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芯片失效分析_.pdf

上传人:weiwoduzun 文档编号:3155902 上传时间:2018-10-05 格式:PDF 页数:73 大小:401.22KB
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1、 http:/ http:/ 1 2 3 http:/ 1 1 2 3 http:/ http:/ http:/ CMOS pn Si- Al http:/ http:/ http:/ http:/ http:/ http:/ : http:/ http:/ n MOS http:/ pn MOS Al-Si pn http:/ http:/ http:/ http:/ / / (stand by) : (stand by) (stand by) http:/ / I V , http:/ 1 2 3 http:/ http:/ http:/ ( ) X http:/ http:/ http:

2、/ F113 47.6C FC43 180C 125C http:/ X X X C-SAM http:/ http:/ http:/ http:/ http:/ Al 30 HCl 30 H 2 SO 4 KOH NaOH http:/ Al-Si p-Si Al SiO 2 n-Si m A http:/ 577.2C Si Al At-12.1% 580C 100% 10% http:/ 3600A 1200X 50A 10 http:/ http:/ SEM http:/ http:/ IC + http:/ http:/ ASIC http:/ http:/ pn pn http:/

3、 EBIC E B I C SEM pn EBIC EBIC pn VLSI CMOS EBIC http:/ http:/ http:/ JK256 792 3DG13014 3DG13062 99.9 52.2 99.0 96.1 0.02 38.2 0.21 0.56 CO 2 100ppm, 10ppm http:/ EDAX AES SIMS N10 N2 10 11 0 4 nm 1000 1 1 nm 1000 300 1000 http:/ 1 VLSI 2 CAD 3 VLSI http:/ FIB http:/ 4 5 http:/ 2 http:/ http:/ http

4、:/ http:/ http:/ http:/ EOS ESD http:/ EOS EOS http:/ http:/ EOS ( P n P n : http:/ EOS ESD EOS ESD EOS ESD EOS ESD EOS ESD http:/ EOS ESD 1 2 EOS 3 http:/ http:/ pn http:/ http:/ http:/ 3.2 54hc4520 54hc4520 3DG130 3DG130 torr 3.5 3.5 23.5 27.5 30.5 518 23.0 %8 0 . 37 9 . 99 9 . 99 9 . 09 6 . 19 8 . 19 3 . 7 18 2 17.8 - 0.50 2.07 2.84 ppm 454 458 2100 5600 27100 GJB548 http:/ AuAl http:/ X X http:/ I DSS V p pn S i - A l pn http:/

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