1、晶硅电池厚度与效率的关系,晶硅电池厚度与效率的关系,Conclusion：在常规钝化工艺（ SiNx+ AL-BSF ）基础上，硅片厚度大于200um时电池效率基本不变；硅片厚度小于200um后，随着硅片厚度的下降，效率呈较明显的下降趋势。Root cause：1、背表面的少子复合影响；2、透射光引起的损失。,Influence of Wafer Thickness on the Performance of Multicrystalline Si Solar(an Experimental Study)Prog. Photovolt: Res. Appl. 2002; 10:279291 (
2、DOI: 10.1002/pip.421),References:,SiNx+ AL-BSF工艺,晶硅电池厚度与效率的关系,Analysis-背表面的少子复合：（少子的扩散长度L 、硅片厚度W 、背表面的复合速度Sr ）LW：Sr几乎对电池效率无影响；LW：Sr对电池效率的影响会愈加的明显；如果Sr比较高，则会降低电池的效率，较低的Sr可以减少Eff的损失（甚至可以提高Eff）。临界的Sr?临界的Sr=D/L，其中D为基体少子的扩散系数。对于电阻率为1.cm的硅基体，其D=27cm2/s，多晶硅的少子扩散长度L介于150300um之间。因此可以计算得到Sr的临界值约为1000cm/s。AL-B
3、SF钝化的复合速度在100010000 cm/s。,Rear passivation of thin multicrystalline silicon solar cellsOPTO-ELECTRONICS REVIEW 8(4), 307-310(2000),References:,AL-BSF不足以降低Sr，导致W时 Sr 对Eff影响 Eff下降,晶硅电池厚度与效率的关系,Analysis-透射光引起的损失：晶体硅是间隙带材料，光吸收系数小，太阳能电池厚度减小时，由于透射光引起的损失随着厚度的减小而增大。,太阳能电池背表面钝化的研究 能源工程2009年,第1期,References:,Thanks,
