1、1模拟电子线路试题（第一部分）一 判断题：1.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而不发生变化。 （ ）2.以自由电子为主要导电方式的半导体称为 P 型半导体。 ( )3.P、N 型半导体都不带电。 （ ）4.PN 结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。 （ ）5.如果二极管的正反向电阻都很小或为零，则该二极管断路。 ( )6.二极管正反向电流值大，说明其单向导电性能差，且受温度影响大。 （ ）7.单相半波整流电路中，流过二极管的平均电流只有负载电流的一半。 ( )8.在常温下，锗二极管的死区电压约为 0.5V，正向导通电压为 0.7V。 （ ）9.单相全波整流电路
2、中，二极管承受的最高反向电压 UM=2U 2 。 （ ）10.在单相桥式整流电路中，若变压器次级电压有效值为 150V，则输出电压平均值为 135V。 （ ）11.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。 （ ）12.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通 。 （ ）13.用万用表欧姆档粗测 2AP9 时用 R100 档。 （ ）14.单向桥式整流电路在输入交流电压时没半周内两只二极管都有可能导通。 （ ）15.全波整流电路中，二极管与负载串联，流过二极管的电流和负载电流不相等。 （ ）16. PN 结反向偏置时，电阻大，正向电流小，处于截止状态。 （
3、）17.桥式整流电路中，流过二极管的平均电流等于负载电流。 （ ）18.二极管加反向电压时，处于截止状态，此时没有电流流过二极管。 （ ）19.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。 （ ）20.二极管的电压和电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。 （ ）21.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而发生变化。 （ ）22.以空穴为主要导电方式的半导体称为 P 型半导体。 ( )23.P 型半导体带负电。 （ ）24.PN 结处于反向偏置时，处于导通状态，说明正向电流大，电阻小， 。 （ ）25.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管断路
4、。 ( )26.二极管正反向电流值小，说明其单向导电性能好，且受温度影响小。 （ ）27.单相半波整流电路中，流过二极管的平均电流就是流过负载电流。 ( )28.在常温下，硅二极管的死区电压约为 0.1-0.2V，正向导通电压为 0.3V。 （ ）29 单相全波整流电路中 .二极管承受的最高反向电压 UM=U2， 。 （ ）30.在单相全波整流电路中，若变压器次级电压有效值为 150V，则输出电压平均值为 135V。 （ ）31.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，产生电击穿。 （ ）32.锗二极管两端加上正向电压时不会立即导通 。 （ ）33. N 型半导体带负电
5、，P 型半导体带正电。 （ ）34.单向桥式整流电路在输入交流电压的正，负半周内 4 只二极管导通。 （ 2）35.变压器整流电路中，二极管与负载串联，流过二极管的电流和负载电流相等。 （ ）36. PN 结反向偏置时，正向电流小，反向电阻大，处于截止状态。 （ ）37.单向半波整流电路中，流过二极管的平均电流等于负载电流的一半。 （ ）38.二极管加反向电压时，处于导通状态，此时电流流过二极管。 （ ）39.半导体加入外电的作用下存在数量不相等的 空穴和自由电子两种载流子。 （ ） 40.二极管的电压和电流变化呈线性关系，其内阻是常数，所以二极管属于线性器件。 （ ）41.晶体三极管的基极，
