1、1/2深圳市灿升实业发展有限公司ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. TO-126OOO Plastic-Encapsulate TransistorsD882 TRANSISTOR (NPN)FEATURESPower DissipationMAXIMUM RATINGS(TA=25 unlessotherwisenoted)Symbol（符号） Parameter（参数名称） Value（额定值） Units（单位）VCBO Collector-BaseVoltage （集电极 -基极电压） 40 VVCEO Collector-E
2、mitterVoltage （集电极 -发射极电压） 30 VVEBO Emitter-BaseVoltage （发射极 -基极电压） 6 VIC CollectorCurrent-Continuous （集电极电流） 3.0 APC CollectorPower Dissipation （耗散功率） 1.25 WTj JunctionTemperature （结温） 150 Tstg StorageTemperature （储存温度） -55-150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25 unlessotherwisespecified)Parameter（参
3、数名称） Symbol（符号） Test conditions（测试条件） MIN（最小值 ） TYP（典型值 ） MAX（最大值） UNIT（单位 ）Collector-basebreakdown voltage集电极 -基极击穿电压 V(BR)CBO IC=100A,IE=0 40 VCollector-emitterbreakdownvoltage集电极 -发射极击穿电压 V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 30 VEmitter-basebreakdownvoltage发射极 -基极击穿电压 V(BR)EBO IE=100A,IC=0 6 VCollectorcut-offcur
4、rent集电极 -基极截止电流 ICBO VCB=30V,IE=0 1 ACollectorcut-offcurrent集电极 -发射极截止电流 ICEO VCE=25V, IB=0 10 AEmittercut-offcurrent发射极 -基极截止电流 IEBO VEB=5V,IC=0 1 ADCcurrentgain直流电流增益 hFE VCE=2V,IC=1A 100 400DCcurrentgain直流电流增益 hFE VCE=2V,IC=20mA 80Collector-emittersaturationvoltage集电极 -发射极饱和压降 VCE(sat) IC=2A,IB=200mA 0.5 VBase-emittersaturationvoltage发射极 -基极饱和压降 VBE(sat) IC=2A,IB=200mA 1.2 VCLASSIFICATION OF hFERange 100-200 200-300 300-400TO-1261. EMITTER2. COLLECTOR3. BASE 1232/TypicalCharcteristics D82
