1、MOS 管并联均流技术分析IGBT 管并联均流技术分析BJT 管并联均流技术分析普通的功率 MOSFET 因为内阻低、耐压高、电流大、驱动简易等优良特性而得到了广泛应用。当单个 MOSFET 的电流或耗散功率不满足设计的需求时就遇到了并联 mos 管的问题。并联 mos 管的两大问题，其一就是 mos 管的选型，其二就是 mos 管参数的筛选。首先我们测试从某网店购买的 IRF4905 型 PMOS 管。从图中可见此 PMOS 管的字符与常见的 IR 公司器件有较大差异，遂使用 DF-80A 型二极管正向压降测试仪对此 mos 管进行实际的 ID-VDS 曲线测试。先从官网下载 IRF4905
2、 的 ID-VDS 曲线，可见当 Vgs 为-6.5V 时，Id约在 90A 时恒流。电路连接方式如下图。调节电位器，使 Vgs=-6.5V。实际测试：ID 扫描范围：0-100A，测试脉宽 300 微秒。可见该器件的实际测试图该测试曲线为一奇怪的测试曲线，在 85A 附近类似恒流趋势，但是随后曲线发生转折，变成了近似恒压曲线。敲开该 mos 管发现，内部晶片仅芝麻粒大小。从手册上可得该 PMOS 管的电流可达 74A，显然此批料为假货。如果购料后没经过测试即上机，几乎必然出现炸管事故。我们再从本地电子市场购买一管 IRF4905。如图所示：再次用 DF-80A 型二极管正向特性测试仪测量 I
3、D-VDS 曲线。参数同上：ID 扫描范围：0-100A，300us 脉冲宽度。测量结果如下：该曲线与数据手册的描述相符。进一步解剖结果显示，该 PMOS 管晶片面积大，且金属部分呈紫铜色，与假芯片 MOS管形成了鲜明对比。而且使用 DF-80A 型二极管正向压降测试仪测试时， ID 电流均是脉冲形式，平均功率很低，所以待测 MOS 管均不明显发热，保护器件不受损。选定了 MOS 管的供应商后将挑选参数尽量一致的 MOS 管。图为一块具有 16 只IRF4905 管的待测部件。这些 MOS 管源极并联，栅极通过电阻网络连接，漏极悬空待测。测试方法同上。利用该软件的 Excel 数据导出功能，可以很方便的比较每个 MOS 管的特性曲线。图为 16 只 MOS 管的 ID-VDS 曲线，使用 Excel 的绘制折线图功能生成。该曲线清晰展示了有 4 只 mos 管的导通电阻小于其余的 MOS 管，这些 MOS 管工作时将流过更大的电流，易受损。因此将这四只 MOS 管换新后，16 条 ID-VDS 曲线近乎完美重合，达到了并联使用要求。