6、集电极，发射极都不可互换使用。 （ ）42.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。 （ ）43.三极管按半导体材料分为 PNP 型和 NPN 型。 （ ）44.晶体三极管工作在截止 和 道通状态时，如同开关的闭合 和断开。 （ ）45.三极管相当于两个反接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。 （ ）46 晶体二极管同晶体三极管一样都具有两个 PN 结。 （ ）47.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。 （ ）48.NPN 型和 NPN 型三极管都是由硅材料制成的。 （ ）49.PNP 型三极管工作在放大状态，三个极的电位必须符合不等式 UE
7、 UB UC ( )50.三极管具有三个极，分别为：栅极 (B)，源极 (C)，漏极 (E)。 （ ）二 选择题：1.以下属于半导体的是（ ） 。A.锗 B.塑料 . 铜 .云母2.P 型半导体中的多数载流子是（ ） 。A. 负电荷 B.自由电子 .正电荷 空穴.3.将 PN 结 P 区接电源负极，N 区接电源正极，此时 PN 结处于（ ）偏置。A.正向 B. .双向 .单向 反向4.将 PN 结两端加反向电压时，在 PN 结内参与导电的是（ ） 。A.空穴 B.自由电子 .自由电荷 .空穴和自由电子5.PN 结反向击穿后，若这种击穿时可逆的，称为（ ） 。A.电击穿 B.热击穿 .反向击穿
8、.完全击穿6.由理想二极管组成的电路如下图所示，其 A、B 两端的电压为（ ） 。A. .-6V B.+6V -12V .+12V37. 单相半波整流电路中，次级输出电压 U2=9V，则二极管承受的最高反向电压为（ ） 。A.4.05V B.8.1V .92V .182V8.在单相桥式整流电路中，如果一只二极管接反，则（ ） 。A. 正常工作 B.成为半波整流.仍是全波整流 . 将引起电源短路9.能改善波形脉动程度的是（ ）电路。A. 滤波 B. 整流 .稳压 .放大10.在单相桥式整流电路中，次级输出电压 U2 为 20V，负载为 3，则流过每只二极管的正向平均电流 ID为（ ） 。A.1.
9、5A B.3A .6A .12A11.N 型半导体（ ）A.带正电 B.带负电 .呈中性 .不确定12.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（ ）A.正常 B. 断路 . 被击穿 .短路13.如果二极管的正反向电阻都很小或者为零，则该二极管（ ）A.正常 B.被击穿 .断路 14.在半导体材料中，其说法正确的是（ ）A.P 型半导体和 N 型半导体材料本身不带电B.P 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电.N 型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电.N 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电15.对于晶体二极管，下列说法正确的是（ ）A.正向偏置时导通，反向偏
10、置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管.反向击穿后立即烧毁 导通时可等效为一线性电阻16.把交流电转化为直流电的过程叫（ ） 。A.整流 B.滤波 .稳压 .放大17.单相桥式整流电路的输出电压平均值为（ ）A. U2 B.0.45U2 .0.9U2 .018.某单相桥式整流电路中，当变压器次级电压为 10V，则整流后输出电压为（ ）A. 10V B.4.5V 9V. .0V19.桥式整流电路中，当次级电压 U2 为正半周时，导通二极管为（ ）A.D1 和 D2 B.D2 和 D3 .D3 和 D4 .D 1 和 D320.测量二极管反向电阻时，若用双手把管脚捏紧，则测量值比实际值（ ）A.
11、 不变 B.小 . 大 .不确定21.以下属于半导体的是（ ） 。A.铁 B.塑料 . 云母 .硅22.P 型半导体中的多数载流子是（ ） 。4A.负电荷 B.自由电子 .正电荷 .空穴23.将 PN 结 P 区接电源正极，N 区接电源负极，此时 PN 结处于（ ）偏置。A. 反向 B. 双向 .单向 . 正向24.将 PN 结两端加正向电压时，在 PN 结内参与导电的是（ ） 。A. 空穴 自由电子 B.自由电子 空穴 .自由电荷 空穴 . 空穴 自由电荷25.PN 结反向击穿后，存在哪两种击穿，称为（ ） 。A 反向击穿 热击穿 B.热击穿 电击穿 . .电击穿 反向击穿 .完全击穿 热击
