1、http:/www.hxtb.org 化学通报 2006年 第69卷 w025 近场光存储及材料 张智1,2刘学东1赵福群1张复实1*(1清华大学化学系 有机光电子与分子工程教育部重点实验室 北京 100084 2江西省赣州市公安消防支队 赣州 341000) 摘 要 近场光存储技术是用来提高存储密度的最有效手段之一。本文对近场光存储的概念、近场存储系统的发展、存储工艺以及存储介质进行了分类比较，并对所存在的问题进行了探讨，综述了近几年来近场光存储的研究和应用工作，讨论了其发展前景和有关的研究方向。 关键词 近场光存储 热致模式 光致模式 光存储材料 Progress in Optical N
2、ear-field Recording and Materials Zhang Zhi1, 2, Liu Xuedong1, Zhao Fuqun1, Zhang Fushi1*(1Key Laboratory of Organic Optoelectronics & Molecular Engineering of Ministry of Education, Department of Chemistry, Tsinghua University, Beijing 100084 2Fire Department of Ganzhou City of Jiangxi Province, Ga
3、nzhou 341000) Abstract Technology of near-fielding recording is one of the best ways to promote the storage density. In this paper, comparisons among the concept of near-field recording, the progress of near-field recording system, the technology of optical recording and the storage materials will b
4、e made. And then, the successes which were made in the research works were reported and the problems which slow up the development of near-field recording were also discussed. Finally, the trends of the near-field recording and the materials were described. Key words Near-field recording, Heat-mode,
5、 Optical mode, Optical recording materials 随着计算机和互联网的不断发展，管理数据和大容量数据存储的需求呈指数连续增长1，从而对高密度大容量光盘的需要也越来越迫切。因此，许多研究工作者为提高光存储的记录密度已经作了诸多尝试和努力，并提出了各种提高记录密度的方法：减小记录光斑的直径(使用较短波长激光或超分辨率光盘方法27)、三维记录(多层记录810和多波长记录1113)和提高编程水平，其中减小记录光斑直径大小的一种方法就是使用近场光存储技术1422。 在传统光存储中，由于记录密度会受到记录光的衍射极限和数值孔径NA的限制，其记录光斑大小一般都大于记录光的
6、波长。然而在近场光存储中，当光源无限接近记录介质的表面时(二者间的距离小于光的波长，就视为近场光存储)，那么光斑的大小就完全取决于光源的直径和光源与介质表面间的距离2329，突破衍射极限，所以其记录密度就不会受到光的衍射极限和数值孔径NA的限制，从而可以实现超高密度大容量信息的存储。 本文从近场光存储的概念、工艺方法、存储介质和存在的问题等方面综述近年来近场光存储的研究和应用工作，并讨论其发展前景和研究方向。 1 近场光存储的概念及内容 近场光存储是将近场光学用于提高信息存储密度的一项新技术，其基本原理是：根据近场光学原理，利用锥尖光纤探针等光学器件对光源进行聚焦；借鉴硬盘的磁头浮动技术，采用
