1、全国 2002 年 4 月高等教育自学考试电子技术基础( 一)试题课程代码：02234一、单项选择题(本大题共 15 小题，第 110 小题，每小题 1 分，第 1115 小题，每小题2 分，共 20 分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。1.当 PN 结承受反向电压时，其内部电流关系为( )A.扩散电流大于漂移电流 B.扩散电流等于漂移电流C.扩散电流小于漂移电流 D.无法确定2.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流 B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压 D.输入电压控制输出电流3.图示电路，R F 引入了(
2、 )A.串联电流负反馈B.串联电压负反馈C.并联电压负反馈D.正反馈4.共模抑制比 KCMRR 是( )A.差模输入信号与共模输入信号之比B.输入量中差模成份与共模成份之比C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比D.交流放大倍数与直流放大倍数 (绝对值)之比5.与八进制数(537) 相等的十六进制数是( )A.(17C)16 B.(16B)16 C.(17B)16 D.(16C)166.四变量逻辑函数 F(ABCD)的最小项 m8 为( )A.ABC B. BC C.A D.ABCDDADBCD7.电路如图所示，设灯 F 亮为逻辑 1，灭为逻辑 0，开关 A、B 的逻辑状态如图中所示，则灯
3、与开关 A、B 的逻辑关系为( )A.F=A+BB.F= B+AC.F+ABD.D= +AB8.图示电路，当 EN=1 时，F 的状态为( )A.F=0B.F=1C.F=AD.F= A9.基本 RS 触发器，当 RD，S D 都接高电平时，该触发器具有 ( )A.置“1”功能 B.保持功能 C.不定功能 D.置“0”功能10.图示逻辑符号代表( )A.或非门电路B.与或非门电路C.集电极开路与非门电路(OC 门)D.异或门电路11.NPN 型三极管工作于饱和状态时，三个电极的电位关系为( )A.UB C,UBUE B.UEUC,UCUBC.UCUBUE D.UEUBUC12.图示电路，若 =1
4、00,U E =0.7 伏，则静态基极电流 IBQ 等于( )A.6AB.8AC.9.5AD.10.5A13.图示 OCL 功率放大电路，在输入 ui 为正弦电压时，互补管 T2、T 3 的工作方式为( )A.甲类B.乙类C.始终截止D.甲乙类14.图示 LC 振荡电路，为了满足振荡的相位条件，应将 ( )A.1 与 4 连接，2 与 5 连接B.1 与 5 连接，2 与 4 连接C.2 与 3 连接，4 与 5 连接D.1 与 3 连接，2 与 4 连接15.图示电路，变压器副边电压 u2= U2sint V,该电路的输出特性(外特性 )，应是图中( )A.B.C.D.二、多项选择题(本大题
5、共 5 小题，每小题 2 分，共 10 分) 在每小题列出的五个选项中有二至五个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。多选、少选、错选均无分。16.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为 U1=3.2V,U2=2.5,U 3=12,则( )A.该管为硅管 B.1 为基极，2 为发射极，3 为集电极C.该管为 NPN 型D.该管为 PNP 型E.1 为集电极，2 为基极，3 为发射极17.固定偏流放大电路中，当基极偏流电阻 RB 减小时( )A.基极电流增大 B.电压放大倍数增加C.集电极电流增大 D.交流输出电阻增加E.rbe 减小18.在运算放大电路中，引入深
6、度负反馈的目的是( )A.提高电路放大倍数稳定性 B.使运放工作在线性区C.使运放工作在非线性区 D.降低电路放大倍数稳定性E.提高电路放大倍数19.下列器件中属于组合逻辑电路的有( )A.加法器 B.译码器 C.编码器D.计数器 E.寄存器20.图示是由二进制同步可预置计数器芯片 T214(74LS161)构成的时序电路。可判定该电路为( )A.二进制计数器B.四进制计数器C.十二进制计数器D.十二分频器E.四分频器三、填空题(本大题共 10 小题，每小题 2 分，共 20 分)21.图示电路，二极管 VD1，VD 2 为理想元件出，则 UAB 为_伏。22.温度 T 对三极管输入特性的影响