12、穿26.由理想二极管组成的电路如下图所示，其 A、B 两端的电压为（ ） 。A. +6V B-6V. . -18V .+18V27. 变压器整流电路中，次级输出电压 U2=9V，则二极管承受的最高反向电压为（ ） 。A.4.05V B.8.1V .92V .182V28.在单相桥式整流电路中，正半周那两只二极管反向偏置（ ） 。A.D2 和 D4 B.D2 和 D3 .D1 和 D2 .D 1 和 D329.能把交流电改为直流电的是（ ）电路。A.整流 B.滤波 .稳压 .放大30.在单相桥式整流电路中，次级输出电压 U2 为 40V，负载为 3，则流过每只二极管的正向平均电流 ID为（ ）
13、。A.1.5A B.12A .6 3A 31.P，N 型半导体（ ）A.带正电 B.带负电 .呈中性 .不确定32 如果二极管的反向电阻都很小或者为零，则该二极管（ ）A.正常 B. 短路 .断路 .被击穿33.如果二极管的正向电阻都很大，则该二极管.（ ）A.短路 B.被击穿 .断路 . 正常34.在半导体材料中，其说法正确的是（ ）A.P 型半导体和 N 型半导体材料本身带电B N 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电.N 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电. P 型半导体中，多数载流子为空穴，它不带电35.对于晶体二极管，下列说法正确的是（ ）A.正向偏置时截止，反
14、向偏置时导通 B.导通时可等效为一非线性电阻.反向击穿后立即烧毁 .反向偏置时无电流流过二极管36.半波整流电路的输出电压平均值为（ ）A.0.9U2 B.0.45U2 . U2 .037.变压器中心抽头式整流电路的输出电压平均值为（ ）5A.0.9U2 B.0.45U2 . U2 .038.某单相桥式整流电路中，当变压器初级电压为 10V，初次级匝数比为 1：10 则整流后输出电压为（ ）A. 0V B.45V .90V 100V 39.桥式整流电路中，当次级电压 U2 为负半周时，导通二极管为（ ）A.D1 和 D2 B.D2 和 D4 .D3 和 D4 .D 1 和 D340.测量二极管
15、反向电阻时，若用双手把管脚捏紧，则实际值比测量值（ ）A. .小 B 大 .不变 .不确定41.实现晶体三极管截止的条件是（ ）A.发射结正偏 ，集电结反偏 B. 发射结，集电结均正偏 C. 发射极，集电结均反偏 . 发射结反偏 ，集电结正偏42.满足I C =I B 的关系时，三极管一定工作在（ ）A.截止区 B. 放大区 . 饱和区 .以上都可以43.测得三极管 ib=10A 时 ic=2.4mA 而 ib=30A 时 ic=3.4mA，则该管的交流电流放大系数 为（ ）A50 B.60 C. .80 .10044.有 a ,b 两只三极管，a 管 =80 、I CEO=20mA, b 管
16、 =200 、I CEO=10mA，其它参数相同，应选用（ ）管比较合适A.a B.b .a 、b 同样适合 . a 、b 都不适合45.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为：（ ）A. 0.03mA 流出三极管 e、c、b B. 0.03mA 流进三极管 e、c、bC.0.03mA 流出三极管 c、e、bD. 0.03mA 流进三极管 c、e、b46.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（ ）A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态 .截止状态47.使用万用表直流电压档，测得电路中晶体管各极相对于某