7、光学头浮动技术缩小光源和记录介质之间的距离，因此显著提高光盘的寻道速度。 张智 男，28岁，硕士，现从事有机光电功能材料和光存储的研究。*联系人，E-mail: 国家自然科学基金(20333080, 20572059)资助项目 2005-08-08收稿，2005-10-15接受 http:/www.hxtb.org 化学通报 2006年 第69卷 w025 2 早在20世纪初，Synge发表了一系列科幻论文3032，提出了设计一种新型的能够克服衍射极限的限制的光学显微镜。这些著名论文的主要思想为现代的近场扫描光学显微镜(SNOM)奠定了重要的基础，从而使近场光学得以迅速发展。其思想如图1所示
8、：在一不透明的屏幕上，开一个尺寸远小于光的波长的微孔，用高强度的光源从屏幕的背面照射，则通过微孔的光就会受到孔大小的限制。一旦小孔的位置非常靠近样品的表面，透过微孔的光就会在发生衍射之前而在样品表面成像。 图 1 Synge 的克服衍射极限限制的光学显微镜示意图 Fig.1 Schematic representation of synges idea for achieving subdiffraction limit spatial resolution 近场光学存储也是基于通过小于衍射极限光斑大小的小孔成像的思想而来的，如果微孔非常靠近记录介质的表面，光斑大小范围就完全取决于微孔的尺寸，
9、这一思想的最先解释是由Pohl等33在1984年提出的。Betzig等15说明了用近场光学可以获得小于衍射极限光斑的高潜力，他们使用波长为515nm的Ar激光，在Co/Pt多层膜中记录了约60nm(接近/9)的光斑区域。而Imura等34使用类似的方法，用波长785nm、功率15mW和脉冲宽度10s的激光，在介质磁光记录介质和相变记录介质中获得6080nm的记录光斑。这些工作的不足之处在于，尽管能够写入信息，但却很难获得令人满意的高数据传输速率。Terris等35,36通过测试具有高数据速率的真实磁光记录光盘对这项技术做了更深的研究，他们使用830nm的激光束，在保持介质浮动速度为1.25m/
10、s条件下获得360nm大小的记录光斑，记录密度为3.8108bit/cm2，数据传输速率为3.3106bit/s。此外，Ichimura等37提出了使用近场光学的选择方式；Kino等38,39研究了近场光学中使用SIL的不同方法；由此可见，近场光存储在提高记录密度，提高数据传输速率，以及在实际的存储应用方面有潜在的研发性，并有望取得更大的突破。 2 近场光存储的研究现状 2.1 工艺与方法 近场光存储技术的主要难点是光学头大小的控制和光学头与记录介质之间距离的控制。科学家们经过多年的努力，在解决这两个难点上提出多种多样的解决办法，逐渐应用在近场光存储上的体系有：近场光学扫描显微镜(SNOM)、
11、固体浸没透镜(SIL)、探针、原子力显微镜(AFM)、高功率激光、垂直腔表面发射激光二极管阵列(VCSEL)、近场光刻法，以及近年来发展起来的超分辨率近场结构(Super-RENS)。对于这些工艺方法的研究，已有不少的报道，下面对此分别简要评述。 Betzig等15使用扫描近场显微镜(SNOM)的光纤探针在磁光材料薄膜上获得了约60nm分辨率的记录点，以及约7109bit/in2的数据存储密度。但是这种存储方式的问题在于：由于材料表面的粗糙，所以光学探针极易损坏，还有数据传输速率太低以及复杂的间隙控制等。于是，Suzuki等41提出了使用固体浸没透镜(SIL)近场磁光记录，并给出了以TbFeC
12、o/Pt为记录材料的多层存储介质的磁场和http:/www.hxtb.org 化学通报 2006年 第69卷 w025 3 磁光特性，这种方法是通过使用高数值孔径的固体浸没透镜来减小记录光斑的直径，理论上可以达到的光斑直径是125nm，相应的存储密度为6.2109bit/cm2 36，缺点是光学头的结构比较复杂，光学头的飞行控制系统比较复杂且难以实现，光学头底面积大使得和盘片的碰撞几率增大7274。 随着SNOM和SIL近场存储方案不断发展，探针型近场方案的研究也受到了相应的关注。1995年，Mamin等42研究了使用探针技术的高密度数据存储；1999年，Vohnsen等43阐述了近场光探针的