7、如图示，则图中温度较高的一条输入特性应是_。23.放大电路输出端开路时的电压放大倍数比带上负载后的电压放大倍数_(大，小) 。24.放大电路的非线性失真，是由于晶体管工作时进入_引起的。25.图 25 放大电路，电压放大倍数 u0/ui 为_。26.图 26 电路，R 2=22K 中的电流 I 为_mA。27.图 27 为 RC 振荡电路的选频网络，已知 R1=R2,C1=C2，则反馈系数 =_。F28.图 28 为电容三点式振荡电路，则该电路振荡频率的表达式 f0=_。29.组合逻辑电路的输出状态仅决定于_。30.图示电路，输出端 Q 次态的表达式为 Qn+1=_。四、简单计算题(本大题共
8、6 小题，每小题 5 分，共 30 分)31.图示分压式偏置稳定放大电路，若 rbe=1.K ，=50,求电压放大倍数 u?A若射极旁路电容 Ce 开路则电压放大倍数变为多大?32.图示电路中，运放为理想元件，(1)指出 A1，A2 各为何种运算电路(2)求出 u0 与 Ui1 和 ui2 之间的运算关系式。33.图示电路，已知负载电阻 RL=100，电压表 V 的读数为 12V，二极管 VD 为理想元件，设电流表内阻为零，电压表内阻为无穷大，试求：(1)直流安培计 A 的读数；(2)交流伏特计 V1 的读数；(3)变压器副边电流 i2 的有效值。34.用逻辑代数公式把逻辑函数 F=ABC+A
9、C +A +CD 化简为最简与或式。DC35.图示电路，写出各触发器的驱动方程，分别列出 x=0,1时电路的真值表，并说明该电路的逻辑功能。设电路的初态为00。36.由 555 集成定时器组成的电路如图(a)所示。已知 R1=R2=100k，c=50F。输出电压u0 的波形如图(b)所示。试说明该电路是 555 集成定时器的何种应用电路 (单稳态触发器、多谐振荡器，施密特触发器)。并求 T1 和 T2。五、综合应用题(本大题共 2 小题，每小题 10 分，共 20 分)37.电路如图(a)所示，运放为理想元件。(1)求 u0 与 ui 的运算关系式?(2)已知 Rf=200k，c=25F, 图
10、(a) 电路的输入波形如图(b) 所示，画出 u0 端对应的波形。38.一奇偶校验电路输入为 ABC 三位二进制代码，当输入 ABC 中有奇数个 1 时，输出 F为 1，否则输出为，试设计该逻辑电路，要求(1)列出真值表(2)写出逻辑函数(3)画出用异或门实现该逻辑功能的逻辑图。全国 2002 年 4 月高等教育自学考试电子技术基础 (一)试题参考答案课程代码：02234一、单项选择题(本大题共 15 小题，第 110 小题，每小题 1 分，第 1115 小题，每小题2 分，共 20 分)1.C 2. 3.C 4.C 5.C6.C 7.B 8.A 9.B 10.C11.A 12.C 13.D
11、14.C 15.A二、多项选择题(本大题共小题，每小题 2 分，共0 分)16.ABC 17.ABCE 18.AB 19.ABC 20.ABE三、填空题(本大题共 10 小题，每空 2 分，共 20 分)21.022.T223.大24.饱和或截止区(非线性区)25.1+ R2126.-0.5mA27.1/328.f0= 212LC29.电路当时的输入状态30. Qn四、简单计算题(本大题共 6 小题，每小题 5 分，共 30 分)31.解：(1) u=ARLbe5012(2)ce 开路时， u=Rbee().50163147=10/10=5kRL32.解：(1)A 1 为反相比例器A2 为减法
12、器(2)u01=- ui1=-10ui110u0= (ui2-ui1)=5(ui2-u01)5=5ui2+50ui133.解：电流表 A 的读数 I= =120mA120(2)交流伏特计 V1 的读数 U2= =26.7V45.(3)变压器副边电流 i2 的效值为 I2=1.57I0=1.57120=188.4mA34.解：F=ABC+AC +A +CDDC=ABC+A( +C )+CD=ABC+A( )+CD=ABC+A +CD=ABC+A+CD=A+CD35.解： JKXQ121由状态表可知，当控制端 X=0 时，电路为一同步两位二进制加法计数器；当 X=1 时，电路为一同步两位二进制减法
