1、第五次作业4.14、改正图题 4.14 所示 TTL 电路的错误。 如下图所示：解答：(a)、 ， A,B 与非输出接基极，Q 的发射极接地。从逻辑上把 Q 管看作单管BAY0禁止门便可得到 。逻辑没有错误！若按照题干中所示接法，当 TTL 与非门输出高电平时，晶体管 Q 的发射结要承受高压，必然产生巨大的电流。为了不出现这种情况，可以在基极加一电阻或者在发射极加一二极管。但发射极加二极管后会抬高输出的低电平电压。所以只能在基极加一大电阻，实现分压作用。另外一种方法是采用题 4.15（a）图中的 A 输入单元结构。（2）设有三个集电极每个都接到一个负载门上，试计算 C1 处的 VOH 和 VO
2、L;解答：晶体管参数默认取值为 ，mVVRNPCESESB 50(6040 本 征 饱 和 压 降 ），RCS 忽略不计。（1） 、C1 接负载门的情况当 A 输入是高电平时输出 C1 是低电平，后级输入管截止，当前级的 NPN 管饱和导通。由于 C1 的负载是同类的反相电路，后级 PNP 管处于临界饱和状态，C1 的低电平 VOL=VCES-NPN（当前 NPN 管的本征饱和压降）I EREV CB-PNP (PNP 管临界饱和下的集电极基极电压) I ERE。所以 VOL=50+12mV当 A 输入是低电平时输出 C1 是高电平，后级输入管饱和导通，当前级的 NPN 管截止。由于 C1 的
3、负载是同类反相电路，后级 PNP 管处于深饱和状态，C1 的高电平 VOH=VBE-NPNI BRB0.7V(2)、三个集电极输出 C1,C2,C3 都接到一个负载门当输入 A 为低电平时，当前 NPN 管截止，C1,C2,C3 各自的 PNP 管电流灌如各自的 NPN管，对逻辑高电平没有影响。V OH（多负载输出）= VOH（单负载输出） 0.7V当输入 A 为高电平时，当前 NPN 管要吸收三个 PNP 管集电极注入的电流，NPN 管，忽略 PNP 管临界饱和与深饱和带来的共基放大倍数的影响。NPN 管正常条件41下集电极承载的最大电流为 40A10A3。V OLV CES-NPN（当前 NPN 管的本征饱和压降）I ERE=50mV+40A600=74mV6.4、A、B、C、D 为四个变量，设计一个 I2L 电路以实现“与或非”的电路功能，即YD电路图略6.5、试设计一个简单的 I2L 电路以完成 3 输入变量 A、B、C 的逻辑功能CAFB21和 ，电路图略6.6、试用 I2L 电路画出 的电路图CDABFCDABF电路图略6.7、给定一个由 6 个 I2L 门组成的网络的版图，如图题 6.7 所示，通过变换这些门的位置去减少高度。假定在每个门的矩形中，集电极对基极距离相等，则图题 6.7 所示的网络的版图高度是 5这次作业电子版的图太难画了，什么时候给大家一个书面版的！