13、特性，研究和比较了四种不同近场光探针(三种非涂层探针和一种Al涂层小孔探针)的激发和收集的性质；1999年Myung 等44提出了一种更为新颖的光头硅平面孔探针阵列，他们用光刻蚀和硅晶片的湿浸蚀方法，制造出孔径为100nm的探针阵列，在每一个孔上安装玻璃半球显微透镜，可提高16倍的光传输效率。与传统纤维探针相比较，在近场存储方面孔探针阵列具有读出数据传输速率高以及较好的机械耐用性。1998年Goto47提出了一种超高密度光学光盘系统。该系统使用垂直腔表面发射激光(VCSEL)二极管阵列作为平行光束源，从而使光盘系统能够更加有效地提高数据传输速率和从每一激光腔发射出的渐消波的位密度。这种高密度光
14、学光盘系统的技术要点是：(1)采用使用一个二维VCSEL阵列的平行光学存储系统；(2)应用近场光学并精确控制光头与光盘之间的窄带(gap)；(3)若刻痕(tracks)间没有空间，可应用类似于VCSEL阵列(含有比写入光头多得多的元件)的电子刻痕误差检测方法。值得一提的是，尽管当微腔VCSEL激光阵列发展以后，使用光学光盘系统而非磁场光盘系统将可实现1012比特/吋2的超高密度光存储，但是在完成这种阵列之前，还必须发展这样一些关键技术：(1)检测光学光盘位(bits)的信号灵敏度增量方法；(2)开发具有较高记录灵敏度(尤其在红外区域)的光致模式介质的光学薄膜；(3)在垂直腔激光二极管中的渐消波
15、诱导窗口的超精度制造技术。 1999年Mamin等45报道了基于原子力显微镜(AFM)的高密度数据存储技术，该技术的核心是使用一末端带有尖锐针头的微制造悬梁式平衡杆(microfabricated cantilever)，设计了一个特别的AFM存储系统，得到6.51010bit/in2的面密度和大于107bit/s的数据返读速率。1999年Partovi等46阐述了高功率激光源近场光学在高密度数据存储上的应用，介绍了一种输出功率超过1mW、输出光束很小(50300nm的正方形)的应用高分辩率近场光学的激光源，信噪比和数据传输速率均有所增加。 以上论述的几种近场存储方式都是在改造光学头的制作上竭
16、尽全力，先后将光纤探针、固体浸没透镜和原子力显微镜等技术应用到了光学头上。机械的精密程度存在制作方面的极限，所以近期发展起来的的超分辨近场多层膜结构(Super-RENS)则成为实现近场存储的一种最有效的手段之一。Super-RENS是应用材料的性质来弥补在精密仪器的制作上所不能达到的效果。1998年Tanaka等48描述了能够实现超过光的衍射极限的超高分辨率的近场光刻蚀方法，其优点是：(1)可获得超过光衍射极限的超高分辨率；(2)不像传统硬玻璃-铬掩模(mask)那样，灵活的塑料复制模具可消除非平整表面上的光致抗蚀剂紧密接触的困难；(3)保持高生产率和低成本，可使用一次性复制模具；(4)曝光
17、装置简单经济。缺点是：(1)需要准备实际图案大小的原模，并且难以精确调节产生1:1的图案；(2)在模具不能紧密接触的粗糙表面上难以进行光致抗蚀剂的曝光。1999年Kuwahara等49提出了一种新的使用光学近场的光刻技术，在6m/s的恒定线速和约为400r/min的条件下，用365nm的汞灯曝光光致抗蚀剂膜和635nm半导体激光产生小光孔，可在超分辨率近场结构(Super-RENS)光盘上旋转涂抹的光致抗蚀剂膜中产生窄沟。调节激光功率，可在光致抗蚀剂膜中产生半高峰满宽度(FWHM)小于200nm的窄沟。这种超分辨率近场结构(Super-RENS)技术的优越之处不需任何光学头和力控制，制造系统简
18、单且样品极少损坏。因此，这种使用超分辨率近场结构(Super-RENS)的新技术对光学数据存储和用于集成电路和未来纳米技术的亚纳米制造业都具有极大的潜在应用前景。 http:/www.hxtb.org 化学通报 2006年 第69卷 w025 4 2.2 材料 光记录材料从磁光材料到光子型材料，从无机材料到有机材料，品种繁多。按材料不同，可分为金属薄膜、硫族元素薄膜、类硅元素薄膜、多元合金薄膜和有机薄膜等；按功能区分，可分为可擦重写的薄膜和不可擦重写的薄膜；按刻写机理不同，可以分为烧蚀、绒面-镜面、鼓泡、共晶、散粒和相变材料；按记录原理区分，可以分为热致模式记录介质(Heat-mode rec
19、ording media)和光致模式记录介质(Photo-mode recording media)50。 现在用于近场光记录的存储介质包括磁光和相变介质15,17、共轭聚合物20、含光致变色化合物的Langmuir-Blodgett聚合物膜16,19和非晶态光致变色膜19。在这些记录介质中，磁光和相变介质大多属于热质模式的无机材料，光致变色薄膜大多属于光致模式的有机材料。 2.2.1热致模式 利用磁光效应或相变材料作为光学记录的无机介质已被广泛研究51。这些介质是基于热致模式的光学记录方法，在记录介质的表面上，光能转变成热能而进行记录，其记录密度(或记录光斑的大小)取决于记录激光的波长52。