13、计数器。36.解：多谐振荡器T1=0.7(R1+R2)C=0.72001035010-6=7ST2=0.7R2C=0.71001035010-6=3.5S五、综合应用题(本大题共 2 小题，每小题 10 分，共 20 分)37.u0=RfC +uidut38.中国自考人() 改写昨日遗憾 创造美好明天！用科学方法牢记知识点顺利通过考试！做试题,没答案?上自考 365,网校名师为你详细解答!全国 2003 年 4 月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题 课程代码：02234一、单项选择题(本大题共 16 小题，每小题 2 分，共 32 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。
14、请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1.半导体三极管处在放大状态时是( )A.C 结正偏 e 结正偏 B.C 结反偏 e 结反偏C.C 结正偏 e 结反偏 D.C 结反偏 e 结正偏2.理想二极管构成的电路如题 2 图，则输出电压 U0 为( )A.-18VB.-3VC.+3VD.+15V3.某放大状态的三极管，测得其管脚电位为：脚 u1=0V,脚 u2=-0.7V，脚 u3=6V,则可判定该管为( )A.NPN 型是 e 极 B.NPN 型是 e 极C.NPN 型是 e 极 D.NPN 型是 c 极4.场效应管的转移特性如题 4 图，则该管为( )A.P 沟道增强型 FET
15、B.P 沟道耗尽型 FETC.N 沟道增强型 FETD.N 沟道耗尽型 FET5.由 NPN 型管构成的基本共射放大电路，当输入 ui 为正弦波时，在示波器上观察输出 u0的波形如题 5 图示，则该电路产生了( )A.频率失真B.交越失真C.饱和失真D.截止失真6.三种组态的放大电路中，共集电极放大电路的特点是( )A.能放大电流能放大电压 B.能放大功率不能放大电压C.能放大功率不能放大电流 D.能放大电压不能放大电流7.放大电路中自给偏压偏置电路适用的管子是( )A.NPN 型晶体管 B.结型 P 沟道 FETC.N 沟道增强型 FET D.N 沟道耗尽型 FET8.题 8 图所示电路为一
16、般比较器电路，其门限电压 UT 为( )A.-4VB.-2VC.+2VD.+4V9.单相桥式整流电路变压器次级电压为 10V(有效值) ，则每个整流二极管所承受的最大反向电压为( )A.10V B.14.14V C.20V D.28.28V10.八进制数(75.4) 8 对应的十进制数是( )A.61.4 B.61.5 C.64.4 D.75.411.函数 F(A，B，C)= AC+B 的最小项表达式为( )AA.F=(0,1 ，4) B.F=(1,3,4,7)C.F=(0,2,3,5,6,7) D.F=(0,4,5,6,7)12.已知函数 F=AB+ ，其最简与或式为( )CDBA.AB+D
17、 B. C. D.AB+CCA13.由与非门构成的基本 RS 触发器，要使 Qn+1=Qn，则输入信号应为( )A.SD=RD=1 B.SD=RD=0C.SD=1,RD=0 D.SD=0,RD=114.由 TTL 集电极开路门构成的电路如题 14 图所示，其输出函数 F 为( )A. ABB. CC.0D. 15.TTL 三态门电路如题 15 图所示，其输出函数 F 为( )A.ABB. CDC.高组态D.低阻态16.触发器电路如题 16 图所示，其次态方程为( )A.Qn+1=QnB.Qn+1=1C.Qn+1=0D.Qn+1= nQ二、填空题(本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14
18、分)17.将 PN 结的 N 区接电源的正极，P 区接电源的负极，则为 PN 结的_偏置。18.多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要_。19.三种组态的基本放大电路进行比较，输入电阻最大的是共_极放大电路。20.三种组态的放大电路中更适合于高频放大的是共_极放大电路。21.为使某放大电路的输入电阻提高，而且能稳定输出电流，则该放大电路应引入_负反馈。22.差动放大电路两个输入端的信号,u il=80mV,ui2=60mV，则一对差模输入信号 uidl=-uid2=_mv。23.电路如题 23 图，则输出电压 u0=_V。24.十进制数(30) 10 的 8421BCD 编码是_。25.
