1、乾膜特性介紹,講授大綱,光阻簡介成像原理光阻顯像,光阻簡介,光阻(photo resist)類型,依其製造型式可分為:乾膜D/F (為現行使用之光阻類型)濕膜感光/防焊油墨,光阻(photo resist)類型,依成像方法可分為:正型光阻負型光阻(為現行使用之光阻類型),polyethylene,乾膜光阻成份,Photo resist,polyester,蓋膜層(PET),感光層(photopolymer),隔膜層(PE),polyethylene,各層功能,Photo resist,polyester,蓋膜層(PET),一、支持保護感光層二、隔絕氧氣三、防止或抑制光聚合作用,polyethy
2、lene,各層功能,Photo resist,polyester,感光層,產生光聚合作用,polyethylene,各層功能,Photo resist,polyester,隔膜層(PE),隔離感光性高分子 沾黏至其他聚酯層 又稱隔離層(separator Sheet ),乾膜感光層,本公司所用之乾膜係由一種負型自由基式的聚合物組成其組成之成份約有三十餘種，就性質約可分為五大類,感光層組成,Photo resist,一、感光啟始劑及光敏劑(photo-initiator & sensitizer)二、黏結劑(binder)三、單體或中體/寡聚物(monomer or oligonm)四、塑化劑及
3、附著力促進劑(plasticizer & adhesion promoter)五、染料(dye),乾膜厚度對製程之影響,20 micron以下，適用於 L/S:30/30 micron之製程30 micron左右，適用於 L/S:50/50 micron之製程40 micron左右，適用於 L/S:80/80 micron之製程乾膜愈薄，其解像能力愈佳，薄到一定限度則由濕式光阻替代(可達 4 micron以下),成像原理,曝光能量與乾膜感光後聚合程度對照,60,Polymerization%,103,104,105,106,Log exposure，erg/cm2,Induction peri
4、od,乾膜自由基必須在無氧狀態下方能產生感光聚合反應,Sensitize,Terminate,Propagate,Chain transfer,Form radicals,Polymer,Image,Initiate,+ O2 inactive products,影響曝光之因素,能量:能量之大小影響成像品質(解析度及密合度)曝光時間:由shutter控制紫外光波長:波長範圍250520(主波長:365、405、436nm)燈源:計有平行光(parallel light)、準平行光(almost parallel)、散射光(scattered light),乾膜對曝光之影響,乾膜愈薄，愈容易產生
5、皺折乾膜愈薄，解析度及蝕刻均勻性愈佳影響壓膜之基本因素:壓力及溫度,影響壓膜之因素,溫度:藉加熱以降低光阻之黏度，增加流動性壓力:藉加壓以將黏度小之光阻填擠於銅面上，產生附著力,乾膜對曝光之影響,乾膜愈薄，愈容易產生皺折乾膜愈薄，解析度及蝕刻均勻性愈佳影響壓膜之基本因素:壓力及溫度,光阻顯像,顯像原理,因乾膜組成為有機之高分子化合物，經曝光過程UV之聚合curing產生化學變化，未經UV聚合之部份則經顯影液洗去留下銅面，此種乾膜類型為負型成像。,D/F,CCL,PI+AD,A/W or MASK,UV LIGHT,顯像原理,D/F,CCL,PI+AD,完成光聚合反應之乾膜形成線路,顯影液主要成
6、份CO32-,乾膜主要成份Resist-COOH,顯像原理,D/F,CCL,PI+AD,完成顯影過程之線路,CO32-,Resist-COOH + CO32- CO3- + Resist-COO -,反應官能基,反應官能基,由顯影液Na2CO3或K2CO3提供,顯像原理,CO32-,Resist-COOH + CO32- CO3- + Resist-COO -,反應官能基,反應官能基,本反應實際為一種皂化作用，故於製程中會產生 類似肥皂狀的泡沫,顯像原理,CO32-,Resist-COOH + CO32- CO3- + Resist-COO -H20 + CO32- HCO3- + OH -,反應平衡式:K = HCO3-OH- / CO32- PH = 14 + logKCO32-/HCO3- 為掌握顯影之品質，製程中需嚴格控制CO32-/HCO3-的濃度 比值(PH值控制)，以得最佳之線路顯影效果,