20、在磁光记录中，通过会聚激光束的加热作用，就会在非晶型稀土过渡金属膜上的垂直磁化区域写入信息；相变光学记录是基于利用会聚激光束在晶体薄膜上形成微小尺寸的非晶型光斑，非晶相和晶相具有不同的折射率，使得在读出时被反射的激光束具有不同的振幅和/或相调谐，从而可以在晶型和非晶型相之间发生可逆的转变时，信息就能被多次地写入和擦除。由于相变、多晶与非晶间的转变被考虑为激光热效应的结果，因而称为光致热感应材料50。用得最多的可重写相变记录材料可分为两类：GeSbTe和AgInSbTe合金，它们同属于半导体硫化物系。尽管许多硫族化合物薄膜都可以在热的作用下产生相变，推向应用的首先是玻璃化转变温度低和导热系数低的
21、材料。相变材料在记录信号时并不发生材料的宏观机械位移，便于应用密封层，同时也易于控制光斑的尺寸。一般来说，应用于热致模式的记录介质，大多为无机材料，如表1所示。 表 1 常用无机热致模式近场光存储记录介质 Tab.1 Heating-mode recording media for near-field optics 记录介质名称 波长/nm 记录斑点直径或密度 参考文献 Ge2Sb2Te5635 81nm 53 Sb 365 635 180nm 49,54 AsSe 硫族元素化合物玻璃状薄膜(用于近场纳米尺寸写入) 633 125nm 55 Sb和SiN薄膜 635 60nm 56 Ag-I
22、n-Sb-Te相转移记录材料 680 635 0.34m/bit 0.27m/bit 5 Co/Pt多层膜 488 4.51010bit/in215 TbFeCo 780 429 2.5109bit/in21010bit/in258 在热致模式记录过程中，光的特征性质，如频率、相或偏振，不能被有效地利用。但基于存储介质光子激发的光致模式记录，在分辨率、写入速度和复合记录能力方面都要优于热质模式记录。 2.2.2光致模式 在光激发下，存储材料的激活中心的电子产生跃迁引起材料的物理、化学性质发生变化而达到光存储的目的，称为光致模式存储。它是一种材料吸收光子后不产生热效应而发生的光存储，有别于热致模
23、式存储方式。 用于光致模式可擦写记录介质的代表之一是光致变色材料，其特性表现为在合适波长光的照射下材料能可逆光致异构转化。因为它们潜在的高分辨率和灵敏度，这些材料已经被研究应用于高密度光学记录。最近又开发了具有完全适合作为存储介质的热稳定性和抗疲劳性要求的二芳基乙烯类http:/www.hxtb.org 化学通报 2006年 第69卷 w025 5 的光致变色材料。 1999年Kawata等59报道了在蓝光区域用光刻辐射聚氨酯-尿素共聚物(结构如图2所示)薄膜的表面改性，并讨论了表面改变所需的光强度和记录数据的热稳定性。由于这类薄膜不需要任何处理且表面变化是不可逆和热稳定的，同时还具有深度与光
24、能量之间的线性转换和曝光后能保持很高的光学透明度等优点，所以可用作全息记录、近场光记录和多层光记录的一次写光存储介质。 ONOONHNHONNNO22nNNONHNO n图 2 聚氨酯 -尿素二元共聚物结构示意图 Fig.2 Structure of polyurethane-urea bipolymer 1996年Hamano等19研究了光致变色薄膜上的可重写近场光存储，他们使用直径约100nm的超细光源，在二芳基乙烯类衍生物(结构如图3所示)记录介质上，用529nm的光照射下，记录100nm宽的光斑信号，再用300400nm的光进行擦除，从而实现了可重写光致模式的近场记录。 SSMeMeS
25、 SMeMeMe MeF2F2F2F2F2 F2图 3 Hamano 等所采用的二芳基乙烯类衍生物结构示意图 Fig.3 Structure of diarylethene derivatives prepared by Hamano et al 1999年Stellacli等60研究了基于二芳基乙烯(结构如图4所示)的光致变色可重写光存储在中红外区读出的可能性。他们用高选择性的强红外吸收带鉴定了二芳基乙烯衍生物的互变异构体，并讨论了用1,2-双-5-(4“-甲氧基苯基)-2“-甲基噻吩-3-基全氟代环戊烯的1495cm-1吸收带作为读出手段在实际应用上的主要技术和发展前景。 S SRRF2F