19、n 个输入端的二进制译码器共有_个输出端。26.D 触发器的特征方程是_27.单相桥式整流电路输出平均电压为 30V，则变压器副边的电压有效值为_V 。28.正弦波振荡的相位平衡条件是_。29.JK 触发器，若 J=K=1,则可完成_触发器的功能。30.由 555 构成的施密特触发器，若电源电压 UCC=12V，电压控制端 5 脚经 0.01F 电容接地，则下限触发电压 UT=_V。三、分析计算题(本大题共 6 小题，每小题 5 分，共 30 分)31.放大电路如题 31 图，已知管子的 =50,r be=0.8k,U BEQ=0.65V,C1,C2,CE 对交流短路，试：(1)估算静态量 I
20、CQ，U CEQ；(2)计算电压放大倍数 Au，输入电阻 ri;(3)计算电容 C2 上的静态电压 UC2 值。32.电路如题 32 图所示。(1)指出集成运放 A1，A 2 各构成何种运算电路；(2)写出 u0 与 ui1 和 ui2 的关系式，知 ui1=0.5V,Ui2=-2V,求 u0。(3)指出哪些运放存在虚地。33.差动放大电路如题 33 图，已知每管的 rbe=2K,=100。(1)指出该电路的输入输出方式；(2)计算差模电压放大倍数 Ad;(3)计算差模输入电阻 rid。34.电路如题 34 图所示，已知 R=10k，C=0.01F,R 1=10k。(1)判定电路能否满足振荡的
21、相位平衡条件；(2)计算振荡频率 f0；(3)为使电路能起振，试求 RF 值。35.试分析题 35 图所示电路为几进制计算器。要求：(1)写出电路的驱动方程；(2)列出电路的状态表，指出电路为几进制计数器。36.深度负反馈放大电路如题 36 图。(1)指出电路中的负反馈类型；(2)计算电压放大倍数 Auf.四、设计、画波形题(本大题共 4 小题，每小题 6 分，共 24 分)37.试用一个集成运放和若干电阻元件设计一个电路实现 u0=5ui2-4ui1 的关系，各路输入最小输入电阻为 30K，要求：(1)画出电阻；(2)计算各电阻值。38.如题 38(a)图所示电路，集成运放的最大输出电压为
22、12V，稳压管的稳定电压 Uz=6V，正向导通电压为 0.7V。(1)求门限电压 UT；(2)画出电压传输特性；(3)已知 ui 波形如题 38(b)图，试在题 38(c)图上画出 u0 的波形(要求 u0 对应 ui，并标明 u0 的幅值)39.在题 39(a)图所示电路中， CP 和 A 的波形如题 39(b)图所示，试对应画出 Q1,Q2 的波形。设各触发器初态为 0。40.试用 74LS161 集成四位二进制计数器组成七进制计数器。要求分明用置零法和置数法实现。74LS161 功能表见题 40 表。全国 2004 年 4 月高等教育自学考试电子技术基础（一）试题课程代码：02234一、
23、单项选择题（本大题共 15 小题，每小题 2 分，共 30 分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ）A本征半导体 B温度C杂质浓度 D掺杂工艺2理想二极管构成的电路如题 2 图所示，则（ ）AV 截止 U010VBV 截止 U03V CV 导通 U010V DV 导通 U06V3某电路中晶体三极管的符号如题 3 图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（ ）A放大状态B饱和状态C截止状态D状态不能确定4FET 的转移特性如题 4 图所示，则该管为（ ）AN 沟道耗尽型BN 沟道增强
24、型CP 沟道耗尽型DP 沟道增强型5下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（ ）A共射组态 B共基组态C共集组态 D共漏组态6某单级放大电路的通频带为 ，由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路，其总1f的通频带 应是（ ）BfA 2 B 1 1f1BC 2 D 0, UBC0C.UBE0, UBC04.由 NPN 型管组成的共射放大电路，输入 ui 为正弦波，输出 u0 为 波形，则该电路产生了( )A.频率失真 B.交越失真C.截止失真 D.饱和失真5.两级放大电路，考虑到级间的相互影响后，|A u1|=100,|Au2|=1000，则两级总的电压放大倍数用分
25、贝表示为( )A.60dB B.80dBC.100dB D.120dB6.在双端输入的差动放大电路中，输入信号 ui1 和 ui2 分别为 60mv 和 40mv，则其共模输入信号 uic 和差模输入信号 uid 为 ( )A.100mv 和 20mv B.50mv 和 10mvC.100mv 和 10mv D.50mv 和 50mv7.若要求放大电路输入电阻低，且稳定输出电流，在放大电路中应引入的负反馈类型为( )A.电流串联 B.电流并联C.电压串联 D.电压并联8.单相桥式整流电路，变压器次级电压为 10V(有效值) ，则整流后的输出直流电压为( )A.4.5V B.9VC.10V D.
