1、广州市世源气体有限公司 http:/ 常用电子混合气 g3电子混合气体广泛用于大规模集成电路（L.S.I）超大规模集成电路（V.L.S.I）和半导体器件生产中，主要用于气相外延（生成）、化学气相淀积、掺杂（杂质 扩散）、各类蚀刻和离子注入等工艺中。下面介绍几种常见的电子混合气体。 g31. 外延生长用混合气体 g3外延生长是一种单晶材料淀积并生产在衬底表面上的过程，在半导体工业 中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层材料所用的 气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅、四氯化硅和硅烷等。主要 用于外延硅淀积，多晶硅淀积，氧化硅膜淀积，氮化硅膜淀积，太阳能电池和其 他
2、光感器的非晶硅膜淀积等。常见外延混合气体组成列于表1。 表1 序 号 组 分 气 体 平 衡 气 g20g3g3g3g21g3g3g3g22g3g3g3g23g3g3g3g11801g9931g708g54g76g43g23g709g3g3g3g8707g2282g11801g708g54g76g38g79g23g709g3g3g3g1120g8707g1120g8694g11801g708g54g76g43g21g38g79g21g709g3g3g3g1069g11801g9931g708g54g76g21g43g25g709g3g3g3g8698g451g8701g451g8694g451
3、g8706g3g3g3g8698g451g8701g451g8694g451g8706g3g3g3g8698g451g8701g451g8694g451g8706g3g3g3g8698g451g8701g451g8694g451g8706g3g3g3g3g32. 蚀刻用混合气体 蚀刻就是将基g10267上g7092光刻g14026g6525g15121的g2164工表面（g3926g18341g4658膜、氧化硅膜等）蚀刻g6493，g13792g1363有光刻g14026g6525g15121的g2318g3507g1457g4396下g7481，g1209g1427在基g10267表面上g
4、14731g5483所g19668要的成g1699g3282g5430。蚀刻方g5347有g9299法化学蚀刻和g5190法化学蚀刻。g5190法化学蚀刻所用气体g12228g1038蚀刻气体。蚀刻气体g17902常多g1038g8691化g10301气体（g2360化g10301类），g1375g3926四g8691化g11911、g989g8691化氮、 g989g8691g11014烷、g1857g8691g1069烷、g1852g8691g1005烷等。常见蚀刻气体列于表g21。 g3g3广州市世源气体有限公司 http:/ 表g21 材 质 组 分 气 体 平 衡 气 g19121g
5、708g36g79g709g3g3g3g19136g708g38g85g709g3g3g3g19088g708g48g82g709g3g3g3g19094g708g51g87g709g3g3g3g13870g3g3g11801g3g3g3g11801g708g54g76g709g3g3g3g19068g708g58g709g3g3g3g8707g11801g9931g708g54g76g38g79g23g709g451g3247g8707g2282g11911g11g38g38g79g23g12g3g3g3g3247g8707g2282g11911g11g38g38g79g23g12g3g3g
6、3g1120g8691g1120g8707g2282g11911g708g38g38g79g21g41g21g709g451g3247g8691g2282g11911g3g3g11g38g41g23g12g3g3g3g989g8691g989g8707g1069g9931g708g38g21g38g79g22g41g22g709g451g3247g8691g2282g11911g3g3g11g38g41g23g12g3g3g3g3247g8691g2282g11911g11g38g41g23g12g451g1069g9931g708g38g21g43g25g709g3g3g3g3247g869
7、1g2282g11911g11g38g41g23g12g3g3g3g3247g8691g2282g11911g11g38g41g23g12g3g3g3g8701g451g8698g3g3g3g8699g451g12366g8680g3g3g3g8699g3g3g3g8699g3g3g3g8699g451g8707g3g3g3g8699g3g3g3g8699g3g3g3g3g33. 掺杂用混合气体 g3g3在半导体器件和集成电路g2058g17908中，将g7588g1135杂质掺入半导体材料g1881，g1363材料g1867 有所g19668要的导电类g3423和一g4462的电g19471
8、g10587，g1209g2058g17908电g19471、g51g49g13479、g3487层等。掺杂工艺 所用的气体g12228g1038掺杂气。主要g2265g6336g11787烷、g11979烷、g989g8691化g11979、g1128g8691化g11979、g989g8691化g11787、g1128g8691化g11787、g989g8691化g11856和g1069g11856烷等。g17902常将掺杂g9316g994g17828g17745气体（g3926g8701气和氮气）在 g9316g7600中混合，混合g2530气g8981g17842g13505注入扩散
9、g9821g1881并g10627g13481晶g10267四g2620，在晶g10267表面g8797积上 掺杂g2070，g17839g13792g994硅g2465g5224生成掺杂g18341g4658g13792g5485g2172g17839入硅。常用掺杂混合气列于表g22。 表g22 类 g3423 组 分 气 g12244 g18334 气 g3803 注 g11856g2282g2524g10301g3g3g3g11979g2282g2524g10301g3g3g3g11787g2282g2524g10301g3g3g3g11814g2282g2524g10301g3g3g3
