2O2或NaClO3或Cl2）氧化劑將Cu+錯合物氧化成Cu2+ 添加過量 （ CuCl2 ），完成再生反應。CuCl2 + NaCl + H2O 副反應 或CuCl2 + H2O 2HCl + H2O2 Cl2 + H2O或CuCl2 6HCl + NaClO3 3Cl2 + 3H2O + NaClCu0 u l2 u2+ u0 Cu2+ u+ u l u+ .Cu+Cl aClu l2 a u l2 . u+ Cl aCl2 2 a l 3 Cl2 u+ Cu2+ 添 量 CuCl2 CuCl2 + aCl + 2 uCl2 + 2 2 Cl + 2 2 l2 + 2CuCl2 6 Cl + aCl 3 3Cl2 + 3 2 + aCl酸 性 蝕 刻（Etching） tc i g