26、12V9.单相桥式整流电容滤波电路中，变压器次级电压为 20V(有效值) ，则滤波后的输出直流电压为( )A.9V B.20VC.24V D.40V10.十六进制数(5B.4) 16 所对应的二进制数为 ( )A.(1011011.01)2 B.(1011001.01)2C.(1101011.001)2 D.(1011001.001)211.逻辑函数 F(A、B、C)=AB+ 的最小项表达式为( )CA.F=(1,3,5) B.F=(1,2,3,7)C.F=(0，2，4，6) D.F=(0,2,4,6,7)12.已知逻辑函数 F(A，B，C)=AB+ ，其最简与或式为( )BAA.F=B+ C
27、 B.F=A+ CAC.F=C+A D.F=13.TTL 集电极开路门构成的电路如题 13 图所示，其输出函数 F 为( )A.F=AB+ C+ABB.F=BC+A CC.F=B +ACD.F=A +AB14.TTL 门电路如题 14 图所示，其输出函数 F 为( )A.F= CAB.F= BC.F= D.F= CA15.由与非门构成的 RS 触发器，要使 Qn+1=0,则输入信号应为 ( )A.SD=RD=1 B.SD=RD=0C.SD=1,RD=0 D.SD=0,RD=1二、填空题(本大题共 10 小题，每小题 1 分，共 10 分)16.PN 结反向偏置时，应该是 N 区的电位比 P 区
28、的电位_。17.当温度升高时，半导体二极管的 IRM 将_。18.某放大状态的晶体三极管，当 IB=20A 时，I C=1mA，当 IB=60A 时，I C=3mA。则该管的电流放大系数 值为_。19.开启电压 UGS(th)0 的是_场效应管。20.在三种基本组态的晶体三极管放大电路中，具有电压放大作用，且 u0 与 ui 同相关系的是_放大电路。21.对 32 个字符编码最少需要_位二进制数。22.要构成一个五进制计数器最少需要_个触发器。23.TTL 与非门电路输入端悬空相当于接_电平。24.正弦波振荡器稳定振荡时的幅度平衡条件是_。25.由 555 定时器构成的单稳态触发器，输出脉冲宽
29、度 Tw_。三、分析计算题(本大题共 6 小题，每小题 5 分，共 30 分)26.电路如题 26 图所示(1)分析指出图中级间交流反馈的极性与反馈组态；(2)指出该反馈组态对放大电路输入电阻 ri 和输出电阻 r0 有何影响。27.交流放大电路如题 27 图所示已知UBEQ=0.7V,=80,r be=2k，R B1=90k，R B2=30k，R E=2k，R C=3k，R L=6k，R S=1.8k，忽略 C1、C 2、C E 对信号的影响，试：(1)估算静态值 ICQ,UCEQ;(2)计算电压放大倍数 Au,源电压放大倍数 Aus 及输入电阻 ri。28.放大电路如题 28 图所示，已知
30、RC=10k，R B=2k，R E=10k，R L=20k，r be=3k，=100,试：(1)指出电路的输入输出方式；(2)计算差模电压放大倍数 Ad；(3)计算输入电阻 rid。29.功放电路如题 29 图所示，V 1、V 2 的饱和电压 UCES=2V,试：(1)指出静态时 A 点的电位 VA=?；(2)计算最大输出功率 POM；(3)计算效率 。30.电路如题 30 图所示，已知 R1=R2=R3=2k，负载 RL=100，试求输出电压 U0 的调节范围。31.试分析题 31 图所示电路为几进制计数器。要求：(1)写出电路的驱动方程和状态方程；(2)列出电路的状态表，说明是几进制计数器
31、。四、设计、画波形题(本大题共 6 小题，每小题 5 分，共 30 分)32.设计由一个集成运放构成的电路，实现 u0=5ui2-4ui1 的关系，已知 Rf=8k.要求：(1)计算所需的各电阻值；(2)画出满足需求的电路图。33.由理想集成运放组成的电路如题 33(a)图所示，试：(1)写出 u0 与 ui1 和 ui2 的关系式；(2)已知 ui1 和 ui2 的波形如题 33(b)图示，试对应画出 u0 波形。34.电路如题 34(a)图所示，已知 UR=2V,双向稳压管 Vz 的稳定电压 Uz=6V,试：(1)求门限电压 UT;(2)画电压传输特性；(3)已知 ui 的波形如题 34(
