1、元件静电敏感度元器件静电敏感度等级静电敏感器件静电敏感度静电敏感度等级 特一级 特二级 一级 二级 三级静电耐受能力 0V-500V500V-1000V 1000V-2000V 2000V-4000V 4000V-8000V代表器件 GaAs器件、光发送接受器件、管芯CMOS集成 电路 TTL集成电路二极管、三极管、继电器阻容器件、开关、变压器 一般规定，静电损伤电压不小于 16000V 的为静电不敏感器件，小于 16000V 的为静电敏感器件。静电敏感度分级：1 级：不大于 1999V 2 级：20003999V 3 级：4000 15999V ESDS 产品及其组件应有ESD 保护电路，其
2、最低要求应耐ESD 电压值为：组件：不低于 2000V 产品：不低于 4000V 电子元器件静电敏感度的分级：1 级（1999V ）ESDS 元器件a微波器件（萧特基二极管，点接触二极管和 f1GHZ 的检波二极管）；bMOS 场效应晶体管（MOSFET）；c结型场效应晶体管（JFET ）； d 声表面波器件（SAW）； e电荷藕合器件（CCD）；f精密稳压二极管（线性或负载电压调整率小于 0.5）； g运算放大器（OP AMP）； h集成电路（IC）； i混合电路（由 1 级 ESDS 元器件组成）； j特高速集成电路（VHSIC）； k薄膜电阻器 l可控硅整流器（Pt100mW，Ic0.175A）； j小功率双极型晶体管（350mWP100mW 和 400mWP100mW）； k 光电器件（光电二极管、光电晶体管、光电耦合器）；l片状电阻器； m混合电路（3 级 ESDS 元器件组成）；n压电晶体。 1.1 易受损伤的器件和部位结构上有下述特点的器件易受静电损伤： 芯片尺寸小、热容量小、小信号器件、高频器件、微细金属化、浅 EB 结、薄栅氧化层等。 器件易受损伤的部位有：输入电路、输出电路的高阻部分，扩散区边缘，金属化区边缘等区域。