17、一参考点的 电位如图，从而可判断该晶体管工6作在（ ）A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态 .截止状态48.PNP 型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（ ） 。A.VCVBVE B. VC VE VB . V E VB V C . V E VCVB49.PNP 型硅管各极对地电位分别是 V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则 1，2，3 分别为（ ） 。A. .发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极.集电极、发射极、基极 基极、集电极、发射极50.用模拟万用表红表笔接三极管一脚，用黑表笔分别接另两脚，测得的电阻均较大，则说明该晶体管是（ ） 。A.NPN 型 B.N 沟
18、道 .PNP 型 .P 沟道模拟电子线路试题（第二部分）一 判断题：1.晶体三极管的集电极和发射极不可互换使用。 （ ）2.晶体三极管工作在放大状态的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 （ ）3.三极管按半导体材料分为 NPN 型和 PNP 型。 （ ）4.晶体三极管工作在放大状态时，如同开关闭合。 （ ）5.三极管相当于两个反接的二极管，所以任何一极断开后还可以作为二极管使用。 （ ）6 晶体三极管具有两个 PN 结，二极管具有一个 PN 结，因此可以把两个二极管反向连接起来当作一只三极管使用 （ ）7.放大状态，饱和状态，截止状态称为晶体三极管的三种工作状态。 （ ）8.NPN 型三极管是由
19、硅材料制成的。 （ ）9.NPN 型三极管工作在放大状态，三个极的电位必须符合不等式 UC UB UE ( )10.三极管具有三个极，分别为：基极 (B)，集电极(C)，发射极( E)。 （ ）11. 称为交流电流放大系数，它表示三极管放大交流电流的能力 （ ）12 三极管的电流放大作用主要指的是在一定条件下流过流过基极电流 IB 是集电极的电流 IC的若干倍 （ ）713.场效应管分为 PNP 管和 NPN 型场效应管两大类。 （ ）14. 场效应管有三个极，分别为：基极（B） ，漏极（D） ，源极（S） 。 ( )15.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。 （ ）16.三
20、极管中电流分配关系是：I E=IC+IB ( )17.三极管构成的放大电路有：放大、饱和、截止三种连接形式。 （ ）18.N 沟道增强型 MOS 管的符号是 （ ） 19.场效应管具有热稳定性好、输入电阻高、易集成、成本低等优点。 （ ）20.三极管极间反向饱和电流随温度而改变。 （ ）21. 称为直流电流放大系数，它表示三极管放大直流电流的能力 （ ）22 三极管的电流放大作用主要指的是在一定条件下流过集电极的电流 IC是流过基极电流 IB 的若干倍 （ ）23.场效应管分为结场效应管，面接触型，点接触型和绝缘栅型场效应管两大类。 （ ）24. 场效应管有三个极，分别为：栅极（G ） ，漏极
21、（D） ，源极（S） 。 ( )25.三极管是一种电流控制器件，场效应管是一种电压控制器件。 （ ）26.三极管中电流分配关系是：发射极电压等于基极电压和集电极电压之和 ( )27.三极管构成的放大电路有三种组态，分别为：共发射极组态、共集电极组态和共基极组态。 （ ）28.P 沟道增强型 MOS 管的符号是 （ ） 29.场效应管具有热稳定性差、输入电阻低、易集成、成本高等优点。 （ ）30.三极管极间正向饱和电流随温度而改变。 （ ）31.放大器放大信号的能量来源于电源输入的交流信号。 ( ) 32.放大电路的静态是指输出信号短路，输入信号为零的情况。 （ ）33.三极管的 值,在电路中一
22、般取 30 到 80 为宜。 ( )34.设置静态工作点的目的是为了使信号在整个周期内不发生线性失真。 （ ）35.有人用直流电压表测量某工作于放大状态的晶体管的 UBE=0.3V，则判断为硅型三极管。 （ ）36. 射极输出器其电流放大倍数小于等于 1，输入电阻高，输出电阻小。 （ ）37 共基极放大电路其电流放大倍数约等于 1。. （ 8）38.射极输出器又叫共集电极放大电路，其放大电路的输出电压约等于输入电压，则电压放大倍数约等于 1。 （ ）39.共发射极放大器的输出信号和输入信号同相，射极输出器输出信号和输入信号反相。 （ ）40.在画直流通路时，电源 UCC 保留。 （ ）41.