32、b)图所示，画出 u0 的波形。35.用与非门设计一个三变量一致电路(当变量全部相同时输出为“1” ，否则为“0”) ，输入变量中允许有反变量出现，要求列出真值表，写出逻辑式，画出逻辑电路图。36.触发器电路和 CP 波形分别如题 36(a)、(b) 图所示，试画出在 CP 脉冲作用下 Q1、Q 2 波形，设触发器初态均为“0” 。37.试用 74LS161 集成四位二进制加法计数器构成一个五进制计数器，要求用反馈复零法实现，74LS161 的功能表如题 37 表。题 37 表 74LS161 功能表中国自考人() 改写昨日遗憾 创造美好明天！用科学方法牢记知识点顺利通过考试！全国 2005
33、年 7 月高等教育自学考试电子技术基础( 一)试题课程代码：02234一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题 2 分，共 30 分)1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示，当输入电压 Ui=9V 时，输出电压 Uo 为多少？( )。A.3V B.6VC.9V D.15V2.三极管的主要参数 Iceo 的定义是( )。A.集电极发射极反向饱和电流B.集电极基极反向饱和电流C.集电极最大允许电流D.集电极发射极正向导通电流3.场效应管的转移特性如下图，则该管为( )。A.沟道耗尽型 FET B.沟道增强型 FETC.沟道耗尽型 FE
34、T D.沟道增强型 FET4.普通硅二极管的死区电压为( )。A.0.1V B.0.2VC.0.5V D.1.0V5.某三极管型号是，则根据该型号可知，该三极管是( )。A.硅 NPN 型管 B.硅 PNP 型管C.锗 NPN 型管 D.锗 PNP 型管6.某三极管接在电路上，它的三个管脚的电位分别为 U1=6V，U 2=5.4V，U 3=12V，则对应该管的管脚排列依次是( )。A.E、B、C B.B、E、CC.B、C、E D.C、B、E7.共集电极放大电路的特点是( )。A.输入电阻很小，输出电阻很大 B.输入电阻很大，输出电阻很小C.电压放大倍数很高 D.可用作振荡器8.测得某交流放大电
35、路的输出端开路电压的有效值 Uo=4V,当接上负载电阻 RL=6k 时，输出电压下降为 Uo=3V，则交流放大器的输出电阻 ro 是( )。A.6k B.4kC.2k D.1k9.下图所示电路是( )。A.加法运算电路 B.减法运算电路C.积分运算电路 D.微分运算电路10.下图的放大器输出 o 为( )。A.Uo=- UiRf/RiB.Uo=UiRf/RiC.Uo=(1+Rf/Ri)UiD.Uo=- (1+Rf/Ri)Ui11.以下哪个选项不是导致直接耦合放大器的零点漂移的主要原因?( )A.三极管 ICBO 随温度变化 B.三极管 UBE 随温度变化C.三极管 ICM 随温度变化 D.三极
36、管 随温度变化12.单相桥式整流电路中，变压器次级电压为 10V，则整流二极管承受的最大反压为( )。A.5V B.7VC.10V D.14V13.下图为一般比较器电路，其门限电压 UT 为( )。A.+6V B.+3VC. - 3V D. - 6V14.下图为密码锁控制电路。开锁条件是：拨对密码；钥匙插入锁眼将开关 S 闭合。当两个条件都满足时，开锁条件为“1” ，将锁打开，否则报警信号为“1” ，接通警铃。问，ABCD 的密码值是多少？( )A.0110B.1001C.1010D.010115.国产 78 系列三端稳压器的输出固定有几个电压档次，以下正确的是( )。A.3V、5V、6V、9
