1、江苏省无锡立信中等专业学校备课笔记教学环节 学生活动第一节 半导体及其特性一、半导体的基本知识1、概念：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。2、元素：半导体器件中用的最多的是硅和锗。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 3、半导体的特点：(1)、当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。(2)、当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。(3)、纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。二、本征半导体的导电形式1、两种载流子：自由电子（带负电）和空穴（带正电）在常温下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子
2、，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。这一现象称为本征激发，也称热激发。2、电子空穴对：因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，3、本征半导体中电流由两部分组成：自由电子移动产生的电流和空穴移动产生的电流。(包括教学方法与教学手段 )教 学 内 容 及 步 骤江苏省无锡立信中等专业学校备课笔记教学环节 学生活动三、杂质半导体1、概念：在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。2、N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体） 。加五价元素（磷）自由电子占大多数，称为多子；空穴占少数，叫少子。3
3、、P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体） 。加三价元素（硼）空穴占大多数，称为多子；自由电子占少数，叫少子。第二节 PN 结及其特性 一、PN 结的形成在同一片半导体基片上，分别制造 P 型半导体和 N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了 PN 结。二、重要特性单向导电性：PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加正、N 区加负电压。三、注意（1） 、空间电荷区中内电场阻碍 P 中的空穴、N 区中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动） 。（2） 、P 区中的电子和 N 区中的空穴（都是少子） ，数量有限，因此由它们形成的电流很小。(包括教
4、学方法与教学手段 )教 学 内 容 及 步 骤江苏省无锡立信中等专业学校备课笔记教学环节 学生活动四、PN 结的伏安特性测二极管的伏安特性曲线图如下：(包括教学方法与教学手段 )教 学 内 容 及 步 骤江苏省无锡立信中等专业学校备课笔记教学环节 学生活动正向： 正向电压 VF 小于门坎电压 VT 时，二极管 V 截止，正向电流 IF =0；其中，门槛电压 (Ge) V0.2Si5T VFVT 时，V 导通，IF 急剧增大。导通后 V 两端电压基本恒定： (e) 0.3Si7on导 通 电 压结论：正偏时电阻小，具有非线性。反向：反向电压 VRVRM (反向击穿电压)时，反向电流 IR 很小，且近似为常数，称为反向饱和电流。VRVRM 时，I R 剧增，此现象称为反向电击穿。对应的电压 VRM 称为反向击穿电压。结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。电击穿可逆热击穿不可逆雪崩击穿高反压，碰撞电离齐纳击穿较低反压，场致激发(包括教学方法与教学手段 )教 学 内 容 及 步 骤江苏省无锡立信中等专业学校备课笔记教学环节 学生活动(包括教学方法与教学手段 )教 学 内 容 及 步 骤