23、单级共发射极放大电路中，u i 为正弦信号时，u o 负半周出现削顶，表明放大器出现截止失真。 （ ）42.小信号交流放大器造成截止失真的原因是工作点选得太低，可以减小 Rb 使 Ib 增大，从而使工作点上升到所需要的位置。 （ ）43.对共基极极电路而言，输出信号和输入信号同相，相位相差 180。 （ ）44.单级共发射极放大电路中，u i 为正弦信号时，u o 正半周出现削顶，表明放大器出现饱和失真。 （ ） 45. 放大器采用分压式偏置电路，主要是因为分压式偏置电路可以稳定静态工作点。 （ ）46.在基本共射级放大电路中，电压放大倍数随 增大成反比例减小。 （ ）47. 放大器的输出电阻
24、越小越好，带负载能力强。 （ ）48.放大器的输出电阻越小越好，减小信号源的负担。 （ ）49. 放大器的输入电阻越大越好，减小信号源的负担。 （ ）50. 放大器的输入电阻越大越好，带负载能力强。 （ ）二 选择题：1.实现晶体三极管放大的条件是 （ ）A. 发射极，集电结均反偏 B. 发射结正偏 ，集电结反偏 C. 发射结，集电结均正偏 . 发射结反偏 ，集电结正偏2.满足I C =I B 的关系时，三极管一定工作在 （ ）A.截止区 B.放大区 .饱和区 .以上都可以 3.测得三极管 ib=30A 时 ic=2.4mA 而 ib=40A 时 ic=3mA，则该管的交流电流放大系数 为（
25、）A. 60 B. .75 C 80 .1004.有 a ,b 两只三极管，a 管 =120 、I CEO=200mA, b 管 =50 、I CEO=10mA，其它参数相同，应选用（ ）管比较合适A.a B.b .a 、b 同样适合 . a 、b 都不适合5.测得工作在放大状态的某三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为：（ ）A.0.03mA 流进三极管 c、e、bB.0.03mA 流出三极管 c、e、bC.0.03mA 流进三极管 e、c、bD.0.03mA 流出三极管 e、c、b6.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管
26、工作在（ ）A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态 .截止状态97.使用万用表直流电压档，测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的 电位如图，从而可判断该晶体管工作在（ ）A. 倒置状态 B. 饱和状态 C. 放大状态 .截止状态8.NPN 型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（ ） 。A.VCVBVE B. VC VE VB . V E VB V C . V E VCVB9.NPN 型硅管各极对地电位分别是 V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则 1，2，3 分别为（ ） 。A.基极、集电极、发射极 B. 发射极、基极、集电极. 集电极、发射极、基极 集电极、基极、发射极.10.用
27、万用表红表笔接三极管一脚，用黑表笔分别接另两脚，测得的电阻均较小，则说明该晶体管是（ ） 。A.NPN 型 B.N 沟道 .PNP 型 .P 沟道11.某放大器中三极管三个极的电位分别是 2V，1.7V ，5V，可判断该管为（ ） 。A.PNP 型锗管 B. PNP 型硅管 .NPN 型硅管 . NPN 型锗管12.工作在放大区的某三极管，当 ib 从 20 微安增加到 40 微安，i c 从 1mA 增加到 2mA，则 为（ ） 。A.10 B.20 .50 .10013.在三极管构成的三种基本放大电路中，电压放大倍数小于 1 的是（ ） 。A.共射极 B. 不定 .共基极 共集电极.14.
28、三极管按半导体内部结构不同分为 ( )。A 低频管和高频管 B.硅管和锗管 C.放大管和开关管 . NPN 型和 PNP 型15.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（ ） 。A.截止区 B.放大区 C.饱和区 .击穿区16.场效应管是（ ）型三极管。A.单极 B.双极 C.单向 .双向17.下面不是场效应管的管脚的是（ ）A.，漏极（D） B.栅极（G） C. 源极（S） . 基极（B）18.场效应管具有（ ）作用A.电压放大 B.电流放大 C.电阻变换 .以上都有19.场效应管是通过改变（ ）来控制漏极电流的 10A 栅极电流 B. .栅极电压 C.源极电压 .源极电流20
