1、文库下载 免费文档下载http:/ BiCMOS 集成施密特触发器一种高速低耗全摆幅!“#$%*67289):6428;?)（1,7%“-./* ,$-%,%$.，?）9AB=CD（!“#$%$）=,737：4=IJKHHL，F()* ,-OIP)QQQN)HN，OIQIHKIQFTPLHJ)=L)QJJKHHLHGH=NHOIHJ“$Q)PHJHN.V)QIQIHJHOINOQHN)JQ)OJ，QI)JLHG)OH)JGHNTJD)Q?FHRIJKHHL，FH=LF?.21 314,56-7“14-DD#：!/#6及鉴幅等。图“所示的* ,-施密特触发器，以其:/ 5#年代后期国际市场文库下
2、载 免费文档下载http:/ 119 施密特触发门。因为 119 产品比电流驱动能力强，加之 119 产* ,-产品速度快、品的电源电压固定为/0，所以使 119 产品组成的7,高速系统功耗及电源电压等级居高不下，影响了整个系统的性能!价格比。为了解决这一问题，现提出一种新的“#$%施密特触发电路，它在速度上可与（!C7） （*8,/文库下载 免费文档下载http:/ 。这时，回程电压传输特性曲线约在=/8?“处发生跳“#$%电路。基于这种符合“#$%电路设计原则的新技术，也立足于尽快研制出全新的、实用的电子器件，本文先分析一个一体化的* ()$施密特触发门，进而设计出一种新颖的* ()$施密
3、特触发电路，供业界在开发新品时多一种选择，为提高性能!价格比提供参考依据。图,()$施密特触发器- ./,0()$1http:/ 4445 657* ()$施密特触发器!/“滞回特性分析一种* ()$施密特触发电路及其电压传输特性分别如图 7 和图 8 所示。该电路由一个* ()$反相器和一个()$闩锁电路（它用两个()$反相器 9,、97 首尾交叉连接而成）所组成。若设电源电压!:;,/压设为=/8“外，其余()$管的开启电压均设为=/8?“，文库下载 免费文档下载http:/ 8 中实线。由图可知，该电路的上限门槛电平“为“:;#!“=?$“=?） （）式（8）、式（9）表示的上、下拉延时
4、之所以近似，是因为实际上还需考虑单极型管 A是单、双极型器件的有机结合，所以设计时需在给定芯片面积下，对单、双极型两种器件尺寸进行折衷考虑，以实现电路结构上的优化设计，使“:;得到减小!D8， 。如果图!电路设计合理，选取参数恰文库下载 免费文档下载http:/ http:/ 流增益!7 取大，但因!7 取不大，故应控制双极型晶体管 A9 或 A的响应速度，避免其深度饱和。因此在工艺上除了采取埋层和集电区深扩散外，还可在集电结和发射结加接低电压、低电流的钳位二极管（或肖特基势垒二极管） 。另在下拉时可增设一个有源泄放回路，以便快速抽走A9 或 A管内的存储电荷2新型的“#$%?(在工作频率“9
5、:;%的条件下，将所设计的“#$%;软件分别对它们进行了仿真研究，所得到的数据汇总于表之中。表“#种结构施密特触发电路的速度、功耗对比表$%*:EC;*!;V;*BVCL153O,- 4I.7?8# 4?/ M.-8%8MSU:E;B*;C*!C*;WV!:;*;C笔者所设计的图 C 电路，可在低压、低耗下工作，其信号传输延时十分理想（%?M 仅为:*V4I） ，尤其适用于低电压等级、低功耗且对开关速度要求较高的应用场合，例如数字通信及无线通讯系统中。随着 XY 工艺技术和设计方法的日趋成熟和完善，低压、低功耗将成为 XY 集成器件的重要研究课题。而在低压、低功耗以及性http:/ 能,价格比
6、等方面，因而“#$%;文库下载 免费文档下载http:/ 56,7（奥地利）H/ /3Z 著，模拟的小尺寸 89,器件模型：理论与实践，北京：科学出版社，:WWW考文献立主编*电子技术，北京：北京理工大学出版社，（下转第“!:页）IA值较高时，!“#对脉冲延迟的反应不明显。通过对本文提出了一种$%5?；!“（）：7:G4E97.=2/34E.05K.0966.$“9:6G43*，,4E9/B，*/G=E:596#!197945M9R9/.2?；“%（A）：HAA!358=J=CG“，!G58=MGT，TG!张荣标（(F.4EN3G.）男，=）男，工学&H年生，硕士学位。&P 年 H 月毕业于太
7、原理工:/ 成立（L,FX3）男，工&A年生，大学计算机系，曾参加过多项科研项目，发表研究论文&?篇。现任江苏大学讲师。学硕士学位，现任江苏大学教授，电子与信息工程系副主任。主要研究方向为电子技术应用文库下载 免费文档下载http:/ B3L!)*技术，多项科研成果获部、省级科技进步奖，已发表研究论文 Q?余篇。述 1 半导体技术， （Q）：?&；#%&_I，A$成 AQ子学研究与进展， （$）：&P；!&IHI_IHP-G4EL*，Y=G4*Y，T=.*Y1 =/V8K34EB3L!)*7:4M9M）一种高速低耗全摆幅 BiCMOS 集成施密特触发器作者：作者单位：刊名：英文刊名：年，卷(期
8、)：被引用次数：成立， 张荣标， 李彦旭， 董素玲成立,张荣标,李彦旭(江苏大学电气信息学院,镇江,212013)， 董素玲(徐州建筑职业技术学院机电工程系,徐州,221008)固体电子学研究与进展RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS2003，23(2)12 次参考文献(6 条)1.成立 电子技术 2000文库下载 免费文档下载http:/ N.张兴.李映雪 用于 VLSI 模拟的小尺寸 MOS 器件模型-理论与实践 19993.成立.李彦旭.李春明 开发 LSI DAC 新品的技术综述期刊论文-半导体技术 2001(06)4.成立 基于
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10、玲.伊廷荣.植万江.范汉华.王振宇 0.18m CMOS 施密特模数光电变换器期刊论文-半导体光电 2008(4)4.王玲.成立.伊廷荣.植万江.范汉华.王振宇 两种低压高速 BiCMOS 开关电流存储器期刊论文-半导体技术 2008(7)5.成立.朱漪云.王振宇.刘星桥.祝俊 高速低耗 BiCMOS OC 门及其线与逻辑系统期刊论文-江苏大学学报（自然科学版） 2007(2)6.成立.王振宇.张兵.武小红 三种低压高速低耗 BiCMOS 三态逻辑门期刊论文-固体电子学研究与进展 2006(2)7.成立.王振宇.朱漪云.刘合祥 制备纳米级 ULSI 的极紫外光刻技术期刊论文-半导体技术 200
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