1、存储器类型 SRAM SSRAM RAM DRAM SDRAM MASK ROM OTP ROM ROM PROM EPROM EEPROM FLASH Memory RAM: Random Access Memory 随机访问存储器 存储单元的内容可按需随意取出或存入，这种存 储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。它 的特点就是是易挥发性（nonvolatile ） ，即掉电失忆。 ROM: Read Only Memory 只读存储器 ROM 通常指固化存储器 (一次写入，反复读取) ，它的特点与 RAM 相反。 注意： 我们通常可以这样认为， RAM 是单片机（
2、MCU）的数据存储器（这里的数据包括内部数据存储器（用户 RAM 区，可位寻址区和工作组寄存器） 和特殊功能寄存器SFR） ，或是电脑的内存和缓存，它们掉 电后数据就消失了（非易失性存储器除外，比如某些数字电位器就是非易失性的） 。 ROM 是单片机的程序存储器，有些单片机可能还包括数据存储器，这里的数据指的是要保存下 来的数据，即单片机掉电后仍然存在的数据，比如采集到的最终信号数据等。而 RAM 这个数据存储器只是在单片机运行时，起一个暂存数据的作用，比如对采集 的数据做一些处理运算，这样就产生中间量，而 RAM 这个数据存储器就是来暂时存取中间量的，最终的结果要放到 ROM 的数据存储器中
3、。 （如下图所示） ROM 在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速的随时修改或重新写入数据。它的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不 会丢失。缺点是只适用于存储那些固定数据的场合。RAM 与 ROM 的根本区别是 RAM 在正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读取数据。 SRAM: Static RAM 静态随机访问存储器 它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新 电路即能保存它内部存储的数据。不像 DRAM 内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对 DRAM 刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此 SRAM 具有较高的性能，但是 SRAM 也有它的缺点，即它的集
4、成度较低，相同容量的 DRAM 内存可以设计为较小的体积，但是 SRAM 却需要很大的体积，所以在主板上 SRAM 存储器要占用一部分面积。 优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较 大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 DRAM: Dynamic RAM 动态随机访问存储器 DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据， DRAM 使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（ refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 详细讲解： 既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中） 的数据和程序，那么
5、它是怎么工作的呢？我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即 DRAM） ，动态内存中所谓的“ 动态” ，指的是当我们将数据写入 DRAM 后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个 DRAM 的存储单元存储的是 0 还是 1 取决于电容是否有电荷，有电荷代表 1，无电荷代表 0。但时间一长，代表 1 的电容会放电，代表 0 的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的 1 2，则认为其代表 1，并把电容充满电；若电量小于 1 2，则认为其代表 0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。 注意
6、： DRAM 存储 单元的结构非常简单，所以它所那个达到的集成度远高于静态存储器。但是 DRAM 的 存取速度不如 SRAM 快。 SSRAM: Synchronous Static RAM 同步静态随机访问存储器 同步是指 Memory 工作需要时钟，内部的命令的发送与数 据的传输都以它为基准，随机是指数据不是线性依次存储，而 是由指定地址进行数据读写。 对于 SSRAM 的所有访问都在时钟的上升 /下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。这一点与异步 SRAM 不同，异步 SRAM 的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。 SDRAM: Synchronous
7、 Dynamic RAM 同步动态随机访问存储器 MASK ROM:掩模只读存储器，是制造商为了要大量生产，事先制作一颗有原始数据的 ROM或 EPROM 当作样本，然后再大量生产与样本一样的 ROM，这一种做为大量生产的 ROM 样本就是 MASK ROM，而烧录在 MASK ROM 中的资料永远无法做修改。 OTP ROM: one-time programmable ROM ：一次性可编程只读存储器 PROM: Programmable ROM 可编程只读存储器，内容一经写入以后，就不可能修改了，所以只可以写入一次 EPROM: Erasable Programmable ROM 可擦除
8、可编程只读存储器，用紫外线照射进行擦除，高压编程写入（+21V 或 +12V） EEPROM: Electrically Erasable Programmable ROM 电信号可擦除可编程只读存储器，用电信号擦除。 FLASH Memory: 闪存，电信号可擦除 MASK ROM，FALSH ROM 和 OTP ROM 的区别： MASK ROM 的 MCU 价格便宜，但程序在出厂时已经固化，适合程序固定不变的应用场合；FALSH ROM 的 MCU 程序可以反复擦写，灵活性很强，但价格较高，适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途； OTP ROM 的 MCU 价格介于前两者之间，同时又拥
9、有一次性可编程能力，适合既要求一定灵活性，又要求低成本的应用场合，尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。 OTP ROM 和 PROM 的共同点是只能被设备编程器进行一次编程。 DDR: Double Date Rate 双倍速，常见的 DDR SDRAM 指的是双倍速率同步动态随机访问存储器 DDR SDRAM 和 SDRAM 的差别： SDRAM 在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而 DDR 内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与 SDRAM 相同的总线频率
10、下达到更高的数据传输率。 DDR 其实是 DDR1，后续的还有 DDR2, 和 DDR3 DDR3 能代替 DDR2 内存的原因： 频率： DDR3可以在 800MHz至 1666MHz下运行（也可更高），而 DDR2是在 533MHz至 1066MHz下运行。一般来讲，DDR3 是 DDR2 频率的两倍，通过削减一半读写时间给系统带来操作性能提高。 功耗：DDR3 相比 DDR2 可以节约 16%的电能，因为新一代 DDR3 是在 1.5V 电压下工作，而DDR2 则是在 1.8V 下工作，这样可以弥补由于过多的操作频率所产生的高电能消耗，同时，减少的能量消耗可以延长部件的使用寿命。 技术：DDR3 内存 Bank 增加到了 8 个，比 DDR2 提高了一倍。所以相比 DDR2 预读取会提高50%的效率，是 DDR2 标准的两倍。