29、.三极管输出特性曲线中，每一条曲线对应一个特定的（ ） 。A uCE B. .iB C. .i C21.某放大器中三极管三个极的电位分别是 2V，1.3V ，5V，可判断该管为（ ） 。A.PNP 型锗管 B. NPN 型锗管 .NPN 型硅管 . PNP 型硅管22.工作在放大区的某三极管，当 ib 从 10 微安增加到 40 微安，i c 从 1mA 增加到 4mA，则 为（ ） 。A. 100 B. 50 . 20 10. 23.在三极管构成的三种基本放大电路中，电流放大倍数等于 1 的是（ ） 。A 共基极. B.共集电极 . 共射极 .不定24.三极管按半导体材料结构不同分为( )。
30、A.NPN 型和 PNP 型 B.硅管和锗管 C.放大管和开关管 .低频管和高频管25.三极管输出特性曲线可分为三个区，为（ ） 。A. 击穿区 截止区 饱和区 B.放大区 饱和区 击穿区 C. 放大区 截止区 击穿区 放大区 饱和区 截止区.26.三极管是（ ）型三极管。A.单向 B.单极 C.双极 .双向27.下面场效应管的管脚的名字与字母对应正确的是（ ）A.，漏极（B） B 栅极（B） C. 源极（C） . . 栅极（G）28.三极管管具有（ ）作用A.电压放大 B.电流放大 C.电阻变换 .以上都有29.三极管管是通过改变（ ）来控制集电极电流的 A. .基极电流 B.发射极电流 C
31、.源极电流 基极电压30. 工作在放大区的某三极管，当 ib=20 微安时 ic=1mA，放大以后 ib=40 微安时 ic=2.5mA，则 为（ ） 。A.10 B.20 .75 .10031.单级共集电极放大电路中 uo 与 ui 相位相差（ ） 。A. 2700 B1800. C. 900 D0.32. 单级共射极放大电路中 uo 与 ui 相位相差（ ） 。A. 2700 B.900 C.00 D. 1800 C.防止输出的交流信号对地短路，把放大了的电流转换成电压。 33.在共射极基本电路中，当用直流电压表测得 UCE=0 时，有可能是因为。 （ ）A.Rb 开路 B.Rb 过小 C
32、. Rc 开路 D Rb 开路 34.分压式偏置放大电路用作音频放大器，U cc=12V,现用 500 型万用表测得 UCE=12V 则表明。 （ ）A Ui=0 B.晶体管饱和 C. .发射结开路 D 发射结断路 35.为调整放大器的静态工作点，使之下移，就应该使 Rb 电阻值。 （ ）A 不变 B.减小 C.增大. D 不确定 36.在放大电路中，三极管因故由截止状态进入放大，此时三极管的集电极电位会（ ）A. 不变 B. 升高 C. 降低 D. 先升高，后降低 37. 当输入电压为正弦信号时，如果 PNP 型管共发射极放大电路发生截止失真，则输出电压的波形将。 （ ）A. 不削波 B.
33、负半周削波 C. 正半周削波 38. 单管共射极放大器输入正弦电压，用示波器观察到输出波形的负半周被削顶，该放大器的静态工作点设置得。 （ ）A 无法确定. B. 偏低 C. 偏高 1139. 在分压式偏置电路中，与 Re 并联的旁路电容 Ce 的作用是。 （ ）A. 使工作点稳定 B.增大放大能力 C.减少信号的损耗 40. 共集电极电路的应用不正确的是。 （ ）A.可作为输入级 B.可作为输出级 C. 不可以作隔离级 D 可作为中间隔离级 41.在电路中电流放大倍数约等于 1 的组态是（ ）电路。A. 不确定 B. 共基极 C. 共集电极 D. 共发射极 42.下列因素不影响静态工作点的是
34、。 （ ）A. B. Rb C. Ucc 43.放大器三种组态中那种不具有电压放大有。 （ ）A. 共基极 B. 共集电极 C. 共发射极 D.不确定44.消除基本的共射极放大电路中出现的饱和失真，通常采用的方法是。 （ ）A.增大 Rb B.增大 Rc C.减小 Rb D.减小 Rc45.射极输出器的输出电阻小，这说明该电路。 （ ）A.带负载能力强 B. 能减轻前级放大器或信号源负荷 C.不能带动负载 D. 带负载能力差46. 某放大器的电压放大倍数为 1000, 电流放大倍数为 100,那么它的功率增益为 （ ）dB。A.20 B.30 C. 40 D 5047.在分压式共射极放大电路中