26、2F2图 4 Sellacli 等所采用的二芳基乙烯类衍生物结构示意图 Fig.4 Structure of diarylethene derivatives prepared by Sellacli et al SSOO图 5 周萘硫靛结构示意图 Fig.5 Structure of perinaphthothioindigo (NTI) 1999年Irie等61研究了在光致变色的周萘硫靛(Perinaphthothioindigo，NTI，如图5所示)薄膜上用荧光读出的可擦重写近场光记录，他们将NTI分散在聚苯乙烯膜上，使之发生可逆的反/顺光致异构化，并且仅有反式结构发射荧光。若用含有反式
27、结构的NTI分子的聚苯乙烯膜作记录介质，可http:/www.hxtb.org 化学通报 2006年 第69卷 w025 6 用633nm(孔直径约100nm)的光写入约110nm的黑斑(dark spots)；若用含有顺式结构的NTI分子的聚苯乙烯膜作记录介质，可用超细488nm的光(孔径约80nm)写入约50nm的亮斑(bright spots)且用633nm光扫描读出；黑斑和亮斑可分别用488nm和633nm光擦除。 另外，1999年Tsujioka等6264对近场光致变色存储的数据传输速率、记录密度极限和SNR(用荧光读出)作了理论上的研究。在灵敏度B=104、光致变色反应的量子产率B
28、A=0.1的记录介质中，当光源的功率密度为102W/cm2，记录过程中的数据传输速率约为1千比特/s，当功率密度变为105W/cm2，数据传输速率可增至超过106bit/s；应用Shannons信息理论研究了光致变色介质近场光存储的记录密度极限，获得传统记录密度极限为10111012bit/cm2，Shannons记录密度极限为10121013bit/cm2；分析了不同条件下受光斑噪声限制的信噪比SNR。在低写入功率或宽带宽条件下，通过亮斑记录(BSR)获得的SNR高于由黑斑记录(DSR)获得的SNR。在带宽W=1MHz和Pwrite10-8W条件下，仅有BSR才能获得足够高的SNR，并且其S
29、NR要比DSR的SNR大30dB。由此可见，对于用荧光读出的高密度近场光致变色存储来说，BSR是较好的方法。近场存储中的光子型有机材料的发展已经逐渐受到重视并且也被提到一定的高度上来了，并有望在实际应用中取代无机的磁光以及有机热致材料，在存储密度和响应速度上得到近一步的提高。 2.3 存在问题及材料要求 近场光存储技术目前正处于研究阶段，有许多问题尚未得到解决，例如，读出系统的能量传输效率、光学头的超低飞浮动、跟踪伺服系统的纳米级定位和数据传输速率偏低等，整个近场光存储技术还有待于进一步研究65。 对于记录介质方面，在用磁光或相变介质的热致模式记录中，由于介质的不规则热性质，被记录的极小光斑也
30、是呈不规则形状，从而导致热致模式记录介质存在一个分辨率极限。因此，光致变色化合物的光致模式记录是具有高分辨率和高灵敏度的近场记录的更为优越的方法。用于光致模式的光致变色记录的缺陷之一是由于重复的读出操作会使被记录的信息受到损坏。为了解决这个问题，现已提出几种读出方法。 (1) 使用不能被光致变色材料吸收的读出光源。通过光学性质改变，诸如双折射或旋光方式而写入的信息，可以用比光致变色材料吸收带波长稍长一些的光读出。 (2) 使用具有门控光化学反应的光致变色材料。门控反应的特征是用任何波长的辐射都不能引起光化反应，而当另一外界刺激(诸如热、电场或化学试剂)存在时又发生反应。 但是，这两种方法均存在
31、这样的问题：第一种方法由于读出光不能分辩不同光致变色材料而失去了多波长记录能力；第二种方法用的光致变色化合物又很难合成。 (3) 1994年Tsujioka等66提出了一种新的使用超低功率激光的读出方法，这种方法为实际应用提供了足够的读出重复性。 光致变色材料的另一缺陷是对光和热的不稳定性，需要通过改变材料的结构或者掺入某种基质材料来改进。 尽管如此，但由于光致变色化合物具有很好的分辨率、灵敏度和多重复合记录能力，所以是被用作高密度近场光存储介质很有潜力的材料。 除此之外，用作光记录介质的有机染料还有这样几类：花菁染料具有较高的吸收率、反射率和载噪比，但是其光稳定性差，易被单线态氧所氧化；酞菁
