1、增强型、耗尽型MOS场效应管的工作原理及作用场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似，但控制特性不同的半导体器件。它的输入电阻可高达1 0 1 5 W，且工艺简单，十分适用于大规模及超大规模集成电路，根据其导电方式的不同，而分为增强型和耗尽型两种。由于P沟道与N沟道的工作原理大致相同，仅在导电载流子与供电电压极性上有所区别，因此本文主要以介绍N沟道MOS场效应管为主。增强型场效应管所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。常用的增强型场效应管型号：1 0 n6 0、4 N6 0 F（1）N沟
2、道增强型场效应管工作原理及作用介绍根据图1，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。图1栅源电压VGS的控制作用：当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时，当VGSVGS(th)时( VGS(th)称为开启电压)，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将
3、漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0 V时ID=0，只有当VGSVGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS场效应管管称为增强型MOS场效应管管。VGS对漏极电流的控制关系可用iD=f(vGS)?VDS=const这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图2。图2（2）P沟道增强型MOS场效应管原理及作用介绍图3如图3是P沟道增强型MOS管的结构示意图，通过光刻、扩散的方法或其他手段，在N型衬底（基片）上制作出两个掺杂的P区，分别引出电极（源
4、极S和漏极D），同时在漏极与源极之间的SO绝缘层上制作金属，称为栅极G。在正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必须与源极相连，而漏心极对源极的电压Vds应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏。耗尽型MOS场效应管耗尽型是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。常用耗尽型场效应管：AO3 4 0 2、BSS2 2 9、BSP1 4 9（1）N沟道耗尽型MOS场效应管原理及作用介绍N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图4所示，当VGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。当VGS0时，将使ID进一步增
5、加。VGS0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示，有时也用VP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线如图0 2 .1 7 (b)所示。图4：(a)结构示意图(b)转移特性曲线N沟道耗尽型MOSFET的结构和转移特性曲线(2 )P沟道耗尽型MOS场效应管原理及作用介绍P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。文章信息文章类型：关键词+软文嵌入关键词（*为搜索量）：N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理及作用介绍MOS场效应管工作原理*9 0、MOS场效应管工作原理*2、场效应管的工作原理*1、耗尽型MOS场效应管*0、MOS场效应管的作用、MOS型场效应管*0、想法：.意图：.发布平台：华强北IC代购网专题：极管、整流器与晶体管