35、，若更换管子使 由 100 变为 50，则电路中的电压放大倍数。 （ ）A 基本不变 B. .约为原来的 0.5 倍 C. 约为原来的 2 倍 D 约为原来的 4 倍.48.关于对于射极输出器说法正确的是。 （ ）A. .输入电阻小，输出电阻大 B 电压放大倍数略小于 1，电压跟随特性好 C.具有电压放大能力和功率放大能力 D.输入信号与输出信号反向49. 某放大器的电压放大倍数为 1000 那么它的电压增益为 （ ）dB。A.20 B.40 C.60 D 80 50.某放大器的功率放大倍数为 100 那么它的功率增益为 （ ）dB。A.10 B.20 C. 40 D 100 模拟电子线路试题
36、（第三部分）一、判断题1.放大器放大信号的能量来源于交流信号强与弱。 ( ) 2.放大电路的动态都是在静态的基础上叠加上一个交流信号。 （ ）3.三极管的 值,在任何电路中都是适当选取。 ( )4 要使信号在整个周期内不发生非线性失真取决静态工作点的设置。 （ ）5.有人用直流电压表和电流表测量某工作于放大状态的晶体管的 UBE=0.7V,IB=0.07mA,则可知晶体管 B、E间的交流电阻 rbe=10K。 （ ）6.放大倍数可以定义为输出量的瞬时值和输入量的瞬时值之比。 （ ）7.电压放大倍数小于 1，输入电阻小，输出电阻大，为共射极输出电路。 （ ）8.既能放大电压，又能放大电流，是共集
37、电极放大电路。 （ ）9.共发射极放大器的输出信号和输入信号反相，射极输出器输出信号和输入信号同相。 （ ）10.在电路中 UCC 表示电压。 （ ）11.放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。 （ ）12.小信号交流放大器造成截止失真的原因是工作点选得过高，可以增大 Rb 使 Ib 减小，从而使工作点下降到所需要的位置。 （ ）13.对共集电极电路而言，输出信号和输入信号不同相。 （ ）14.单级共发射极放大电路中，ui 为正弦信号时，uo 正半周出现削顶，表明放大器出现截止失真。 （ ）15. 单级共发射极放大电路中，ui 为正弦信号时，uo 正半周出现削顶，表明放大器出现
38、饱和失真。 12（ ）16.在基本共射级放大电路中，电压放大倍数随 增大成反比例减大。 （ ）17.放大器的输出电阻越大越好。 （ ）18.放大器的输入电阻越小越好。 （ ）19.对共基极电路而言，输出信号和输入信号同相。 （ ）20 共发射极放大电路既能放大电压，也能放大电流。 （ ）21.,各级静态工作点互相干扰的耦合电路是阻容耦合或变压器耦合。. （ ） 22.所谓反馈,就是把放大电路的输出信号的部分送回到放大电路的输入端,并与输入信号相合成的过程. （ ） 23.,为减小放大电路的非线性失真的措施采用引入负反馈 方法。 （ ）24. 直接耦合时,各级静态工作点互相干扰 （ ）25.多级
39、放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带都要宽,级数愈多,通频带愈宽。 （ ）26.若一个放大电路具有电流并联负反馈，则可以稳定输出电压，增大输入电阻. （ ）27. 若一个放大电路具有电压并联负反馈，则可以稳定输出电压. 减小输出电阻 （ ）28.瞬时极性法在信号的各作用点标记的“” 、 “”是表示电流的流入和流出极性. （ ）29.若接入反馈后与未接反馈时相比输出量变大,则引入的反馈为负反馈. （ ） 30.多级放大器是牺牲通频带的宽度来提高电流放大倍数. （ ）31.负反馈电路改善电子电路的工作状态和性能，正反馈做自激振荡器。 （ ）32 低频交流电压放大电路中，主要采用直接耦合方式。 （ ）33 变压器耦合放大器中的耦合变压器起电压变换作用，使前后级的静态工作点互不干扰，彼此独立。 （ ）34 直接耦合放大器可以阻止直流使信号变得缓慢。 （ ）35 变压器耦合放大器的优点是既能放大交流信号，也能放大直流信号还可变换电压。 （ ）36 多级放大器总增益的表达式为 Gu =Gu1 + Gu2 + Gu