10、g1069g11856g9931g708g37g21g43g25g709g712g989g8707g2282g11856g708g37g38g79g22g709g451g3g3g9352g2282g11856g11g37g37g85g22g709g3g3g3g11979g9931g708g51g43g22g709g451g8707g2282g11979g708g51g38g79g22g709g451g9352g2282g11979g3g3g708g51g37g85g22g709g3g3g3g11787g9931g708g36g86g43g22g709g451g989g8707g2282g117
11、87g708g36g86g38g79g22g709g3g3g3g11814g2282g8694g708g43g21g54g72g709g3g3g3g8698g451g8701g451g8694g3g3g3g8698g451g8701g451g8694g3g3g3g8698g451g8701g451g8694g3g3g8698g451g8701g451g8694g451g3g8706g3g3g1867g7389g51g5430g5627g17148g3g3g1867g7389g49g5430g5627g17148g3g3g3g3g3广州市世源气体有限公司 http:/ g34. 化学气相淀积用混
12、合气体 g3化学气相淀积混合气体（g38Vg39）是g2045用g6393g2469g5627化合g10301，g17902过气相化学g2465g5224 淀积g7588种单质或化合g10301的一种方法，g2375g5224用气相化学g2465g5224的一种成膜方法。g1393g6466 成膜种类，g1363用的化学气相淀积（g38Vg39）气体g1075g993相g2528。表 g23 列g1998几类化学淀 积混合气的组成。 表g23 膜 的 种 类 混 合 气 组 成 生 成 方 法 g2334g4560g1319g14192g3g3g3g13489g13548g14192g3g3g
13、3g4560g11017g14192g3g3g3g11801g9931g708g54g76g43g23g709g14g8694g708g43g21g709g3g3g3g1120g8707g1120g8694g11801g708g54g76g43g21g38g79g21g709g14g8694g708g43g21g709g3g3g3g8707g11801g9931g708g54g76g38g79g23g709g14g8694g708g43g21g709g3g3g3g11801g9931g708g54g76g43g23g709g14g11014g9931g708g38g43g23g709g3g3g
14、3g11801g9931g708g54g76g43g23g709g14g8699g708g50g21g709g3g3g3g11801g9931g708g54g76g43g23g709g14g8699g708g50g21g709g14g11979g9931g708g51g43g22g709g3g3g11801g9931g708g54g76g43g23g709g14g8699g708g50g21g709g14g11979g9931g708g51g43g22g709g14g1069g11856g9931g708g37g21g43g25g709g11801g9931g708g54g76g43g23g7
15、09g14g8699g2282g1134g8706g708g49g21g50g709g14g11979g9931g3g708g54g76g43g23g709g3g3g1857g8691g2282g19068g708g58g41g25g709g14g8694g708g43g21g709g3g3g3g1857g8707g2282g19088g708g48g82g38g79g25g709g14g8694g708g43g21g709g3g3g3g38g57g39g3g3g3g38g57g39g3g3g3g38g57g39g3g3g3g12175g4388g8892g1849g38g57g39g3g3g
16、3g38g57g39g3g3g3g38g57g39g3g3g3g38g57g39g3g3g3g12175g4388g8892g1849g38g57g39g3g3g3g38g57g39g3g3g3g38g57g39g3g3g3g3g35. 离子注入用混合气气体 g3在半导体器件和集成电路g2058g17908中，离子注入工艺所用的气体g13491g12228g1038离子注入 g3气，g4439是g6238离子化的杂质（g3926g11856、g11979、g11787等离子）g2164g17907g2052g20652能g13435g10378g5589，g9994g2530注入 g3g205
17、2g20056g4462的衬底上。离子注入g6228g7427在g6523g2058g19412g1552电g2399方面g5224用g5483g7380g1038广泛。注入的杂 质g18339g2499g1209g17902过g8991g18339离子g7475电g8981g13792g8726g5483。离子注入气体g17902常g6363g11979g13007、g11787g13007和g11856g13007气 体。表5列g1998美国BOg38公司生产的部分离子注入用气体的g1375子g62g26g64。 g3g3广州市世源气体有限公司 http:/ 表5 气体种类 组分气含g18
18、339 g12244g18334气体 g2399力（Kpa） g11979g9931g708g51g43g22g709g3g3g3g11787g9931g708g36g86g43g22g709g3g3g3g24g8g3g3g3g20g24g8g3g3g3g24g8g3g3g3g20g24g8g3g3g3g8694g8680g708g43g21g709g3g3g8694g8680g708g43g21g709g3g3g8694g8680g708g43g21g709g3g3g8694g8680g708g43g21g709g3g3g21g26g17g25g24g3g3g21g26g17g25g24g3g3g21g26g17g25g24g3g3g21g26g17g25g24g3g3g3g3