32、染料具有高的共轭结构、较好的热和化学稳定性以及良好的光学性质，但是其反射率较低，写入功率高；偶氮染料具有良好的光学性能、热稳定性、溶解性和制备方法简单等优点，特别是偶氮类染料具有短的吸收波长，有望作为高密度光http:/www.hxtb.org 化学通报 2006年 第69卷 w025 7 盘存储材料。 用作可擦除记录介质的化合物需要满足几个要求：档案存储能力(热稳定性)；低疲劳性(循环多次利用而无显著的性能损耗)；在二极管激光波长下的灵敏度；高灵敏度和快速响应；非破坏读出能力。 对于超高密度近场光存储的介质而言，除了满足以上几个要求之外，由于记录密度很高，而记录面积很小，该区域内所含的分子数
33、较少，所以要求作为记录介质的化合物具有相当高的分辨率、灵敏度和量子效率，否则被记录区域就会因分子数波动较大和SNR变得太小而无法使用。用作超高密度光盘材料的具体要求，干福熹院士作了具体归纳67：(1)光学常数(吸收、反射、折射率)使用于蓝绿光范围存储；(2)单波长激光记录、读出和擦除；(3)清晰和稳定的亚微米(200nm)的记录点，读出次数105；(4)使用于光学超分辨率记录和读出的多层膜结构；(5)记录/擦除次数103；(6)快速响应，记录/擦除时间10年。 3 近场光存储的发展方向及前景 与磁存储技术相比，光存储技术具有存储寿命长、非接触式读/写和擦、信息的载噪比高和信息位的价格低等优点。
34、目前光存储技术的发展是由远场光存储到近场光存储；由二维光存储到多维光存储；由光热存储到光子存储。从光的远场记录发展到近场记录是超高密度光存储技术的主要途径67。另外，提高存储密度和数据传输速率也一直是光存储技术的主要发展目标，同时性能的多功能性，即不仅能读出、记录，而且能实现可擦重写，也是其发展方向。 1999年Goto68评述了近期提高RAM光盘存储密度的工业技术，包括磁场超分辩率方法、相变光盘的超分辩率方法、蓝激光二极管、近场光学和光致变色存储，并从提高光盘的位密度、光学头的位密度和光致模式存储三个方面对各种具体方法进行了评价，并指出VCSEL和近场光学的应用会带来极高容量和高数据传输速率
35、的光存储技术的长足发展。 1998年Mitsuhashi69以光存储的科学和工艺为主题，从存储需求的增长，应用范围的扩大、记录密度极限、科学和工艺进展等几方面讨论了关于存储级系中的光动力随机存取(ORAM)技术的可能性，并指出将来1011bit/in2的高密度光存储和细小光斑读写将变得非常重要。 笔者所在的研究组在采用二芳烯类光致变色化合物作为近场存储材料方向取得了一定的进展75。这类新型二芳基乙烯类光致变色化合物在溶液或薄膜中均可保持良好的光致变色性能，并且开环态(无色态)和闭环态(呈色态)均具很好的化学和热稳定性、显著的抗疲劳性、较高的环化量子产率和很好的灵敏度等优越性能，已用于Super
36、-RENS多层膜结构盘片和近场超高密度可擦写试验阶段。 在光存储的发展道路上，要真正解决超高密度存储、超快速响应等主要问题，探索新的超高密度的光盘存储介质仍然是关键。由于有机光存储材料具有存储密度高、可实现分子记忆、热导性小、信噪比大、熔点及软化温度低、有较高的记录灵敏度、分子结构的可调性大等优点7072，因此开发适于光致模式的超高密度近场光存储的有机介质是大势所趋，且具有强大的应用前景。本组也在积极开发超高密度近场光存储的记录材料。 4 结束语 随着信息的急剧增长，对数字化信息存储也提出了越来越高的要求：既要满足高存储密度、高数据传输速率、高存储寿命和高擦写次数，又要具有简单经济的设备和低价
37、格信息位的优势。因此，近场光存储将是最有前途和最具潜力的高密度光学存储技术之一。尽管将其应用于实际生产还存在诸多困难，占据市场主导地位更有一段相当长的距离，尤其是在2000年以后的几年里，由于受到材料本身的限制，近场光存储方面的研究并没有什么新的突破，但通过科研工作者的不断努力，在不http:/www.hxtb.org 化学通报 2006年 第69卷 w025 8 久的将来，一定可以实现这种能够满足超高密度、大容量和快速存取信息需求的技术。 参考文献 1 Y Mitsuhashi. Jpn. Appl. Phys., Part 1, 1998, 37(4B): 20792083. 2 A Fu
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