1、电子与通信工程（200309）专业 2006 年招收攻读工程硕士研究生的专业课考试说明本文为参加 2006 年全国统一研究生入学考试报考电子与通信工程专业的考生提供了专业课复习大纲，大纲中所列内容仅供参考。一、两门专业课选择说明（以下内容从北京大学研究生院主页上可以查到）北京大学招收攻读硕士学位研究生专业目录系所名称 软件与微电子学院招生总数 550 人。系所说明其中拟推荐免试：80 人。本院全部为自筹经费名额。其中北京大学校本部400 人，上课地点在北京市大兴校区；深圳研究生院 150 人，上课地点在深圳。招生专业：电子与通信工程 (200309) 人数:200研究方向01.ASIC 设计
2、02.SOC 设计 03.IC 测试 04.嵌入式系统设计考试科目考试科目 集成电路基础 包含：高等数学、微机原理、集成电路原理三部分，其中必答，和任选其一；考试科目 数字电路逻辑设计和计算机体系结构、微电子学基础，两门任选一门。微电子学基础包含：半导体物理、半导体器件物理，和任选其一。本专业在北京和 深圳各招收 100 人。根据考生初试、复试加权总成绩及个人自愿，确定上课地点（北京或深圳） 。详情请见北大研究生院主页电子与通信工程硕士招生简章。1 101 政治2 201 英3 331 集成 电路基础 4 463 数字电路逻辑设计和计算机体 系结构 、464 微电子学基础 考试科目 3： 33
3、1 集成电路基础 的参考书目序号 书名 作者 出版社出版时间版本号备注1 微型计算机原理及应用 李伯成 西电科技大学出版社 01、02、03 三本任选其一2 微型计算机原理及应用 王勇山 高等教育出版社 01、02、03 三本任选其一3 微型计算机原理及应用 周明德 清华大学出版社(第三版上册) 01、02、03 三本任选其一4 高等数学 上、下册 同济大学 高等教育出版社5 数字 CMOS VLSI 分析与设计基 甘学温 北京大学出版社考试科目 4 463 数字电路逻辑设计和计算机体系结构 、464 微电子学基础 参考书 目序号 书名 作者 出版社 出版时间版本号备注1 数字电路逻辑设计 王
4、毓银 高等教育出版社 Jan 1 1999 12:00:00:000AM2 计算机体系结构 郑纬民 清华大学出版社 Jan 1 1998 12:00:00:000AM3 半导体物理 刘恩科 国防工业出版社 Jan 1 2002 12:00:00:000AM4 半导体器件物理 曾树荣 北京大学出版社 Jan 1 2002 12:00:00:000AM二、两门专业课复习大纲（仅供参考）（一） 考试科目 集成电路基础 包含： 高等数学、微机原理、集成电路原理三部分，其中必答，和任选其一A 高等数学的参考复习内容： 参考书：高等数学上下册，同济大学，高等教育出版社。要求的内容为：第 1 章 全部第 2
5、 章 全部第 3 章 全部第 4 章 全部第 5 章 全部第 6 章 全部第 8 章 全部第 9 章 9.1, 9.2, 9.3第 11 章 11.1, 11.2, 11.3, 11.4, 11.5第 12 章 12.1, 12.2, 12.3, 12.4, 12.9, 12.10B 微机原理的参考复习内容：参考书：微型计算机系统原理及应用，周明德，清华大学出版社，第三版（上册）第一章：第二、三、六节第二章：全部第四章：第一、二、三节第五章：第一、二、三节第六章：第一、二、四节第七章：第一、二、三、四、五节第九章：第一、二、四节C 集成电路原理参考复习内容：参考书：数字 CMOS VLSI 分
6、析与设计基础，甘学温，北京大学出版社，1999，2002 年 12 月第 1 次修订1. MOS 晶体管的工作原理。（参考书第一章，不要求 1.2.3、1.2.4、1.3.3 节以及电荷守恒电容模型的内容）2. CMOS 集成电路工艺流程和寄生效应。 （参考书第三章 3.2 和 3.3 节内容）3. CMOS 反相器。 （参考书第四章，不要求 4.5 和 4.6 节内容）4. 静态 CMOS 逻辑电路分析与设计。 （参考书第五章，不要求 5.7.4 和 5.8 节的内容）5. 动态 CMOS 电路的工作特点和优缺点，几种类型动态 CMOS 电路的结构和工作原理。（参考书第六章 6.1、6.2、
7、6.3.1 和 6.4 节的内容）6. 双稳态电路的工作原理，几种触发器的功能和基本结构。（参考书第六章 6.6 节内容，不要求 6.6.4 的内容）7. 输入、输出缓冲器。 （参考书第七章，不要求 7.2 和 7.4 节的内容）（二）考试科目 数字电路逻辑设计和计算机体系结构、微电子学基础，两门任选一门。微电子学基础包含：半导体物理、半导体器件物理，和任选其一。以下是数字电路逻辑设计和计算机体系结构的参考复习内容：参考书：数字电路逻辑设计（脉冲与数字电路 第三版） ，王毓银，高等教育出版社第 2 章：全部第 3 章：3.5 节第 4 章：全部第 5 章：全部第 6 章：全部第 7 章：全部第
8、 8 章：8.1、8.2、8.3、8.4 节第 9 章：全部参考书：计算机系统结构（第二版）郑纬民 汤志忠，清华大学出版社第一章：1.4 节第二章：全部第三章：3.3 节第四章：4.1、4.2 节第五章：5.1、5.2 节第六章：6.1、6.2、6.3 节第八章：8.2 节以下是微电子学基础中 A 半导体物理 的参考复习内容：参考书：半导体物理学，刘恩科 等，国防工业出版社1半导体中的电子状态1.11.21.31.41.62. 半导体中杂质和缺陷能级2.13. 半导体中载流子的统计分布3.13.23.33.43.64. 半导体的导电性4.14.24.34.45. 非平衡载流子5.15.25.3
9、5.4 (一般要求，只要求知道各种复合的物理过程，不要求掌握具体的物理分析)5.65.75.86. p-n 结6.16.2 (1 和 2 中的主要内容，主要包括各种偏置下的能带图和 I-V 特性表达式)6.3（不要求具体推导）6.4 (各种击穿的物理机制，不要求掌握具体推导)6.5 (隧道效应现象和特征)7. 金属和半导体的接触7.17.28. 半导体表面与 MIS 结构8.18.28.38.4 (一般概念要求)8.5（一般概念要求）9. 异质结9.1 (1. 异质结能带图)9.39.4以下是微电子学基础中 半导体器件物理 的参考复习内容：参考书：半导体器件物理基础，曾树荣，北京大学出版社，2002年，1. PN结直流特性和交流小信号特性，电荷存储和反向恢复时间，PN结击穿。(参考书第二章内容) 2双极型晶体管的工作原理，直流，频率和开关特性，Ebers-Moll 模型， Gummel-Poon 模型，异质结双极晶体管。 （参考书第三章，不要求 3.7,3.8 节的 内容 ）3. MOS 结构的基本性质，MOS 晶体管的直流特性，频率特性。 （参考书第五章 5.1和 5.2 的内容）4. MOS 短沟道效应, MOS 短沟道器件结构， （参考书第五章 5.3 内容）