37、V、12V、15V、24VB.3V、5V、6V、9V、12V、15V、18VC.5V、6V、9V、12V、15V、18V、24VD.5V、6V、9V、12V、15V、24V、36V二、填空题（每小题 1 分，共 10 分）16.半导体二极管有普通二极管、光电二极管和_二极管几种。17.由于放大电路对不同频率的成分具有不同的放大倍数。因此，到达放大器输出端后，不同频率的成分发生了变化，引起失真，称为_。18.下图的复合管类型是_型管（填 NPN 还是 PNP） 。19.正弦波振荡电路应当包括_、反馈网络、选频网络和稳幅环节四个组成部分。20.8421 编码的二进制数 01011001 转换为十进
38、制数，就是_。21.十六进制数（A3） 16，可用二进制数表示为 _。22.半导体数码管的 LED 内部接法有_接法和共阴极接法两种。23.CMOS 电路的特点有_，抗干扰能力强，电源电压范围宽，输出逻辑摆幅大，输入阻抗高，扇出能力强，温度稳定性好等等。24.某些输出门的输出除了通常的逻辑和逻辑外，还有第三种状态，即_状态，因而称为三态门，又称 TSL 门。25.脉冲的主要参数有_，脉冲幅度，脉冲宽度，上升时间，下降时间，占空比。三、分析计算题（每小题 5 分，共 40 分）26.请用箭头标出当温度升高时，下图所示电路的各参数变化趋势。27.电路如下图所示， ， .，60，其他参数如图，求：(
39、)计算 ,rbe 的值()画微变等效电路28.电路如下图所示，说明其反馈组态。29.差动放大电路如下图，设 RC=10k，R B=1k，U CC=UEE=12V，两管 均为60，I E=0.5mA，R L=10k，调零电位器 RP 阻值为 RRP=100，试求：(1）指出该电路的输入输出方式(2)计算管子动态输入电阻 rbe(3)计算差模电压放大倍数 Ad30.下图是何种振荡电路？振荡频率应该如何计算？31.将下列逻辑函数化为最简与或表达式。F=(A+B+ ) (A+B+C)C32.逻辑电路如下图，判断电路的逻辑功能写成最简与或表达式，并写出真值表。33.请画出基本 RS 触发器的逻辑图和状态
40、表。四、设计画波形题（每小题 5 分，共 20 分）34.试设计一个使用交流 220，输出为 5，采用桥式整流电路、电容滤波电路和三端稳压集成块的直流稳压电源，请在虚框内画出相应的零件，不必标注零件参数。35.对应电路图和各点输入波形，画出输出端的波形。36.请用置零法将 T214 接成三进制计数器。37.下图为 555 多谐振荡器，请补上缺失的 555 管脚标号，并计算其振荡频率。全国 2006 年 4 月高等教育自学考试电子技术基础（一）试题课程代码：02234一、单项选择题（本大题共 16 小题，每小题 2 分，共 32 分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码
41、填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1要得到 P 型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的（ ）A三价元素 B四价元素C五价元素 D六价元素2理想二极管构成的电路如题 2 图，其输出电压 u0 为（ ）A-6VB0VC+3VD+9V3某锗三极管测得其管脚电位如题 3 图所示，则可判定该管处在（ ）A放大状态B饱和状态C截止状态D无法确定伏态4场效应管的转移特性如题 4 图所示，则该管为（ ）AP 沟道增强型 FETBP 沟道耗尽型 FETCN 沟道增强型 FETDN 沟遭耗尽型 FEI5三种组态的放大电路中，共基极放大电路的特点是（ ）Au 0 与 ui 反相能放大电流 Bu 0 与 ui 同相能放大电压Cu 0 与 ui 同相能放大电流 Du 0 与 ui 反相能放大功率
